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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符O型号页 > 首字符O的型号第172页 > OP496
a
特点
轨至轨输入和输出摆幅
低功耗： 60 A /放大器
增益带宽积： 450千赫
单电源供电： +3 V至+12 V
低失调电压： 300 V最大
高开环增益： 500 V / MV
单位增益稳定
无相位反转
应用
电池监控
传感器调理
便携式电源控制
便携式仪表
微功耗，轨到轨输入和输出
运算放大器
OP196/OP296/OP496
销刀豆网络gurations
8引脚窄体SO
空1
-IN A 2
+ IN A 3
V– 4
8 NC
8引脚塑料DIP
OP196
7 V+
6 OUT A
5 NULL
空1
-IN一
2
OP196
8 NC
7 V+
6 OUT A
5 NULL
+ IN A 3
V–
4
NC =无连接
NC =无连接
8引脚窄体SO
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
8 V+
8引脚塑料DIP
OP296
7 OUT B
6 -IN B
5 + IN B
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V– 4
OP296
8
V+
7 OUT B
6 -IN B
5 + IN B
概述
V– 4
对采用CBCMOS运算放大器的特点OP196系列
微操作和轨到轨输入和输出范围。
极低的功耗要求，并保证操作
从化+3 V至+12 V使这些放大器非常适合
监控电池使用情况和控制电池充电。其
动态性能，包括26纳伏/ √Hz的电压噪声
密度，建议他们为电池供电的音频应用
系统蒸发散。容性负载为200 pF的是无振荡处理。
该OP196 / OP296 / OP496都规定在延长热
工业级（-40 ° C至+ 125 ° C）温度范围。 +3 V操作
化工作在0 ° C至+ 125 °C温度范围。
单OP196和双OP296采用8引脚可用
塑料DIP和SO- 8表面贴装封装。四
OP496提供14引脚塑料DIP和窄SO- 14可
表面贴装封装。
14引脚窄体SO
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
+V 4
+ IN B 5
-IN B 6
OUT B 7
14输出D
13 -IN
12 + D中
8引脚TSSOP
1
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
4
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
5
OP296
14引脚塑料DIP
OUT A 1
-IN一
2
14输出D
13 -IN
12 + D中
OP496
11 V–
10 + IN C
9 -IN
8输出C
+ IN A 3
+V 4
+ IN B 5
-IN B
6
OP496
11
V–
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
OUT B 7
14引脚TSSOP
（ RU后缀）
1
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
14
输出D
-IN
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
8
OP496
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
7
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
OP196/OP296/OP496–SPECIFICATIONS
电气规格
(@ V = +5.0 V, V
S
CM
= +2.5 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
±
20
+5.0
参数
输入特性
失调电压
符号
V
OS
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
OP296H ， OP496H
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
0 V
≤
V
CM
≤
5.0 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k,
0.30 V
≤
V
OUT
≤
4.7 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= –100
A
I
L
= 1毫安
I
L
= 2毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -2毫安
单位
V
V
V
mV
nA
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1.5
0
共模抑制比
大信号电压增益
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
65
dB
150
200
550
1
1.5
2
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
V
V
mV
mV
mV
mA
V
OH
V
OL
I
OUT
PSRR
I
SY
4.85
4.30
输出电压摆幅低
输出电流
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
4.92
4.56
4.1
36
350
750
±
4
70
550
±
2.5 V
≤
V
S
≤ ±6
V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
OUT
= 2.5 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
85
45
0.3
350
47
0.8
26
0.19
60
80
dB
A
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
2
偏移电压漂移的-40 ° C至+ 25°C三角洲和+ 25 ° C至+ 125°C增量的平均值。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
OP196/OP296/OP496
电气规格
参数
输入特性
失调电压
V
OS
(@ V
S
= +3.0 V, V
CM
= +1.5 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
