OPA211-EP
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SBOS638 - 2012年6月
1.1nV / √Hz的噪声，低功耗，精密
运算放大器连接器
检查样品：
OPA211-EP
1
特点
低电压噪声： 1.1nV / √Hz的在1kHz
输入电压噪声：
80nV
PP
（ 0.1Hz至10Hz的）
THD + N ： -136dB （G = 1 ， F = 1kHz时）
失调电压： 180μV （最大值）
失调电压漂移： 0.35μV / ° C（典型值）
低电源电流： 3.6毫安/通道（典型值）
单位增益稳定
增益带宽积：
为80MHz （G = 100 ）
为45MHz （G = 1 ）
压摆率： 27V / μs的
16位建立： 700ns
宽电源范围：
± 2.25V至±18V ， + 4.5V至+ 36V
轨到轨输出
输出电流： 30毫安
2
应用
PLL环路滤波器
低噪声，低功率信号
处理
16位ADC驱动器
DAC输出放大器
主动滤池
低噪声仪表放大器
超声放大器
专业音频前置放大器
低噪声频率合成器
红外探测器放大器
水听器放大器
地震检波器放大器
医
支持国防，航天，
和医疗应用
(1)
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品- CHANGE
NOTI科幻阳离子
产品可追溯性
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
描述
该OPA211系列精密运算放大器实现了非常低的1.1nV / √Hz的噪声密度与供应
目前只有3.6毫安的。该系列还提供轨到轨输出摆幅，从而最大限度地提高动态范围。
极低的电压和低电流噪声，高速，和OPA211系列彩妆的宽输出摆幅
这些设备的最佳选择作为PLL应用的环路滤波器放大器。
在高精度数据采集应用， OPA211系列运算放大器提供700ns的建立时间为16位
整个10V输出摆幅的准确性。这种交流性能，再加上只有125μV失调和
温度漂移的0.35μV / ℃，使得OPA211适用于驱动高精度的16位模拟 - 数字
转换器（ADC ）或缓冲的高分辨率数字 - 模拟转换器的输出器（DAC ） 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2012，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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该OPA211规定在± 2.25V的宽双电源电压范围为± 18V ，或单电源工作
从+ 4.5V至+ 36V 。
该OPA211是采用小型MSOP - 8封装。该运算放大器从T指定
A
= -55 ° C至+ 125°C 。
输入电压噪声密度与频率
100
电压噪声密度（NV /
√Hz的
)
10
1
0.1
1
10
100
频率（Hz）
1k
10k
100k
封装/订购信息
(1)
T
A
-55 ° C至125°C
(1)
包
MSOP - 8 - DGK
订购零件
数
OPA211MDGKTEP
包装标志
OBCM
VID号
V62/12619-01XE
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
销刀豆网络gurations
OPA211
MSOP-8
NC
(1)
1
2
3
4
8
7
6
5
关闭
V+
OUT
NC
(1)
(2)
-IN
+ IN
V-
(1)
(2)
NC表示没有内部连接。
关机功能：
设备启用： （ V-）
≤
V
关闭
≤
(V+) – 3V
设备停用： V
关闭
≥
(V+) – 0.35V
2
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
价值
电源电压
输入电压
输入电流（除电源引脚的任何引脚）
输出短路
(2)
单位
V
V
mA
连续
°C
°C
°C
V
V
V
S
= (V+) – (V–)
40
（ V - ） - 0.5- （V +） + 0.5
±10
工作温度
储存温度
结温
ESD额定值
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
(T
A
)
(T
A
)
(T
J
)
-55到+125
-65到+150
200
3000
1000
(1)
(2)
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
短路到V
S
/ 2 （地面对称双电源设置） ，每包一个放大器。
热信息
OPA211
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
DGK
8引脚
184.9
71.2
104.9
11.5
103.4
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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3
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电气特性： V
S
= ± 2.25V至±18V
粗体
限额适用于特定的温度范围内，T
A
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 10kΩ的连接到中间电源电压，V
CM
= V
OUT
