OPA2211-HT
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SBOS684A - 2013年8月 - 修订2013年8月
1.1纳伏/ √Hz的噪声，低功耗，精密运算放大器
检查样品：
OPA2211-HT
1
特点
低电压噪声： 1.1纳伏/ √Hz的在1 kHz
输入电压噪声：
80纳伏
PP
（0.1赫兹至10赫兹）
THD + N ： -136dB （G = 1 ， F = 1千赫）
失调电压： 350
μV
（最大）
失调电压漂移： 0.35
μV/°C
（典型值）
低电源电流：6毫安/通道（最大值）
单位增益稳定
增益带宽积：
80兆赫（G = 100 ）
45兆赫（G = 1）
压摆率： 27 V / μs的
16位建立： 700纳秒
宽电源范围：
± 2.25 V至± 18 V ， 4.5 V至36 V
轨到轨输出
输出电流： 30毫安
2
应用
潜孔钻
高温度环境下
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端（ -55°C / 150 ° C）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅（芯片）解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
自定义的温度范围内工作
(1)
描述
该OPA2211是一款高精度运算放大器，实现了非常低的1.1纳伏/ √Hz的噪声密度与供应
电流仅为3.6毫安。该器件还提供轨到轨输出摆幅，从而最大限度地提高动态范围。
该OPA2211的极低电压和低电流噪声，高速，宽输出摆幅使这
设备的理想选择作为PLL应用的环路滤波器放大器。
在高精度数据采集应用， OPA2211提供700纳秒的建立时间，以16位精度
在整个10 V输出摆幅。这种交流性能，再加上只有240 μV失调电压和
0.35 μV/ ℃的漂移的整个温度范围内，使OPA2211适合于驱动高精度的16位模拟 - 数字
转换器（ADC ）或缓冲的高分辨率数字 - 模拟转换器的输出器（DAC ） 。
该OPA2211规定在± 2.25 V的宽双电源电压范围为± 18 V ，或单电源
从4.5 V至36 V的操作
该运算放大器从T指定
J
= -55 ° C至150 ℃。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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输入电压噪声密度与频率
100
电压噪声密度（NV /
√Hz的
)
10
1
0.1
1
10
100
频率（Hz）
1k
10k
100k
表1.订购信息
(1)
T
J
-55_C到150_C
(1)
包
PWP
订购型号
OPA2211SPWP
顶部端标记
OP2211S
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
价值
电源电压
输入电压
输入电流（除电源引脚的任何引脚）
输出短路
(2)
单位
V
V
mA
连续
°C
°C
V
V
V
S
= (V+) – (V–)
40
（ V - ） - 0.5- （V +） + 0.5
±10
-65 + 165
-55 + 165
3000
1000
储存温度， （T
S
)
结温， （T
J
)
ESD额定值
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
短路到V
S
/ 2 （地面对称双电源设置） ，每包一个放大器。
2
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热信息
OPA2211-HT
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
PWP
20针
41.2
21.4
23.9
1.1
23.7
1.1
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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引脚配置
PWP封装
（ TOP VIEW ）
OUTA
NC
NC
-INA
NC
NC
INA +
NC
V-
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
散热垫
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
NC
NC
V+
NC
NC
OUTB
NC
+ INB
-INB
4
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电气特性： V
S
= ± 2.25V至±18V
粗体
限额适用于特定的温度范围内，T
J
= -55 ° C至+ 150°C 。
在T
J
= + 25 ° C，R
L
= 10kΩ的连接到中间电源电压，V
CM
= V
OUT
=中间电源，除非另有说明。
标准级
OPA2211
参数
失调电压
输入失调电压
过温
漂移
VS电源
过温
输入偏置电流
输入偏置电流
过温
失调电流
过温
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
e
n
F = 0.1Hz至10Hz的
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
输入电流噪声密度
I
n
F = 10Hz的
F = 1kHz时
输入电压范围
共模电压范围
(1)
V
CM
V
S
≥
±5V
V
S
< ± 5V
共模抑制比
CMRR
V
S
≥
±5V, (V–) + 2V
≤
V
CM
≤
(V+) – 2V
V
S
< ± 5V ， （ V-） + 2V
≤
V
CM
≤
(V+) – 2V
输入阻抗
迪FF erential
共模
开环增益
开环电压增益
A
OL
A
OL
过温
频率响应
增益带宽积
GBW
G = 100
G=1
压摆率
建立时间， 0.01 ％
0.0015％ （ 16位）的
过载恢复时间
总谐波失真+噪声
THD + N
SR
t
S
V
S
= ± 15V ，G = -1 ， 10V步骤，C
L
= 100pF的
V
S
= ± 15V ，G = -1 ， 10V步骤，C
L
= 100pF的
G = –10
G = 1 ， F = 1kHz时，
V
O
= 3V
RMS
, R
L
= 600
80
45
27
400
700
500
0.000015
–136
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
ns
%
dB
A
OL
(V–) + 0.2V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.2V,
R
L
= 10k
(V–) + 0.6V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.6V,
R
L
= 600
(V–) + 0.6V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.6V,
I
O
≤
15mA
114
110
100
130
114
dB
dB
dB
20k || 8
10 || 2
9
条件
民
典型值
最大
单位
V
OS
V
S
= ±15V
±50
±175
±350
μV
V
μV/°C
dV
OS
/ DT
PSRR
V
S
= ± 2.25V至±18V
0.35
0.1
1
3
μV/V
μV/V
I
B
V
CM
= 0V
±60
±215
±350
nA
nA
nA
nA
I
OS
V
CM
= 0V
±25
±120
±200
80
2
1.4
1.1
3.2
1.7
nV
PP
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
(V–) + 1.8
(V–) + 2
114
106
120
120
(V+) – 1.4
(V+) – 1.4
V
V
dB
dB
|| pF的
|| pF的
(1)
的OPA2211 -HT不旨在被用作一个比较器，由于其有限差分输入范围的能力。参阅
输入
保护
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