OP

A6

59

OPA659

www.ti.com...........................................................................................................................................................................................

SBOS342 - 2008年12月

宽带，单位增益稳定， JFET输入

运算放大器连接器

1

特点

高带宽： 650MHz的（G = + 1V / V）

高压摆率： 2550V / μs的（ 4V步骤）

出色的THD ： -78dBc在10MHz

低输入电压噪声： 8.9nV / √Hz的

快速过载恢复：为8ns

快速建立时间（ 1 ％ 4V步骤） ：为8ns

低输入失调电压： ± 1mV的

低输入偏置电流： ± 10pA的

高输出电流： 70毫安

描述

该OPA659结合了一个非常宽带，单位增益

稳定，电压反馈运算放大器具有

JFET输入级提供的超高动态范围

放大器，用于数据的高阻抗缓冲

采集应用，如示波器

前端放大器和机器视觉应用

如用光电二极管互阻抗放大器

在晶圆检测。

广650MHz的单位增益带宽

辅之以很高的2550V / μs压摆率。

高输入阻抗和低偏置电流

由JFET输入所提供的低支持

8.9nV / √Hz的输入电压噪声，实现了非常低的

集成

噪音

in

宽带

光电二极管

导应用。

宽阻带宽是可能的

这种高350MHz的增益带宽积

装置。

其中较低的速度低静态电流

需要考虑的

OPA656.

其中，单位增益

不是必需的稳定性，可以考虑

OPA657.

相关

运算放大器连接器

制品

50

W

负载

2

应用

高阻抗数据采集输入

扩音器

高阻抗示波器输入

扩音器

WIDEBAND光电二极管互

扩音器

WAFER扫描设备

阻增益

与频率（C

D

= 22pF的）

+6V

0.1

m

F

10

m

F

V

OUT

R

OUT

OPA659

设备

R

F

PHOTO

二极管

V

S

(V)

+5

BW

（兆赫）

200

SLEW

率

（ V / μs）内

300

电压

噪音

（NV / √Hz的）

5.80

扩音器

描述

单位增益

稳定的CMOS

的固定增益

+2V/V

JFET输入

单位增益

稳定

JFET输入

+7增益

稳定

JFET输入

单位增益

稳定

DI- FET输入

单位增益

稳定

JFET输入

l

I

D

C

D

C

F

OPA356

OPA653

0.1

m

F

-V

B

-6V

10

m

F

±6

500

2675

6.1

OPA656

130

120

R

F

= 1M

W

, C

F

=打开

R

F

= 100k

W

, C

F

=打开

R

F

= 10k

W

,

C

F

=打开

±5

500

290

7

阻增益（分贝

W

)

110

100

90

80

70

60

50

40

100k

1M

频率（Hz）

R

F

= 1k

W

, C

F

= 4.7pF

10M

R

F

= 10k

W

, C

F

=取1.5pF

R

F

= 1k

W

, C

F

=打开

R

F

= 100k

W

,

C

F

=在0.5pF

OPA657

±5

1600

700

4.8

OPA627

±15

16

55

4.5

THS4631

±15

105

900

7

100M

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

所有商标均为其各自所有者的财产。

2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

OPA659

SBOS342 - 十二月2008...........................................................................................................................................................................................

www.ti.com

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

订购信息

(1)

产品

OPA659

PACKAGE -LEAD

SOT23-5

包

代号

的dBV

特定网络版

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

包

记号

BZX

订购

数

OPA659IDBVT

OPA659IDBVR

OPA659IDRBT

OPA659IDRBR

运输

媒体， QUANTITY

磁带和卷轴， 250

磁带和卷轴， 3000

磁带和卷轴， 250

磁带和卷轴， 3000

OPA659

VSON-8

DRB

-40 ° C至+ 85°C

OBFi

(1)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。

OPA653

电源电压V

S+

到V

S–

输入电压

输入电流

输出电流

连续功率耗散

工作自由空气的温度范围内，T

A

存储温度范围

焊接温度（焊接， 10秒）

最高结温，T

J

最高结温，T

J

（连续运转长期可靠性）

人体模型（ HBM ）

ESD

评分：

充电设备模型（ CDM）

机器型号

±6.5

±V

S

100

100

单位

V

V

mA

mA

见热特性

-40至+85

-65到+150

+260

+150

+125

4000

1000

200

°C

°C

°C

°C

°C

V

V

V

DRB包装

VSON-8

（ TOP VIEW ）

NC

反相输入

同相输入

-V

S

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

+V

S

DRV包装

SOT23-5

（ TOP VIEW ）

产量

1

2

3

4

反相输入

5

+V

S

-V

S

产量

NC

同相输入

注意：

NC ：未连接。

2

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

OPA659

2008 ，德州仪器

OPA659

www.ti.com...........................................................................................................................................................................................

SBOS342 - 2008年12月

电气特性： V

S

= ±6V

在r

F

= 0Ω ，G = + 1V / V和R

L

= 100, T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

OPA659

参数

AC性能

小信号带宽

V

O

= 200mV的

PP

， G = + 1V / V

V

O

= 200mV的

PP

， G = + 2V / V

V

O

= 200mV的

PP

， G = + 5V / V

V

O

= 200mV的

PP

， G = + 10V / V

增益带宽积

带宽0.1分贝平整度

大信号带宽

压摆率

上升和下降时间

建立时间为1 ％

脉冲响应过冲

谐波失真

二阶谐波

第三谐波

互调失真

第二调

3调

输入电压噪声

输入电流噪声

直流性能

开环电压增益（A

OL

)