OP296H ， OP496H
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
+3.0
符号
单位
V
V
V
mV
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1
0
共模抑制比
大信号电压增益
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
电源
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
0 V
≤
V
CM
≤
3.0 V,
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= 100
A
I
L
= –100
A
V
OUT
= 1.5 V ，R
L
=
∞
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
60
80
200
550
1
1.5
2
dB
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
mV
A
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
OH
V
OL
I
SY
2.85
70
40
60
80
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
0.25
350
45
0.8
26
0.19
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
2
失调电压漂移是在0°C ，平均到+ 25°C三角洲和+ 25 ° C至+ 125°C的增量。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
–3–
OP196/OP296/OP496
电气规格
(@ V = +12.0 V, V
S
CM
= 6 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
±
15
+12
参数
输入特性
失调电压
符号
V
OS
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
OP296H ， OP496H
0°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
0 V
≤
V
CM
≤
+12 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= 100
A
I
L
= 1毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -1毫安
V
OUT
= 6 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
单位
V
V
V
mV
nA
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1
0
共模抑制比
大信号电压增益
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电流
电源
每个放大器器电源电流
电源电压范围
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
65
300
1000
550
1
1.5
2
dB
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
V
mV
mV
mA
A
A
V
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
OH
V
OL
I
OUT
I
SY
V
S
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
11.85
11.30
±
4
70
550
+3
R
L
= 100 k
0.3
450
50
0.8
26
0.19
60
80
+12
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
2
偏移电压漂移的-40 ° C至+ 25°C三角洲和+ 25 ° C至+ 125°C增量的平均值。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
版本B
OP196/OP296/OP496
绝对最大额定值
1
订购指南
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
包
描述
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
包
选项
N-8
SO-8
N-8
SO-8
RU-8
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15 V
输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP196G ， OP296G ， OP496G ，H 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
结温范围
P，S ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
14引脚塑料DIP
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
3
JA
JC
模型
OP196GP
OP196GS
OP296GP
-40 ° C至+ 125°C
OP296GS
-40 ° C至+ 125°C
OP296HRU -40 ° C至+ 125°C
OP496GP
-40 ° C至+ 125°C
OP496GS
-40 ° C至+ 125°C
OP496HRU -40 ° C至+ 125°C
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
14引脚塑料DIP N-14
14引脚SOIC
SO-14
14引脚TSSOP
RU-14
103
158
240
83
120
180
43
43
43
39
36
35
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
供的电源电压低于15伏，绝对值最大输入电压为
等于电源电压。
3
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
为特定网络版的设备
插座P- DIP封装;
θ
JA
被指定为设备钎焊在电路板
