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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符O型号页 > 首字符O的型号第244页 > OPA656U/2K5
OPA656
OPA
656
SBOS196A - 2002年1月
宽带,单位增益稳定, FET输入
运算放大器连接器
特点
q
500MHz的单位增益带宽
q
低输入偏置电流: 2PA
q
低失调漂移:
±
0.25mV,
±
2
V/
°
C
q
低失真: 74分贝SFDR在5MHz
q
高输出电流: 70毫安
q
低输入电压噪声: 7nV /
Hz
描述
该OPA656结合了一个非常宽带,单位增益稳定,
电压反馈运算放大器具有FET输入级提供一个
超高动态范围放大器的ADC (模拟 - 数字
转换器)缓冲和跨应用程序。极
低直流误差使光学应用良好的精度。
高单位增益稳定带宽和JFET输入允许
卓越的性能在高速,低噪声集成商。
高输入阻抗和提供的低偏置电流
在FET输入支撑在超低7nV / √Hz的输入
电压噪声,以达到非常低的噪声综合
宽带光电二极管导应用。
广阔的跨带宽都达到给定的
OPA656高230MHz之间的增益带宽积。如图所示
下面, 1MHz的-3dB带宽为高,即使提供
1MΩ阻增益从47pF的源极电容。
应用
q
WIDEBAND光电二极管放大器
q
q
q
q
q
采样和保持缓冲器
CCD输出缓冲器
ADC输入缓冲器
WIDEBAND精密放大器
测试和测量前端
相关运算放大器产品
压摆电压
V
S
BW率NOISE
(Ⅴ) (兆赫)(V /
S) (NV /
HZ )放大器描述
300
290
700
55
100
5.8
6
4.8
4.5
5.4
单位增益稳定的CMOS
单位增益稳定FET输入
+7稳定FET输入增益
单位增益稳定FET输入
单位增益稳定FET输入
设备
1pF
499k
499k
OPA355 5 200
OPA655
±5
400
OPA657
±5
1600
OPA627
±15
16
THS4601
±15
180
1MΩ跨导带宽
130
带宽为1MHz
阻增益(dB )
λ
(47pF)
OPA656
V
O
120
110
–V
b
100
宽带光电二极管互阻抗放大器
90
80
10kHz
100kHz
频率
1MHz
5MHz
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
2001 ,德州仪器
www.ti.com
封装/订购信息
代号
(1)
D
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
记号
OPA656U
订购
(2)
OPA656U
OPA656U/2K5
OPA656UB
OPA656UB/2K5
OPA656N/250
OPA656N/3K
OPA656NB/250
OPA656NB/3K
运输
媒体, QUANTITY
导轨, 100
磁带和卷轴, 2500
导轨, 100
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
产品
OPA656U
PACKAGE -LEAD
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
OPA656UB
& QUOT ;
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
D
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
OPA656UB
& QUOT ;
OPA656N
& QUOT ;
SOT23-5
& QUOT ;
的dBV
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
B56
& QUOT ;
OPA656NB
& QUOT ;
SOT23-5
& QUOT ;
的dBV
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
B56
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
注: ( 1 )有关最新规格和包装的信息,请访问我们的网站: www.ti.com 。 ( 2 ) UB和NB的高品位,而U和N分别
标准级。
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................
±6.5V
内部功耗...........................见热特性
差分输入电压............................................... ......................
±V
S
输入电压范围............................................... .............................
