OPA
124
OPA124
低噪音精密
差动
运算放大器连接器
特点
q
低噪音： 6nV /
√
赫兹（ 10kHz时）
q
低偏置电流： 1pA的最大
q
低失调： 250
V最大
q
低漂移： 2
V/
°
C（最大值）
q
高开环增益： 120分贝分钟
q
高共模抑制比：
100分贝分钟
q
提供8引脚塑料DIP
和8引脚SOIC封装
基板
APPLICA
系统蒸发散
q
精密光电二极管前置放大器
q
医疗设备
q
光电
q
数据采集
q
测试设备
描述
该OPA124是一款高精度单片式FET操作
使用tional放大器
差动
（介电隔离）
制造工艺。出色的直流和交流per-
能特性使得它在大多数使用
关键的仪器仪表应用。
偏置电流，噪声，电压失调，漂移，开环
增益，共模抑制和电源重
jection优于BIFET和CMOS放大器。
差动
制造实现了极低的输入偏置
电流不会影响输入电压噪声
性能。低输入偏置电流保持
在很宽的输入共模电压范围
独特的共源共栅电路。这个共源共栅的设计也
允许高精度输入规格，降低
易患闪烁噪声。 thin-的激光微调
薄膜电阻给出极低的失调和漂移。
相比于流行的OPA111 ， OPA124的给
相当的性能，并提供8引脚
PDIP和8引脚SOIC封装。
BIFET
美国国家半导体公司，
差动
的Burr-Brown公司
+V
CC
7
8
In
2
+ IN
3
无噪声共源共栅
(2)
产量
6
TRIM
(1)
1
TRIM
(1)
5
2k
2k
–V
CC
4
10k
2k
2k
10k
OPA124简化电路
注： （ 1 ）略上SOIC 。 （ 2 ）专利。
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111
互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132
1993的Burr-Brown公司
PDS-1203C
1
印刷于1998年U.S.A.三月
OPA124
特定网络阳离子
电动
在V
CC
=
±15VDC
和T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
OPA124U ，P
参数
输入噪声
电压，女
O
= 10Hz的
(4)
f
O
= 100Hz的
(4)
f
O
= 1kHz时
(4)
f
O
= 10kHz的
(5)
f
B
= 10Hz到10kHz的
(5)
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
目前，女
B
= 0.1Hz至10Hz的
f
O
=为0.1Hz通20kHz的
失调电压
(1)
输入失调电压
与温度
电源抑制
与温度
偏置电流
(1)
输入偏置电流
失调电流
(1)
输入失调电流
阻抗
迪FF erential
共模
电压范围
共模输入范围
共模抑制
与温度
开环增益，直流
开环电压增益
频率响应
单位增益小信号
全功率响应
压摆率
THD
建立时间， 0.1 ％
0.01%
过载恢复，
50 ％过载
(2)
额定输出
电压输出
电流输出
输出电阻
负载电容的稳定性
短路电流
电源
额定电压
电压范围，降额
目前，静态
温度范围
规范
存储
θ
结到环境： PDIP
SOIC
T
规格相同OPA124U ，P
注： （1 ）偏置电压，偏置电流和偏置电流的测量用充分预热的单位。为了提高性能，在其他温度下见典型性能
曲线。 （2）过载恢复被定义为从饱和之后除去50％的输入过驱动的，返回到线性操作所需的输出的时间。
（ 3 ）为了提高性能，在其他温度下见典型性能曲线。 （4 ）样品进行测试，98 ％可信。 （ 5 ）设计保证。
±10
92
86
106
V
CM
= 0VDC
T
A
= T
民
给T
最大
V
CC
=
±10V
to
±18V
T
A
= T
民
给T
最大
V
CM
= 0VDC
V
CM
= 0VDC
条件
民
典型值
40
15
8
6
0.7
1.6
9.5
0.5
±200
±4
110
100
±1
±1
10
13
|| 1
10
14
|| 3
±11
110
100
125
1.5
32
1.6
0.0003
6
10
5
±11
±5.5
±12
±10
100
1000
40
±15
2.5
–25
–65
90
100
T
T
T
94
T
T
最大
80
40
15
8
1.2
3.3
15
0.8
±800
±7.5
90
86
±5
±5
民
OPA124UA ， PA
典型值
T
T
T
T
T
T
T
T
±150
±2
T
T
±0.5
±0.5
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±18
3.5
+85
+125
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
100
90
120
最大
T
T
T
T
T
T
T
T
±500
±4
100
90
±2
±1
民
OPA124PB
典型值
T
T
T
T
T
T
T
T
±100
±1
T
T
±0.35
±0.25
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
最大
T
T
T
T
T
T
T
T
±250
±2
单位
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μVRMS
μVp -P
FAP -P
FA / √Hz的
V
μV/°C
dB
dB
pA
pA
|| pF的
|| pF的
V
dB
dB
dB
兆赫
千赫
V / μs的
%
s
s
s
V
mA
pF
mA
VDC
VDC
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
88
84
±1
±0.5
V
IN
=
±10VDC
T
A
= T
民
给T
最大
R
L
≥
2k
20Vp - P，R
L
= 2k
V
O
=
±10V,
R
L
= 2k
增益= -1 ，R
L
= 2k
10V步
增益= -1
R
L
= 2k
V
O
=
±10VDC
直流开环
增益= 1
16
1
T
T
T
T
10
T
T
±5
I
O
= 0mADC
T
民
和T
最大
OPA124
2
连接图
顶视图
DIP
顶视图
SOIC
偏移微调
In
+ IN
–V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
基板
+V
S
产量
偏移微调
NC
In
+ IN
–V
S
1
2
3
4
NC =无连接
8
7
6
5
基板
+V
S
产量
NC
封装/订购信息
包
图号
(1)
182
006
182
006
006
温度
范围
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
BIAS
当前
pA的，最大
5
5
2
2
1
OFFSET
漂移
V/
°
C，最大值
7.5
7.5
4
4
2
产品
OPA124U
OPA124P
OPA124UA
OPA124PA
OPA124PB
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据表，或的Burr-Brown IC数据手册附录C的结束。
绝对最大额定值
(1)
供应................................................. ..........................................
±18VDC
内部功耗
(2)
.................................................. 750MW .......
差分输入电压
(3)
..........................................................
±36VDC
输入电压范围
(3)
.................................................................
±18VDC
存储温度范围.......................................... -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围....................................... -40 ° C至+ 125 °
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
输出短路持续时间
(4)
...............................................连续
结温................................................ .................... + 175℃
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
（ 2 ）包装必须降低基础
θ
JA
=为PDIP和100 90 ° C / W ° C / W
对于SOIC 。 （3）为供给电压小于
±18VDC,
最大绝对
输入电压等于+ 18V > V
IN
> -V
CC
- 6V 。见图2 （ 4 ）短路
可能是电源供应只普通。评级适用于+ 25 °C的环境。
观察功耗限制和T
J
.
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
OPA124
QQ：2881677436 复制