对于SOIC和TSSOP封装。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然OP196 / OP296 / OP496配备专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，每亲
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
a
特点
轨至轨输入和输出摆幅
低功耗： 60 A /放大器
增益带宽积： 450千赫
单电源供电： 3 V至12 V
低失调电压： 300 V最大
高开环增益： 500 V / MV
单位增益稳定
无相位反转
应用
电池监控
传感器调理
便携式电源控制
便携式仪表
微功耗，轨到轨输入和输出
运算放大器
OP196/OP296/OP496
销刀豆网络gurations
8引脚窄体SO
空1
-IN A 2
+ IN A 3
V– 4
8 NC
8引脚窄体SO
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V– 4
8 V+
OP196
7 V+
6 OUT A
5 NULL
OP296
7 OUT B
6 -IN B
5 + IN B
NC =无连接
8引脚TSSOP
1
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
4
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
5
8引脚塑料DIP
OP296
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V– 4
OP296
8
V+
7 OUT B
6 -IN B
5 + IN B
概述
对采用CBCMOS运算放大器的特点OP196系列
微操作和轨到轨输入和输出范围。
极低的功耗要求，并保证操作
从化3 V至12 V使这些放大器非常适合
监控电池使用情况和控制电池充电。其
动态性能，包括26纳伏/ √Hz的电压噪声
密度，建议他们为电池供电的音频应用
系统蒸发散。容性负载为200 pF的是无振荡处理。
该OP196 / OP296 / OP496都规定在延长热
工业级（-40 ° C至+ 125 ° C）温度范围。 3 V操作
工作在0 ° C至125 ° C的温度范围内。
单OP196和双OP296采用8引脚可用
SO- 8表面贴装封装。双OP296是可用
8引脚PDIP封装。四通道OP496提供14引脚塑料可
DIP和窄SO- 14表面贴装封装。
14引脚窄体SO
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V+ 4
+ IN B 5
-IN B 6
OUT B 7
14输出D
13 -IN
12 + D中
11 V–
10 + IN C
9 -IN
8输出C
14引脚塑料DIP
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V+ 4
+ IN B 5
-IN B 6
OUT B 7
14输出D
13 -IN
12 + D中
OP496
OP496
11 V–
10 + IN C
9 -IN
8输出C
14引脚TSSOP
（ RU后缀）
1
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
7
14
输出D
-IN
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
8
OP496
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
OP196/OP296/OP496–SPECIFICATIONS
电气规格
(@ V = 5.0 V, V
S
CM
= 2.5 V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
±
20
5.0
参数
输入特性
失调电压
符号
V
OS
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
OP296H ， OP496H
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
单位
V
V
V
mV
nA
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1.5
0
共模抑制比
大信号电压增益
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
0 V
≤
V
CM
≤
5.0 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k,
0.30 V
≤
V
OUT
≤
4.7 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= –100
A
I
L
= 1毫安
I
L
= 2毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -2毫安
65
dB
150
200
550
1
1.5
2
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
V
V
mV
mV
mV
mA
V
OH
V
OL
I
OUT
PSRR
I
SY
4.85
4.30
输出电压摆幅低
输出电流
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
4.92
4.56
4.1
36
350
750
±
4
70
550
±
2.5 V
≤
V
S
≤ ±
6 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
OUT
= 2.5 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
85
45
0.3
350
47
0.8
26
0.19
60
80
dB
A
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压由三个独立的批次进行1000小时的寿命试验在12 5℃的保证的，为1.3的LTPD 。
2
偏移电压漂移的-40 ° C至+ 25°C三角洲和+ 25 ° C至+ 125°C增量的平均值。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
OP196/OP296/OP496
电气规格
参数
输入特性
失调电压
V
OS
(@ V
S
= 3.0 V, V
CM
= 1.5 V，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