±V
S
存储温度范围......................................... -40 ° C至+ 125°C
焊接温度................................................ ......................... + 260℃
结温(T
J
) ........................................................... +175°C
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
(机器型号) .............................................. .............. 200V
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。这些压力额定值只,以及功能操作
设备在超出规定的这些或任何其他条件不暗示。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
用适当的预防措施。如果不遵守正确han-
危及周围并安装程序可能导致的损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
销刀豆网络gurations
顶视图
SO-8
顶视图
SOT23-5
产量
1
5
+V
S
–V
S
同相输入
NC
反相输入
同相输入
–V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
+V
S
产量
2
3
4
反相输入
5
NC
B56
1
2
针方向/封装标识
3
4
2
OPA656
www.ti.com
SBOS196A
电气特性: V
S
=
±
5V
R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,以及G = 2 ,除非另有说明。图1为AC性能。
OPA656U , N(标准级)
典型值
+25
°
C
500
200
59
23
230
30
1.5
75
290
1.5
21
–71
–74
–81
–100
7
1.3
0.02
0.05
65
±0.25
±2
±2
±1
+2.5
–4.0
86
10
12
|| 0.7
10
12
|| 2.8
空载
R
L
= 100
±3.9
±3.5
+70
–70
0.01
±5
14
14
76
62
-40到85
结到环境
125
150
° C / W
° C / W
典型值
典型值
60
59
±2.2
±12
±1800
±900
+1.9
–3.4
78
58
±2.6
±12
±5000
±2500
+1.8
–3.3
76
最小/最大温度过高
+25
°
C
(1)
0
°
C到
70
°
C
(2)
–40
°
C到
+85
°
C
(2)
MIN /
TEST
最大
水平
(3)
参数
AC性能(图1 )
小信号带宽
条件
单位
增益带宽积
带宽0.1分贝平整度
峰值出现在增益+1
大信号带宽
压摆率
上升和下落时间
建立时间0.02 %
谐波失真
2nd-Harmonic
3rd-Harmonic
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
直流性能
(4)
开环电压增益(A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流漂移
输入
最积极的输入电压
(5)
最负输入电压
(5)
共模抑制比( CMRR )
输入阻抗
迪FF erential
共模
产量
电压输出摆幅
电流输出,采购
电流输出,可吸入
闭环输出阻抗
电源
额定工作电压
最大工作电压范围
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
( -PSRR )
温度范围
规定的工作范围:U ,N包
热阻,
θ
JA
U: SO- 8
N: SOT23-5
G = 1 ,V
O
=加载200mVP - P,R
F
= 0
G = 2 ,V
O
=加载200mVP -P
G = 5 ,V
O
=加载200mVP -P
G = 10 ,V
O
=加载200mVP -P
摹> +10
G = 2 ,V
O
=加载200mVP -P
V
O
<加载200mVP - P,R
F
= 0
G = 2 ,V
O
= 2VP -P
G = 2 , 1V步骤
0.2V步骤
G = 2 ,V
O
= 2V阶跃
G = 2 , F = 5MHz时,V
O
= 2VP -P
R
L
= 200
R
L
& GT ; 500Ω
R
L
= 200
R
L
& GT ; 500Ω
F > 100kHz的
F > 100kHz的
G = 2 , PAL ,R
L
= 150
G = 2 , PAL ,R
L
= 150
V
O
= 0V ,R
L
= 100
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
dB
兆赫
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
°
dB
mV
μV/°C
pA
pA
V
V
dB
|| pF的
|| pF的
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
最大
最大
典型值
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A
A
A
A
B
A
A
A
C
C
±
1.8
±
12
±
20
±
10
+2.0
–3.5
80
V
CM
=
±0.5V
±
3.7
±
3.3
56
–56
±3.2
54
–54
±3.1
50
–50
G = 1 , F =为0.1MHz
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
dB
dB
°C
A
A
A
C
C
A
A
A
A
A
±
6
15.8
11.7
72
56
+V
S
= 4.50V到5.50V
–V
S
= 4.50V到-5.50V
±6
16
11.4
70
54
±6
16.1
11.1
68
52