=中间电源，除非另有说明。
参数
失调电压
输入失调电压
过温
漂移
VS电源
过温
输入偏置电流
输入偏置电流
失调电流
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
e
n
F = 0.1Hz至10Hz的
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
输入电流噪声密度
I
n
F = 10Hz的
F = 1kHz时
输入电压范围
共模电压范围
V
CM
V
S
≥
±5V
V
S
< ± 5V
共模抑制比
CMRR
V
S
≥
±5V, (V–) + 2V
≤
V
CM
≤
(V+) – 2V
V
S
< ± 5V ， （ V-） + 2V
≤
V
CM
≤
(V+) – 2V
输入阻抗
迪FF erential
共模
开环增益
开环电压增益
A
OL
A
OL
过温
A
OL
A
OL
频率响应
增益带宽积
GBW
G = 100
G=1
压摆率
建立时间， 0.01 ％
0.0015％ （ 16位）的
过载恢复时间
总谐波失真+噪声
THD + N
SR
t
S
V
S
= ± 15V ，G = -1 ， 10V步骤，C
L
= 100pF的
V
S
= ± 15V ，G = -1 ， 10V步骤，C
L
= 100pF的
G = –10
G = 1 ， F = 1kHz时，
V
O
= 3V
RMS
, R
L
= 600
80
45
27
400
700
500
0.000015
–136
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
ns
%
dB
(V–) + 0.2V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.2V,
R
L
= 10k
(V–) + 0.6V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.6V,
R
L
= 600
(V–) + 0.6V
≤
V
O
≤
(V+) – 0.6V,
I
O
≤
15mA
(V–) + 0.6V
≤
V
O
≤
(V+)–0.6V,
15毫安<我
O
≤
30mA
114
110
110
103
130
114
dB
dB
dB
dB
20k || 8
10 || 2
9
条件
民
典型值
最大
单位
V
OS
V
S
= ±15V
±20
±100
±180
μV
V
μV/°C
dV
OS
/ DT
PSRR
V
S
= ± 2.25V至±18V
0.35
0.1
0.5
3
μV/V
μV/V
I
B
I
OS
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V
±50
±20
±200
±150
nA
nA
80
2
1.4
1.1
3.2
1.7
nV
PP
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
(V–) + 1.8
(V–) + 2
114
108
120
120
(V+) – 1.4
(V+) – 1.4
V
V
dB
dB
|| pF的
|| pF的
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电气特性： V
S
= ± 2.25V至±18V （续）
粗体
限额适用于特定的温度范围内，T
A
= -55 ° C至+ 125°C 。
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 10kΩ的连接到中间电源电压，V
CM
= V
OUT
=中间电源，除非另有说明。
参数
产量
电压输出
V
OUT
R
L
= 10kΩ的，A
OL
≥
114dB
R
L
= 600, A
OL
≥
110dB
I
O
< 15毫安，A
OL
≥
110dB
短路电流
容性负载驱动
开环输出阻抗
关闭
关断引脚输入电压
(1)
设备停用（关闭）
设备启用
关断引脚漏电流
开启时间
打开-O FF时间
(2)
(2)
条件
民
典型值
最大
单位
(V–) + 0.2
(V–) + 0.6
(V–) + 0.6
+30/–45
(V+) – 0.2
(V+) – 0.6
(V+) – 0.6
V
V
V
mA
pF
I
SC
C
负载
Z
O
F = 1MHz的
SEE
典型特征
5
(V+) – 0.35
(V+) – 3
1
2
3
V
V
μA
μs
μs
20
μA
关断电流
电源
额定电压
静态电流
（每通道）
过温
温度范围
工作范围
热阻
θ
JA
V
S
I
Q
关闭（禁用）
1
±2.25
I
OUT
= 0A
3.6
±18
4.5
6
V
mA
mA
T
A
–55
+125
°C
200
° C / W
(1)
(2)
当关闭时，输出呈高阻状态。
SEE
典型特征
曲线，
图42
通过
图44 。
1000000
100000
估计寿命（小时）
10000
1000
125
130
135
140
145
150
连续T
J
(°C)
A.
B.
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
硅的工作寿命的设计目标是在105℃的结温10年（不包括封装互连
生活） 。
图1. OPA211 -EP引线键合寿命减额图
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5
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