0°C
≤
T
A
≤
125°C
OP296H ， OP496H
0°C
≤
T
A
≤
125°C
0
符号
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
3.0
单位
V
V
V
mV
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1
60
80
共模抑制比
大信号电压增益
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
电源
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
0 V
≤
V
CM
≤
3.0 V,
0°C
≤
T
A
≤
125°C
R
L
= 100 k
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= 100
A
I
L
= –100
A
V
OUT
= 1.5 V ，R
L
=
∞
0°C
≤
T
A
≤
125°C
R
L
= 100 k
200
550
1
1.5
2
dB
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
mV
A
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
OH
V
OL
I
SY
2.85
70
40
60
80
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
0.25
350
45
0.8
26
0.19
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压由三个独立的批次进行1000小时的寿命试验在12 5℃的保证的，为1.3的LTPD 。
2
失调电压漂移为0° C至25°C时的增量平均值和25 ° C至125°C的增量。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
–3–
OP196/OP296/OP496
电气规格
(@ V = 12.0 V, V
S
CM
= 6 V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
民
典型值
35
最大
300
650
800
1.2
±
50
±
8
±
15
12
参数
输入特性
失调电压
符号
V
OS
条件
OP196G ， OP296G ， OP496G
0°C
≤
T
A
≤
125°C
OP296H ， OP496H
0°C
≤
T
A
≤
125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
单位
V
V
V
mV
nA
nA
nA
V
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
I
B
I
OS
V
CM
±
10
±
1
0
共模抑制比
大信号电压增益
长期失调电压
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电流
电源
每个放大器器电源电流
电源电压范围
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
CMRR
A
VO
V
OS
V
OS
/T
0 V
≤
V
CM
≤
12 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 k
G级，注1
H级， 1注
G级，注2
H级，注2
I
L
= 100
A
I
L
= 1毫安
I
L
= -1毫安
I
L
= -1毫安
65
300
1000
550
1
1.5
2
dB
V / MV
V
mV
μV/°C
μV/°C
V
V
mV
mV
mA
A
A
V
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
OH
V
OL
I
OUT
I
SY
V
S
SR
英镑
m
e
n
p-p
e
n
i
n
11.85
11.30
70
550
±
4
60
80
12
0.3
450
50
0.8
26
0.19
V
OUT
= 6 V ，R
L
=
∞
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
3
R
L
= 100 k
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压由三个独立的批次进行1000小时的寿命试验在12 5℃的保证的，为1.3的LTPD 。
2
偏移电压漂移的-40 ° C至+ 25°C三角洲和+ 25 ° C至+ 125°C增量的平均值。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
版本C
OP196/OP296/OP496
绝对最大额定值
1
订购指南
模型
OP196GS
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
包
描述
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
包
选项
SO-8
N-8
SO-8
RU-8
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP196G ， OP296G ， OP496G ，H 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
结温范围
P，S ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
套餐类型
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
14引脚塑料DIP
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
3
JA
JC
OP296GP * -40 ° C至+ 125°C
OP296GS
-40 ° C至+ 125°C
OP296HRU -40 ° C至+ 125°C
OP496GP * -40 ° C至+ 125°C
OP496GS
-40 ° C至+ 125°C
OP496HRU -40 ° C至+ 125°C
*
不适用于新的设计，过时的2002年4月。
14引脚塑料DIP N-14
14引脚SOIC
SO-14
14引脚TSSOP
RU-14
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
103
158
240
83
120
180
43
43
43
39
36
35