注: (1 )结温度=室温为25℃的最小/最大规格(2 )结温度=环境低温极限:结温度=环境
+ 20 ℃,在高温下限值的温度范围内的最小/最大规格。 ( 3 )测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。超过温度极限特征值,
模拟。 (二)限制了表征和模拟设置。 ( C)仅作为参考的典型值。 (4 )当前被认为是阳性出节点的- 。 V
CM
是输入
共模电压。 ( 5 )测试< 3分贝低于最低规定的共模抑制比
± CMIR
极限。
OPA656
SBOS196A
www.ti.com
3
电气特性: V
S
=
±
5V:
高档DC规格
(1)
R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,以及G = 2 ,除非另有说明。
OPA656UB , NB (高档)
典型值
+25
°
C
±0.1
±2
±1
±0.5
95
78
68
最小/最大温度过高
+25
°
C
(2)
0
°
C到
70
°
C
(3)
±0.85
±6
±450
±450
86
72
60
–40
°
C到
+85
°
C
(3)
±0.9
±6
±1250
±1250
84
70
58
MIN /
TEST
最大
水平
(4)
最大
最大
最大
最大
A
A
A
A
A
A
A
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比( CMRR )
电源抑制比( PSRR + )
( -PSRR )
条件
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
=
±0.5V
+V
S
= 4.5V至5.5V
–V
S
= -4.5V至-5.5V
单位
mV
μV/°C
pA
pA
dB
dB
dB
±
0.6
±
6
±
5
±
5
88
74
62
注: (1)所有其它规格相同的标准级。 (2 )结温度=室温为25℃的最小/最大规格。 (3 )结
温度=环境低温极限:结温=室温+ 20℃的高温下限值的温度范围内的最小/最大规格。
( 4 )测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。超过温度限制由特性和仿真。
4
OPA656
www.ti.com
SBOS196A
典型特征: V
S
=
±
5V
T
A
= + 25 ° C,G = 2 ,R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,除非另有说明。
同相小信号
频率响应
6
3
归一化增益(分贝)
INVERTING小信号
频率响应
9
6
3
归一化增益(分贝)
V
O
=加载200mVP -P
G = +1
R
F
= 0
G = +2
V
O
=加载200mVP -P
R
F
= 402
G = –1
G = –2
0
–3
–6
G = +5
–9
–12
见图1
–15
–18
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
G = +10
0
–3
–6
–9
–12
–15
–18
–21
–24
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
见图2
G = –5
G = –10
同相大信号
频率响应
9
G = +2
6
3
增益(dB )
INVERTING大信号
频率响应
3
G = –1
0
V
O
=平0.5Vp -P
V
O
= 0.2Vp -P
V
O
=平0.5Vp -P
增益(dB )
–3
V
O
=平1Vp -P
–6
V
O
= 2VP -P
–9
–12
见图2
–15
–18
0
–3
见图1
–6
–9
0.5
1
V
O
=平1Vp -P
V
O
= 2VP -P
10
频率(MHz)
100
500
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
同相脉冲响应
相脉冲响应
大信号输出电压( 400mV的/ DIV )
G = +2
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
见图1
–0.6
–0.8
TIME (为10ns / DIV )
–1.2
–1.6
小信号左标
大信号右标
1.2
0.8
0.4
0
–0.4
–0.8
G = –1
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
见图2
–0.6
–0.8
TIME (为10ns / DIV )
–1.2
–1.6
小信号左标
大信号右标
1.2
0.8
0.4
0
–0.4
–0.8
OPA656
SBOS196A
www.ti.com
5
大信号输出电压( 400mV的/ DIV )
小信号输出电压( 200mV的/ DIV )
小信号输出电压( 200mV的/ DIV )
0.8
1.6
0.8
1.6
OPA656
OPA
656
www.ti.com
SBOS196G - 2001年12月 - 修订2008年11月
宽带,单位增益稳定, FET输入
运算放大器连接器
特点
q
500MHz的单位增益带宽
q
低输入偏置电流: 2PA
q
低失调漂移:
±
0.25mV,
±
2
V/
°
C
q
低失真: 74分贝SFDR在5MHz
q
高输出电流: 70毫安
q
低输入电压噪声: 7nV /
Hz
描述
该OPA656结合了一个非常宽带,单位增益稳定,
电压反馈运算放大器具有FET输入级提供一个
超高动态范围放大器的ADC (模拟 - 数字
转换器)缓冲和跨应用程序。极
低直流误差使光学应用良好的精度。
高单位增益稳定带宽和JFET输入允许
卓越的性能在高速,低噪声集成商。
高输入阻抗和提供的低偏置电流
在FET输入支撑在超低7nV / √Hz的输入
电压噪声,以达到非常低的噪声综合
宽带光电二极管导应用。
广阔的跨带宽都达到给定的
OPA656高230MHz之间的增益带宽积。如图所示
下面, 1MHz的-3dB带宽为高,即使提供
1MΩ阻增益从47pF的源极电容。
应用
q
WIDEBAND光电二极管放大器
q
q
q
q
q
采样和保持缓冲区
CCD输出缓冲器
ADC输入缓冲器
WIDEBAND精密放大器
测试和测量前端
相关运算放大器产品