输入失调电压

T

A

= + 25 ° C，V

CM

= 0V ，R

L

= 100

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V ，R

L

= 100

T

A

= + 25 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V

平均失调电压漂移

输入偏置电流

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V

T

A

= + 25 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V

平均输入偏置电流漂移

输入失调电流

T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V

T

A

= + 25 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C，V

CM

= 0V

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= 0V

输入

共模输入范围

T

A

= +25°C

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

共模抑制比

T

A

= + 25 ° C，V

CM

= ±0.5V

T

A

= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V

CM

= ±0.5V

输入阻抗

迪FF erential

共模

10

12

10

12

1

2.5

pF

pF

C

C

±3

±2.87

68

64

±3.5

±3.37

70

66

V

V

dB

dB

A

B

A

B

52

49

58

55

±1

±1.5

±10

±10

±240

±640

±5

±7

±5

±120

±320

±5

±7.6

±40

±50

±1200

±3200

±26

±34

±25

±600

±1600

dB

dB

mV

mV

μV/°C

pA

pA

pA

PA / ℃，

PA / ℃，

pA

pA

pA

A

B

A

B

B

A

B

B

B

B

A

B

B

F > 100kHz的

F < 10MHz的

V

O

= 2V

PP

信封（每个音1V

PP

),

G = + 2V / V，F

1

= 10MHz时，女

2

= 11MHz

–72

–96

8.9

1.8

dBc的

dBc的

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

C

C

C

C

摹> + 10V / V

G = + 2V / V ，V

O

= 2V

PP

V

O

= 2V

PP

， G = + 1V / V

V

O

= 4V步骤， G = + 1V / V

V

O

= 4V步骤， G = + 1V / V

V

O

= 4V步骤， G = + 1V / V

V

O

= 4V步骤， G = + 1V / V

V

O

= 2V

PP

， G = + 1V / V ， F = 10MHz时

–79

–100

dBc的

dBc的

C

C

650

335

75

35

350

55

575

2550

1.3

8

12

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

V / μs的

ns

ns

%

C

C

C

C

C

C

B

B

C

C

C

条件

民

典型值

最大

单位

TEST

水平

(1)

(1)

测试电平：

(A)

在+ 25 ℃下经过100％测试。在特征值，模拟设定温度限制。

(B)

限制由特性设置

和仿真。

(C)

仅供参考的典型值。

2008 ，德州仪器

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

OPA659

3

OPA659

SBOS342 - 十二月2008...........................................................................................................................................................................................

www.ti.com

电气特性： V

S

= ± 6V （续）

在r

F

= 0Ω ，G = + 1V / V和R

L

= 100, T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

OPA659

参数

产量

输出电压摆幅

T

A

= + 25 ° C，无负载

T

A

= + 25 ° C，R

L

= 100

T

A

= -40 ° C至+ 85°C ，无负载

T

A

= -40 ° C至+ 85°C ，R

L

= 100

输出电流，采购，下沉

T

A

= +25°C

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

闭环输出阻抗

电源

工作电压

静态电流

T

A

= +25°C

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

电源抑制比（ PSRR ）

T

A

= 25 ° C，V

S

= ± 5.5V至± 6.5V

T

A

= -40°C至85°C ，V

S

= ± 5.5V至± 6.5V

热特性

规定的工作范围

DRB和DRV套餐

热阻，

θ

JA

DRB

DRV

VSON-8

SOT23-5

结到环境

55

105

° C / W

° C / W

C

C

–40

+85

°C

C

±3.5

30.5

28.3

58

56

62

60

±6

32

±6.5

33.5

35.7

V

mA

mA

dB

dB

B

A

B

A

A

G = + 1V / V ， F = 100kHz的

±4.6

±3.8

±4.45

±3.65

±60

±56

±4.8

±4.0

±4.65

±3.85

±70

±65

0.04

V

V

V

V

mA

mA

A

A

B

B

A

B

C

条件

民

典型值

最大

单位

TEST

水平

(1)

4

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

OPA659

2008 ，德州仪器

OPA659

www.ti.com...........................................................................................................................................................................................

SBOS342 - 2008年12月

典型特征

表图的

标题

同相小信号频率响应

同相大信号频率响应

同相大信号频率响应

INVERTING小信号频率响应

INVERTING大信号频率响应

INVERTING大信号频率响应

同相瞬态响应

同相瞬态响应

同相瞬态响应

反演瞬态响应

反演瞬态响应

反演瞬态响应

谐波失真与频率

谐波失真VS同相增益

谐波失真VS反相增益

谐波失真与负载电阻

谐波失真与输出电压

谐波失真VS ±电源电压

双色，二阶和三阶互调失真与频率

过载恢复

过载恢复

输入参考电压噪声谱密度

共模抑制比和电源抑制比与频率

推荐的

ISO

VS容性负载

频率响应VS容性负载

开环增益和相位

闭环输出阻抗与频率

阻增益与频率

阻增益与频率

阻增益与频率

阻增益与频率

最大/最小±V

OUT

VS

负载

压摆率与V

OUT

步

C

D

= 10pF的

C

D

= 22pF的

C

D

= 47pF的

C

D

= 100pF的

增益= + 2V / V

增益= -2V / V

V

O

= 200mV的

PP

V

O

= 2V

PP

V

O

= 6V

PP

V

O

= 200mV的

PP

V

O

= 2V

PP

V

O

= 6V

PP

0.5V步骤

2V步骤

5V步骤

0.5V步骤

2V步骤

5V步骤

科幻gure

图1

图2

科幻gure 3

图4

图5

图6

图7

图8

图9

图10

图11

图12

图13

图14

图15

图16

图17

图18

图19

图20

图21

图22

图23

图24

图25

图26

图27

图28

图29

图30

图31

图32

图33

2008 ，德州仪器

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

OPA659

5