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
供的电源电压低于15伏，绝对值最大输入电压为
等于电源电压。
3
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
为特定网络版的设备
插座P- DIP封装;
θ
JA
被指定为设备钎焊在电路板
对于SOIC和TSSOP封装。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然OP196 / OP296 / OP496配备专用ESD保护电路，永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此，
适当的ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–5–
微转换器
12位ADC和DAC与
嵌入式高速62 -kB的闪存微控制器
ADuC841/ADuC842/ADuC843
特点
的ADuC812 / ADuC831 / ADuC832的引脚compatable ugrade
增强的性能
单周期20 MIPS 8052内核
高速420 kSPS的12位ADC
增加内存
高达62 KB片上闪存/ EE程序存储器
4千字节的片内Flash / EE数据存储器
在电路可重编程
Flash / EE存储器，百年保留， 100 kCycle耐力
2304字节的片上数据RAM
更小的封装
8毫米× 8毫米芯片规模封装
52引脚PQFP引脚compatable升级
模拟量I / O
8通道， 420 kSPS的测量精度高， 12位ADC
片上15 PPM / ° C极电压参考
DMA控制器，高速ADC到内存捕获
两个12位电压输出DAC
1
双输出PWM Σ- Δ型DAC
片上温度监控功能
基于8052核心
8051兼容的指令集（ 20 MHz的最大值）
高性能的单周期核心
32 kHz的外部晶振，片上可编程PLL
12个中断源，2个优先级
双数据指针，扩展的11位堆栈指针
片上外设
时间间隔计数器（ TIC ）
UART ，我
2
C和SPI串行I / O
看门狗定时器（ WDT ）
电源监视器（ PSM ）
动力
普通：4.5毫安， 3 V （核心CLK = 2.098兆赫）
省电： 10 μA （3 V）
2
开发工具
成本低，综合开发系统
结合非侵入式单引脚仿真，
基于IDE的汇编和C源代码调试
功能框图
ADuC841/ADuC842/ADuC843
12-BIT
DAC
BUF
DAC
1
ADC0
ADC1
T / H
12位ADC
12-BIT
DAC
BUF
DAC
1
MUX
ADC5
ADC6
ADC7
五金
CALIBRATON
温度
传感器
16-BIT
Σ-
DAC
16-BIT
Σ-
DAC
MUX
16-BIT
PWM
PWM1
PWM0
16-BIT
PWM
20 MIPS 8052 BASED额外的MCU
外设
PLL
2
62 KB闪存/ EE程序存储器
4 KB闪存/ EE数据存储器
2304字节的用户内存
3
×
16位定时器
1
×
实时时钟
OSC
4
×
并行
端口
电源MON
看门狗定时器
UART ，我
2
C和SPI
串行I / O
03260-0-001
国内
带隙
VREF
CREF
XTAL1
XTAL2
图1 。
概述
该ADuC841 / ADuC842 / ADuC843是完整的智能
传感器前端，集成了高性能的自
校准多通道ADC ，双DAC和一个优化的
单周期20 MHz的8位MCU （ 8051指令集
兼容）的单个芯片上。
在ADuC841和ADuC842是相同的除外
时钟振荡电路;在ADuC841直接主频
从外部晶体高达20MHz而ADuC842
使用32 kHz晶振与片上PLL生成一个
可编程核心频率高达16.78 MHz的。
该ADuC843是相同的ADuC842除了
ADuC843没有模拟DAC输出。
微控制器是一个优化的8052内核，提供高达
20 MIPS的峰值性能。三个不同的内存选项
可提供高达62千字节非易失性Flash / EE的
程序存储器。四千字节的非易失性Flash / EE数据
扩展RAM存储器， 256字节RAM ，和2千字节的
也集成在芯片上。
（待续
第15页）
应用
光网络，激光功率控制
基站系统
精密仪器仪表，智能传感器
瞬态捕捉系统
DAS和通信系统
1
2
ADuC841 / ADuC842只。
ADuC842 / ADuC843只， ADuC841由外部晶振直接驱动。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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www.analog.com
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2003 ADI公司保留所有权利。
ADuC841/ADuC842/ADuC843
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ .................................. 8
引脚配置和功能描述........................ 9
术语................................................. ................................... 11
ADC规格................................................ .................... 11
DAC规格................................................ ..................... 11
典型性能特征........................................... 12
功能说明................................................ .................. 16
8052指令集............................................... .................... 16
其他单周期核心功能............................................ 18
存储器结构................................................ ............... 19
特殊功能寄存器（SFR ） ............................................ 20
累加器SFR （ ACC ） ............................................. .............. 21
