硅光电晶体管和达林顿照片
在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
产品特点：
高感光度照片
快速响应时间
0805封装尺寸
光电晶体管或照片达林顿输出
不透明的或清澈的水平镜头的选择
OP501,DA
OP500,DA
描述：
这些设备都包括一个NPN硅光电晶体管安装在一个小型SMT封装， 0805的
尺寸芯片载体，它与大多数自动安装和位置传感设备兼容。
两
OP500 ， OP500DA
和
OP501 ， OP501DA
具有平坦的透镜。
OP501
和
OP501DA
具有不透明透镜
屏蔽设备杂散光，而
OP500
和
OP500DA
有水质清澈的镜头。所有器件都具有
宽视野的接收角和较高的集电极电流要比器件无镜片特别是对
OP500DA
和
OP501
其中包含的照片达林顿死，而不是在标准晶体管。
OP500 ， OP501 ， OP500DA
和
OP501DA
被机械和光谱匹配到OP200系列红外
LED指示灯。
应用范围：
非接触式位置感测
基准检测
机械自动化
光学编码器
产品型号
OP500
OP501
OP500DA
OP501DA
订购信息
传感器
PHOTOTRANSISTOR
达林顿照片
视角
150°
不适用
150°
导线长度
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
OP500
OP501
1
OP500DA
OP501DA
1
传感器
骰子
2
集热器
2
针＃晶体管
1
2
集热器
辐射源
推荐焊盘模式
2a
RoHS指令
湿气
欧思保留对以改进设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。
OPTEK科技有限公司 -
1645华莱士驱动，卡罗顿，得克萨斯州75006
电话： （ 972 ） 323-2200或（ 800 ） 341-4747
传真： （ 972 ） 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
问题A.4 02/09
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硅光电晶体管和达林顿照片
在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度
(1)
集电极 - 发射极电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
发射极 - 集电极电压
集电极电流
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
功耗
(2)
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
-40
o
C至+100
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
260° C
30 V
35 V
5V
20毫安
32毫安
75毫瓦
100毫瓦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
输入二极管
I
C（ ON）
通态集电极电流
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
集电极 - 发射极饱和电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
发射极 - 集电极击穿电压
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
上升和下降时间
OP500 ， OP501
OP500DA ， OP501DA
0.1
10.0
-
-
-
30
35
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.3
1.0
100
-
V
CE
= 5.0 V，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
V
CE
= 5.0 V，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
I
C
= 100 μA ，E
E
= 1.0毫瓦/平方厘米
2 (3)
I
C
= 1毫安，E
E
= 0.15毫瓦/平方厘米
2 (3)
V
CC
= 5.0 V
(4)
I
C
= 100 μA ，E
E
= 0
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
mA
V
CE （ SAT ）
I
首席执行官
V
BR （ CEO）
V
nA
V
V
BR （ ECO ）
-
-
15
50
-
-
-
60
V
I
E
= 100 μA ，E
E
= 0
I
C
= 100 μA ，E
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
L
= 1K
I
C
= 1毫安，R
L
= 1K
t
r,
t
f
s
注意事项：
1.焊接时间不超过5秒，在极端的温度。
2.线性降额在2.17毫瓦/ ° C以上25 ° C。
3.光源是未过滤的GaAs为935纳米的峰值发射波长和辐射强度水平而变化较少LED
比过光电晶体管的整个镜片表面的10％被测试。
4.计算典型集电极暗电流μA ，采用制定我
首席执行官
= 10
(0.04 t - )
，其中t
A
为环境温度，单位为° C。
欧思保留对以改进设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。
A.4问题
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OPTEK科技有限公司 -
1645华莱士驱动，卡罗顿，得克萨斯州75006
电话： （ 972 ） 323-2200或（ 800 ） 341-4747
传真： （ 972 ） 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
硅光电晶体管和达林顿照片
在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
相对响应与波长
100%
80%
相对响应
60%
OP500,
OP500DA
40%
OP501,
OP501DA
20%
0%
400
500
600
700
800
900
1000 1100
波长（nm ）
OP500 ， OP501
相导通状态集电极电流 -
IC （MA ）
与集电极 - 发射极电压-V
CE
(V)
2.00
1.80
3毫瓦/平方厘米
2
集电极 - 发射极暗电流
与温度的关系-T
A
1000
条件：电子
e
= 0毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 10V
I
C（ ON）
- 通态集电极电流（mA ）
集电极 - 发射极暗电流（ NA）
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
1
2
3
0.5毫瓦/平方厘米
2
1.0毫瓦/平方厘米
2
2.5毫瓦/平方厘米
2
2毫瓦/平方厘米
2
100
10
1.5毫瓦/平方厘米
2
1
0
-25
0
25
50
75
100
4
5
温度（℃）
集电极 - 发射极电压（ V）
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硅光电晶体管和达林顿照片
在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
OP500 ， OP501
相对的通态集电极电流
与辐照-EE （毫瓦/平方厘米
2
)
160%
140%
归列于网上
e
= 5毫瓦/平方厘米
2
条件： V
CE
= 5V,
λ
= 935nm ，T
A
= 25 °C
相对的通态集电极电流IC （MA ）
与温度的关系-T
A
140%
130%
归AT＆T
A
= 25°C .
条件： V
CE
= 5V,
λ
= 935nm ，T
A
= 25 °C
相对集电极电流
120%
100%
80%
60%
40%
20%
相对集电极电流
5.0
6.0
7.0
8.0
120%
110%
100%
90%
80%
70%
0
1.0
2.0
3.0
4.0
-25
0
25
50
75
100
EE -辐照度（毫瓦/平方厘米
2
)
温度（℃）
OP500DA ， OP501DA
集电极 - 发射极暗电流
与温度的关系-T
A
1000
相导通状态集电极电流 -
IC （MA ）
与集电极 - 发射极电压-V
CE
(V)
30
1.2毫瓦/平方厘米
2
I
C（ ON）
- 通态集电极电流（mA ）
条件：电子
e
= 0毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 10V
集电极 - 发射极暗电流（ NA）
25
20
1.0毫瓦/平方厘米
2
100
0.8毫瓦/平方厘米
2
17.5
0.6毫瓦/平方厘米
2
10
15.0
0.4毫瓦/平方厘米
2
1
12.5
10.0
0.2毫瓦/平方厘米
2
0
-25
0
25
50
75
100
0
0.5
1.0
1.5
2.5
3
温度（℃）
集电极 - 发射极电压（ V）
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在小型0805 SMD封装
OP500 ， OP501 ， OP500DA ， OP501DA
OP500DA ， OP501DA
相对的通态集电极电流
与辐照-EE （毫瓦/平方厘米
2
)
160%
140%
120%
100%
80%
60%
40%
归列于网上
e
= 1毫瓦/平方厘米
2
条件： V
CE
= 5V,
λ
= 935nm ，T
A
= 25 °C
相对的通态集电极电流IC （MA ）
与温度的关系-T
A
140%
130%
归AT＆T
A
= 25°C .
条件： V
CE
= 5V,
相对集电极电流 - ％
相对集电极电流 - ％
0.50
1.0
1.5
2.0
120%
110%
100%
90%
80%
70%
0
-25
0
25
50
75
100
Irradiance-夷（毫瓦/平方厘米
2
)
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