压摆电压
V
S
BW率NOISE
(Ⅴ) (兆赫)(V /
S) (NV /
HZ )放大器描述
300
290
700
55
100
5.8
6
4.8
4.5
5.4
单位增益稳定的CMOS
单位增益稳定FET输入
+7稳定FET输入增益
单位增益稳定FET输入
单位增益稳定FET输入
设备
1pF
499k
499k
OPA355 5 200
OPA655
±5
400
OPA657
±5
1600
OPA627
±15
16
THS4601
±15
180
1MΩ跨导带宽
130
阻增益(dB )
带宽为1MHz
λ
(47pF)
OPA656
V
O
120
110
100
–V
b
90
宽带光电二极管互阻抗放大器
80
10kHz
100kHz
频率
1MHz
5MHz
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有2001-2008 ,德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................
±6.5V
内部功耗...........................见热特性
差分输入电压............................................... ......................
±V
S
输入电压范围............................................... .............................
±V
S
存储温度范围......................................... -65 ° C至+ 125°C
焊接温度................................................ ......................... + 260℃
结温(T
J
) ........................................................... +150°C
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
(机器型号) .............................................. .............. 200V
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。这些压力额定值只,以及功能操作
设备在超出规定的这些或任何其他条件不暗示。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
用适当的预防措施。如果不遵守正确han-
危及周围并安装程序可能导致的损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
(1)
代号
D
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
记号
OPA656U
订购
(2)
OPA656U
OPA656U/2K5
OPA656UB
OPA656UB/2K5
OPA656N/250
OPA656N/3K
OPA656NB/250
OPA656NB/3K
运输
媒体, QUANTITY
导轨, 100
磁带和卷轴, 2500
导轨, 100
磁带和卷轴, 2500
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
产品
OPA656U
PACKAGE -LEAD
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
OPA656UB
& QUOT ;
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
D
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
OPA656UB
& QUOT ;
OPA656N
& QUOT ;
SOT23-5
& QUOT ;
的dBV
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
B56
& QUOT ;
OPA656NB
& QUOT ;
SOT23-5
& QUOT ;
的dBV
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
B56
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
& QUOT ;
注: ( 1 )对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者参阅TI的网站
www.ti.com 。 ( 2 ) UB和NB的高品位,而U和N为标准级。
销刀豆网络gurations
顶视图
SO
顶视图
SOT23
产量
1
5
+V
S
–V
S
同相输入
NC
反相输入
同相输入
–V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
+V
S
产量
2
3
4
反相输入
5
NC
B56
1
2
针方向/封装标识
3
4
2
OPA656
www.ti.com
SBOS196G
电气特性: V
S
=
±
5V
R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,以及G = 2 ,除非另有说明。图1为AC性能。
OPA656U , N(标准级)
典型值
+25
°
C
500
200
59
23
230
30
1.5
75
290
1.5
21
–71
–74
–81
–100
7
1.3
0.02
0.05
65
±0.25
±2
±2
±1
+2.75
–4.5
+3.25
–4.5
86
10
12
|| 0.7
10
12
|| 2.8
空载
R
L
= 100
±3.9
±3.5
+70
–70
0.01
±5
14
14
76
62
-40到85
结到环境
125
150
° C / W
° C / W
典型值
典型值
60
59
±2.2
±12
±1800
±900
+2.05
–3.9