特殊功能寄存器组.............................................. 22
ADC电路信息............................................... ........... 23
校准ADC ............................................... ................... 30
非易失性Flash / EE存储器............................................. .... 31
使用Flash / EE数据存储器............................................ ...... 34
用户界面的片上外设.................................... 38
片上PLL .............................................. ................................. 41
脉宽调制器（ PWM ） ........................................... ... 42
串行外设接口（SPI ） ............................................ ... 45
I
2
C兼容接口............................................... ............ 48
双数据指针............................................... ........................ 51
电源监控............................................... ................ 52
看门狗定时器................................................ ......................... 53
时间间隔计数器（ TIC ） ............................................ ........ 54
8052兼容的片上外设................................... 57
定时器/计数器0和1操作模式.............................. 62
定时器/计数器的工作模式............................................ 64
UART串行接口............................................... ................. 65
SBUF ................................................. ........................................... 65
中断系统................................................ ......................... 70
硬件设计注意事项............................................ 72
其他硬件注意事项.............................................. 76
开发工具................................................ .................... 77
QuickStart开发系统............................................. 77
时序特定网络阳离子
, ,
.................................................................. 78
外形尺寸................................................ ....................... 86
订购指南................................................ ......................... 87
修订历史
修订版0 ：初始版
第0版|第88 2
ADuC841/ADuC842/ADuC843
特定网络阳离子
1
表1. AV
DD
DV
DD
= 2.7 V至3.6 V或4.75 V至5.25 V ; V
REF
= 2.5 V内部基准电压，女
CORE
= 16.78 MHz的@ 5 V 8.38兆赫（3 V） ;
所有特定网络阳离子牛逼
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明
参数
ADC通道规格
DC精度
2, 3
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
单位
测试条件/评论
f
样品
= 120 kHz时，见典型
性能特点的典型
表现在f的其他价值
样品
12
±1
±0.3
+1/–0.9
±0.3
±2
+1.5/–0.9
1
±3
±1
±3
±1
12
±1
±0.3
+1/–0.9
±0.3
±1.5
+1.5/–0.9
1
±2
±1
±2
±1
位
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
f
IN
= 10kHz的正弦波
f
样品
= 120千赫
71
–85
–85
–80
0到V
REF
±1
32
700
–1.4
±1.5
71
–85
–85
–80
0到V
REF
±1
32
700
–1.4
±1.5
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
V
μA（最大值）
pF的典型值
mV的典型
毫伏/°C的典型值
℃，典型值
2.5 V内部参考
2.5 V内部参考
1 V外部基准
1 V外部基准
ADC输入是直流电压
决议
积分非线性
微分非线性
积分非线性
4
微分非线性
4
代码分发
CALIBRATED端点错误
5, 6
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
动态性能
信号 - 噪声比（ SNR）的
7
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声
通道到通道的串扰
8
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
输入电容
温度传感器
9
电压输出在25℃
电压TC
准确性
DAC通道规格
内部缓冲区启用
