OPA2227-EP
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SBOS594 - 2012年3月
高精度，低噪声运算放大器
检查样品：
OPA2227-EP
1
特点
低噪音： 3内华达州/ √Hz的
宽带： 8兆赫， 2.3 V / μs的
建立时间： 5
μs
高共模抑制比：123分贝（典型）
高开环增益：160分贝（典型）
低输入偏置电流： 10 nA的最大值
25°C
低失调电压： 100
μV
最多在25℃下
宽电源电压范围： ± 2.5 V至± 18 V
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
包
（ TOP VIEW ）
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
A
B
8
7
6
5
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
应用
数据采集
电信设备
地球物理分析
振动分析
频谱分析
专业音响设备
主动滤池
电源控制
(1)
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
描述
该OPA2227运算放大器结合了低噪声和高带宽的高精度，使其成为
对于需要交流和精密直流性能应用的理想选择。
该OPA2227是单位增益稳定，具有高转换速率（ 2.3 V / μs）内和宽带宽（ 8兆赫） 。
该OPA2227运算放大器非常适合专业音频设备。此外，低静态电流
和低成本使其理想用于要求高精度的便携式应用。
该OPA2227运算放大器的引脚对引脚替代行业标准OP -27有大量的
全方位的改进。在双路和四路版本可用于节省空间和perchannel
成本降低。
该OPA2227可在采用SOIC - 8封装。操作从-55° C至125° C温度范围。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-55℃
125°C
(1)
包
SOIC - 8 - D
顶部端标记
2227EP
订购零件
数
OPA2227MDREP
OPA2227MDEP
VID号
V62/12610-01XE
V62/12610-02XE
传输介质
磁带和卷轴，大
管
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压
信号输入端子
输出短路（接地）
(2)
工作温度
储存温度
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
电压
当前
±18
（ V - ） - 0.7至（V +） + 0.7
20
连续
-55至125
-65到150
150
300
°C
°C
°C
°C
单位
V
V
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
每包一个通道。
热信息
OPA2227
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(2)
(1)
D
8引脚
91.9
39.9
40.6
3.9
39.6
不适用
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
2
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电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 5 V至± 15 V ，R
L
= 10千欧（除非另有说明） 。
参数
失调电压
输入失调电压（V
OS
)
与温度，T
A
= -55 ° C至125°C
与温度数据（dV
OS
/ DT ） ，T
A
= -55 ° C至125°C
VS电源（ PSRR ）T
A
= -55 ° C至125°C
对时间
声道分离度（双）
输入偏置电流
输入偏置电流（我
B
)
T
A
= -55 ° C至125°C
输入失调电流（I
OS
)
T
A
= -55 ° C至125°C
噪音
输入电压噪声， F = 0.1 Hz至10 Hz
90
15
输入电压噪声密度（E
n
)
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
电流噪声密度（我
n
）中，f = 1千赫
输入电压范围
共模电压范围（Ⅴ
CM
)
T
A
= -55 ° C至125°C
共模抑制比（ CMRR ）
T
A
= -55 ° C至125°C
输入阻抗
迪FF erential
共模
开环增益
开环电压增益（A
OL
)
T
A
= -55 ° C至125°C
V
O
= （ V-） + 3.5 V至（V + ） - 3.5 V ，R
L
= 600
Ω
T
A
= -55 ° C至125°C
频率响应
增益带宽积（ GBW ）
压摆率（ SR ）
建立时间：
0.1%
0.01%
过载恢复时间
总谐波失真+噪声（ THD + N）
产量
电压输出
T
A
= -55 ° C至125°C
T
A
= -55 ° C至125°C
短路电流（I
SC
)
容性负载驱动器（C
负载
)
电源
额定电压范围（V
S
)
工作电压范围
静态电流（每个放大器） （我
Q
)
I
O
= 0 A
±5
±2.5
±3.7
±15
±18
±3.95
V
V
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 600
Ω
(V-) + 2
(V-) + 3.5
±45
见典型特征
(V+) – 2
(V+) – 3.5
mA
V
G = 1 ， 10 -V步骤，C
L
= 100 pF的
G = 1 ， 10 -V步骤，C
L
= 100 pF的
V
IN
X G = V
S
F = 1千赫，G = 1，V
O
= 3.5 Vrms的
8
2.3
5
5.6
1.3
0.00005
兆赫
V / μs的
s
s
s
%
V
O
= （ V - ） + 2 V至（V +） - 2 V，R 1
L
= 10 kΩ
132
112
132
112
160
160
160
160
dB
开环电压增益（A
OL
)
V
CM
= （ V - ） + 2 V至（V +） - 2 V
10
7
|| 12
10
9
|| 3
Ω
|| pF的
Ω
|| pF的
V
CM
= （ V - ） + 2 V至（V +） - 2 V
(V-) + 2
120
108
138
138
(V+) – 2
V
dB
dB
3.5
3
3
0.4
NVP -P
nVrms
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
±2.5
见典型特征
±2.5
见典型特征
±10
nA
±10
nA
dc
F = 1千赫，R
L
= 5 kΩ
V
S
= ±2.5 V至± 18 V
±5
±10
±0.1
±0.5
0.2
0.2
110
±2.1
±100
±250
V
V
μV/°C
V/V
μV /月
V/V
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
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3
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电气特性（续）
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 5 V至± 15 V ，R
L
= 10千欧（除非另有说明） 。
参数
T
A
= -55 ° C至125°C
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
–55
–55
–65
125
125
150
°C
°C
°C
测试条件
I
O
= 0 A
民
典型值
最大
±4.30
单位
mA
xxx
1000000
估计寿命（小时）
100000
10000
1000
125
130
135
140
145
150
连续T
J
(
°
C)
A.
B.
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
硅的工作寿命的设计目标是在105℃的结温10年（不包括封装互连
生活） 。
图1. OPA2227 -EP引线键合寿命减额图
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