+2.5
–3.9
78
58
±2.6
±12
±5000
±2500
+2.0
–3.8
+2.4
–3.8
76
最小/最大温度过高
+25
°
C
(1)
0
°
C到
70
°
C
(2)
–40
°
C到
+85
°
C
(2)
MIN /
TEST
最大
水平
(3)
参数
AC性能(图1 )
小信号带宽
条件
单位
增益带宽积
带宽0.1分贝平整度
峰值出现在增益+1
大信号带宽
压摆率
上升和下落时间
建立时间0.02 %
谐波失真
2nd-Harmonic
3rd-Harmonic
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益
微分相位
直流性能
(4)
开环电压增益(A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入
最积极的输入电压
(5)
最负输入电压
(5)
最积极的输入电压
(6)
最负输入电压
(6)
共模抑制比( CMRR )
输入阻抗
迪FF erential
共模
产量
电压输出摆幅
电流输出,采购
电流输出,可吸入
闭环输出阻抗
电源
额定工作电压
最大工作电压范围
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
( -PSRR )
温度范围
规定的工作范围:U ,N包
热阻,
θ
JA
U: SO- 8
N: SOT23-5
G = 1 ,V
O
= 200mV的
PP
, R
F
= 0
G = 2 ,V
O
= 200mV的
PP
G = 5 ,V
O
= 200mV的
PP
G = 10 ,V
O
= 200mV的
PP
摹> +10
G = 2 ,V
O
= 200mV的
PP
V
O
< 200mV的
PP
, R
F
= 0
G = 2 ,V
O
= 2V
PP
G = 2 , 1V步骤
0.2V步骤
G = 2 ,V
O
= 2V阶跃
G = 2 , F = 5MHz时,V
O
= 2V
PP
R
L
= 200
R
L
& GT ; 500Ω
R
L
= 200
R
L
& GT ; 500Ω
F > 100kHz的
F > 100kHz的
G = 2 , PAL ,R
L
= 150
G = 2 , PAL ,R
L
= 150
V
O
= 0V ,R
L
= 100
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
dB
兆赫
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
°
dB
mV
μV/°C
pA
pA
V
V
V
V
dB
|| pF的
|| pF的
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
最大
最大
最大
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
最大
最大
典型值
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A
A
A
A
B
A
A
A
A
A
C
C
±
1.8
±
12
±
20
±
10
+2.1
–4.0
+2.6
–4.0
80
V
CM
=
±0.5V
±
3.7
±
3.3
50
–50
±3.2
48
–48
±3.1
46
–46
G = 1 , F =为0.1MHz
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
dB
dB
°C
A
A
A
C
C
A
A
A
A
A
±
6
16
11.7
72
56
+V
S
= 4.50V到5.50V
–V
S
= 4.50V到-5.50V
±6
16.2
11.4
70
54
±6
16.3
11.1
68
52
注: ( 1 )结温度=室温为25 ℃,最小/最大规格。
( 2 )结温=环境低温极限:结温度=室温+ 20 ℃的高温极限随温度最小/最大
特定连接的阳离子。
( 3 )测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。超过温度限制由特性和仿真。 (二)限制了表征和模拟设置。
( C)仅作为参考的典型值。
(4 )当前被认为是阳性出节点的- 。 V
CM
是输入共模电压。
( 5 )测试< 3分贝低于最低规定的共模抑制比
± CMIR
极限。
( 6 )输入范围给予> 53分贝CMRR 。
OPA656
SBOS196G
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3
电气特性: V
S
=
±
5V:
高档DC规格
(1)
R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,以及G = 2 ,除非另有说明。
OPA656UB , NB (高档)
典型值
+25
°
C
±0.1
±2
±1
±0.5
95
78
68
最小/最大温度过高
+25
°
C
(2)
0
°
C到
70
°
C
(3)
±0.85
±6
±450
±450
86
72
60
–40
°
C到
+85
°
C
(3)
±0.9
±6
±1250
±1250
84
70
58
MIN /
TEST
最大
水平
(4)
最大
最大
最大
最大
A
A
A
A
A
A
A
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比( CMRR )
电源抑制比( PSRR + )
( -PSRR )
条件
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
V
CM
=
±0.5V
+V
S
= 4.5V至5.5V
–V
S
= -4.5V至-5.5V
单位
mV
μV/°C
pA
pA
dB
dB
dB
±
0.6
±
6
±
5
±
5
88
74
62
注: (1)所有其它规格相同的标准级。
( 2 )结温度=室温为25 ℃,最小/最大规格。
(3 )结温度=环境低温极限:结温=室温+ 20℃的高温下限值以上的温度
最小/最大规格。
( 4 )测试等级: ( A)100 % ,在25 ℃条件下测定。超过温度限制由特性和仿真。
4
OPA656