ADuC841 / ADuC842只有
DC精度
10
决议
相对精度
微分非线性
11
偏移误差
增益误差
增益误差不匹配
模拟输出
电压Range_0
电压Range_1
输出阻抗
内部/外部2.5 V V
REF
DAC负载AGND
R
L
= 10 kΩ的，C
L
= 100 pF的
12
±3
–1
±1/2
±50
±1
±1
0.5
0到V
REF
0到V
DD
0.5
12
±3
–1
±1/2
±50
±1
±1
0.5
0到V
REF
0到V
DD
0.5
位
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
毫伏最大
％最大
％ （典型值）
％ （典型值）
V典型值
V典型值
= （典型值）
保证12位单调性
V
REF
范围
AV
DD
范围
V
REF
范围
％在DAC1满量程的
DAC V
REF
= 2.5 V
DAC V
REF
= V
DD
第0版|第88 3
ADuC841/ADuC842/ADuC843
参数
DAC的交流特性
输出电压建立时间
数模转换毛刺能量
DAC通道规格
12, 13
内部缓冲区禁用ADuC841 / ADuC842只有
DC精度
10
决议
相对精度
微分非线性
11
偏移误差
增益误差
增益误差不匹配
4
模拟输出
电压Range_0
参考输入/输出参考电压输出
14
输出电压（V
REF
)
准确性
电源抑制
参考温度系数
内部V
REF
上电时间
外部基准输入
15
电压范围（Ⅴ
REF
)
4
输入阻抗
输入漏
电源监视器（ PSM ）
DV
DD
触发点的选择范围
V
DD
= 5 V
15
10
V
DD
= 3 V
15
10
单位
微秒（典型值）
用nV-sec （典型值）
测试条件/评论
满量程建立时间内
＆ frac12 ; LSB的终值
1 LSB的变化，在主要进
12
±3
–1
±1/2
±5
±0.5
0.5
0到V
REF
2.5
±10
65
±15
2
1
V
DD
20
1
12
±3
–1
±1/2
±5
±0.5
0.5
0到V
REF
2.5
±10
67
±15
2
1
V
DD
20
1
位
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
毫伏最大
％ （典型值）
％ （典型值）
V典型值
V
毫伏最大
dB典型值
PPM /°C的典型值
毫秒（典型值）
V分钟
V最大
千欧（典型值）
μA（最大值）
保证12位单调性
V
REF
范围
V
REF
范围
％在DAC1满量程的
DAC V
REF
= 2.5 V
V的
REF
在C测
REF
针
T
A
= 25°C
通过内部带隙取消
ADCCON1.6
两个触发点选择在这
范围内通过TPD1-0在编程
只有PSMCON ， 3 V部分
2.93
3.08
±2.5
0
2000
100,000
100
±10
±1
±10
±1
–75
–40
–660
–400
±10
10
105
0
2000
100,000
100
±10
±1
±10
±1
–25
–15
–250
–140
±10
5
35
V分钟
V最大
％最大
MS分钟
ms（最大值）
周期分
多年来分钟
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA分钟
μA（最大值）
DV
DD
电源跳闸点精度
看门狗定时器（ WDT ）
4
超时时间
Flash / EE存储器可靠性的特点
16
耐力
17
数据保留
18
数字输入
输入漏电流（端口0 ， EA ）
逻辑1输入电流
（所有数字输入） ， SDATA ， SCLOCK
逻辑0输入电流（港口1 ， 2 ， 3 ） SDATA ， SCLOCK
逻辑1到逻辑0时电流（端口2和3 ）
RESET
九超时时间可选择在
这个范围
V
IN
= 0 V或V
DD
V
IN
= 0 V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= V
DD
V
IL
= 450毫伏
V
IL
= 2 V
V
IL
= 2 V
V
IN
= 0 V
V
IN
= 5 V ， 3 V内部下拉
V
IN
= 5 V ， 3 V内部下拉
第0版|第88 4
ADuC841/ADuC842/ADuC843
参数
逻辑输入
4
输入电压
所有的输入，除了SCLOCK ， SDATA ，复位和
XTAL1
VINL ，输入低电压
VINH ，输入高电压
SDATA
VINL ，输入低电压
VINH ，输入高电压
SCLOCK和RESET只有
4
（施密特触发输入）
V
T+
V
T–
V
T+
– V
T–
晶体振荡器
逻辑输入，只有XTAL1
V
INL
，输入低电压
V
INH
，输入高电压
XTAL1输入电容
XTAL2输出电容
MCU时钟速率
数字输出
输出高电压（V
OH
)
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
单位
测试条件/评论
0.8
2.0
0.8
2.0
0.4
2.0
0.8
2.0
V最大
V分钟
V最大
V分钟
1.3
3.0
0.8
1.4
0.3
0.85
0.95
0.25
0.4
1.1
0.3
0.85
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
0.8
3.5
18
18
16.78
20
2.4
4
0.4
2.5
18
18
8.38
8.38
V典型值
V典型值
pF的典型值
pF的典型值
兆赫最大
兆赫最大
V分钟
V典型值
V分钟
V典型值
V最大
V典型值
V最大
V最大
μA（最大值）
μA （典型值）
毫秒（典型值）
微秒（典型值）
微秒（典型值）
微秒（典型值）
微秒（典型值）
毫秒（典型值）
毫秒（典型值）
ADuC842 / ADuC843只有
ADuC841只有
V
DD
= 4.5 V至5.5 V
I
来源
= 80 A
V
DD
= 2.7 V至3.3 V
I
来源
= 20 A
I
SINK
= 1.6毫安
I
SINK
= 1.6毫安
I
SINK
= 4毫安
I
SINK
= 8毫安，我
2
启用
2.4
2.6
输出低电压（V
OL
)
ALE ，端口0和2
端口3
SCLOCK / SDATA
浮态泄漏电流
4
启动时间
在上电
从空闲模式
从掉电模式
唤醒与INT0中断
唤醒与SPI / I
2
C语言中断
唤醒与外部RESET
在正常模式下外部复位后
后在正常模式下WDT复位
0.4
0.2
0.4
0.4
±10
±1
500
100
150
150
150
30
3
0.4
0.2
0.4
0.4
±10
±1
500
100
400
400
400
30
3
在任何核心CLK
通过WDCON SFR控制
第0版|第88 5
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