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SBOS196G
典型特征: V
S
=
±
5V
T
A
= + 25 ° C,G = 2 ,R
F
= 250, R
L
= 100Ω ,除非另有说明。
同相小信号
频率响应
6
3
归一化增益(分贝)
INVERTING小信号
频率响应
9
6
3
归一化增益(分贝)
V
O
=加载200mVP -P
G = +1
R
F
= 0
G = +2
V
O
=加载200mVP -P
R
F
= 402
G = –1
G = –2
0
–3
–6
G = +5
–9
–12
见图1
–15
–18
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
G = +10
0
–3
–6
–9
–12
–15
–18
–21
–24
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
见图2
G = –5
G = –10
同相大信号
频率响应
9
G = +2
6
3
增益(dB )
INVERTING大信号
频率响应
3
G = –1
0
V
O
=平0.5Vp -P
V
O
= 0.2Vp -P
V
O
=平0.5Vp -P
增益(dB )
–3
V
O
=平1Vp -P
–6
V
O
= 2VP -P
–9
–12
见图2
–15
–18
0
–3
见图1
–6
–9
0.5
1
V
O
=平1Vp -P
V
O
= 2VP -P
10
频率(MHz)
100
500
0.5
1
10
频率(MHz)
100
500
同相脉冲响应
相脉冲响应
大信号输出电压( 400mV的/ DIV )
G = +2
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
见图1
–0.6
–0.8
TIME (为10ns / DIV )
–1.2
–1.6
小信号左标
大信号右标
1.2
0.8
0.4
0
–0.4
–0.8
G = –1
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
见图2
–0.6
–0.8
TIME (为10ns / DIV )
–1.2
–1.6
小信号左标
大信号右标
1.2
0.8
0.4
0
–0.4
–0.8
OPA656
SBOS196G
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5
大信号输出电压( 400mV的/ DIV )
小信号输出电压( 200mV的/ DIV )
小信号输出电压( 200mV的/ DIV )
0.8
1.6
0.8
1.6
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单价/备注
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    -
    -
    -
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联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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22+
185377
原装原厂公司现货
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联系人:李
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TI
2021+
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NA
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联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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24+
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SOIC-8
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23+
12888
N/A
壹芯创只做原装 正品现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
OPA656U/2K5
TI/德州仪器
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16800
SOIC8
全新原装正品/质量有保证
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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BB
20+
26000
SOIC-8
全新原装 货期两周
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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20+
3
701¥/片,全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-8322-5385 8277-7362
联系人:李先生
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BB
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7000
SMD
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联系人:胡先生 林小姐 朱先生
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联系人:唐
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