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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符O型号页 > 首字符O的型号第208页 > OP495GS
a
特点
轨到轨输出摆幅
单电源供电： 3 V至+36 V
低失调电压： 300 V
增益带宽积： 75千赫
高开环增益： 1000 V / MV
单位增益稳定
低电源电流/每放大器： 150的最大
应用
电池供电仪器仪表
伺服放大器
传动机构
传感器调理
电源控制
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
双/四路轨到轨
运算放大器
OP295/OP495
引脚连接
8引脚窄体SO
（S后缀）
8
7
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
+ IN A
V–
3
4
6
-IN B
+ IN B
OUT A
-IN一
8引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
1
2
8
7
V+
OUT B
OP295
6
5
OP295
5
14引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
1
2
3
4
5
6
7
14输出D
13 -IN
12 + D中
16引脚SO （ 300英里）
（S后缀）
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16输出D
15 -IN
14 + D中
13 V–
OP495
11
V–
OP495
12 + IN C
11 -IN
10输出C
9
NC
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
概述
-IN B
OUT B
轨到轨输出摆幅结合DC准确度是关键
在OP495四的功能和OP295双采用CBCMOS负荷上
tional放大器。用双极前端，噪音低，
精度比的CMOS设计更高已经实现。
输入和输出范围包括负电源，亲
人们提供了用户“零式/零去”的能力。对于3.3用户
伏系统，如锂电池， OP295 / OP495是
三伏特操作规定。
最大偏移电压，在300指定的
V
为+5伏操作
化，并在开环增益是最小的1000伏/毫伏。这
产量性能，可用于实现高精度的
系统，甚至在单电源设计。
能力摆轨到轨和供应15毫安负载
使得OP295 / OP495的理想驱动器功率晶体管
和“H”桥。这允许设计以实现更高的efficien-
连锁商店和更大的功率传输到负载比以前POS-
达到不使用分立元件。对于应用程序
NC =无连接
这要求驱动感性负载，如变压器，在 -
在效率折痕也是可能的。在驾驶稳定性
容性负载是这样的设计对CMOS的另一个好处
轨到轨放大器。这是用于驱动同轴电缆或有用
大型FET晶体管。该OP295 / OP495是稳定的，在负载
超过300 pF的。
该OP295 OP495和指定在扩展的工业
试验（ -40 ° C至+ 125 ° C）温度范围。 OP295s都可用
能够在8引脚塑料和陶瓷DIP和SO - 8表面贴装
包。 OP495s是14引脚塑料SO- 16可
表面贴装封装。请联系您当地的销售办事处
MIL -STD- 883数据表。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司， 1995年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
OP295/OP495–SPECIFICATIONS
电气特性
(@ V = +5.0 V, V
S
CM
= +2.5 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
30
8
±
1
0
90
1000
500
110
10,000
1
5
最大
300
800
20
30
±
3
±
5
+4.0
单位
V
V
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
V / MV
μV/°C
V
V
V
mV
mV
mV
mA
dB
150
0.03
75
86
1.5
51
<0.1
dB
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电流
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
偏斜率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
VO
V
OS
/T
V
OH
V
OL
I
OUT
PSRR
I
SY
SR
英镑
θ
O
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
条件
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
0 V
≤
V
CM
≤
4.0 V， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 k, 0.005
≤
V
OUT
≤
4.0 V
R
L
= 10千欧， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
I
OUT
= 1毫安， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
I
OUT
= 1毫安， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
±
1.5 V
≤
V
S
≤ ±
15 V
±
1.5 V
≤
V
S
≤ ±
15 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
OUT
= 2.5 V ，R
L
=
∞,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 k
4.98
4.90
±
11
90
85
5.0
4.94
4.7
0.7
0.7
90
±
18
110
2
2
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
电气特性
(@ V = +3.0 V, V
S
CM
= +1.5 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
30
8
±
1
最大
500
20
±
3
+2.0
单位
V
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
V
mV
dB
150
0.03
75
85
1.6
53
<0.1
dB
A
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大电压增益
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
VO
V
OS
/T
V
OH
V
OL
PSRR
I
SY
SR
英镑
θ
O
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
条件
0 V
≤
V
CM
≤
2.0 V， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 k
0
90
110
750
1
R
L
= 10 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
±
1.5 V
≤
V
S
≤ ±
15 V
±
1.5 V
≤
V
S
≤ ±
15 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
OUT
= 1.5 V ，R
L
=
∞,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 k
2.9
0.7
90
85
110
2
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
OP295/OP495
电气特性
(@ V =
±15.0
V，T = 25 C除非另有说明）
S
A
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电流
电源
电源抑制比
电源电流
电源电压范围
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
VO
V
OS
/T
V
OH
V
OL
I
OUT
PSRR
I
SY
V
S
SR
英镑
θ
O
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
条件
民
典型值
30
7
±
1
最大
300
800
20
30
±
3
±
5
+13.5
单位
V
V
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
V
V
V
V
mA
dB
dB
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V ， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V ， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–15.0 V
≤
V
CM
≤
13.5 V， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 k
–15
90
1000
110
4000
1
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
14.95
14.80
±
15
90
85
±
25
110
–14.95
–14.85
V
S
=
±
1.5 V至
±
15 V
V
S
=
±
1.5 V至
±
15 V ， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
O
= 0 V ，R
L
=
∞,
V
S
=
±
18 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
+3 (± 1.5)
R
L
= 10 k
0.03
85
83
1.25
45
<0.1
175
+36 (± 18)
A
V
V / μs的
千赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
晶圆测试极限
(@ V = +5.0 V, V
S
CM
= 2.5 V ，T
A
= +25 C除非另有说明）
条件
极限
300
20
±
2
0至+4
90
90
1000
4.9
150
单位
V
最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
分贝分钟
V/V
V / mV的最小值
V分钟
A
最大
参数
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
1
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压摆幅高
每个放大器器电源电流
符号
VOS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
PSRR
A
VO
V
OH
I
SY
0 V
≤
V
CM
≤
4 V
±
1.5 V
≤
V
S
≤ ±
15 V
R
L
= 10 k
R
L
= 10 k
V
OUT
= 2.5 V ，R
L
=
∞
笔记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
1
受CMRR测试保证。
订购指南
模型
温度
范围
包
描述
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
骰子
包
选项
N-8
SO-8
模型
温度
范围
包
描述
包
选项
OP295GP -40 ° C至+ 125°C
OP295GS
-40 ° C至+ 125°C
OP295GBC + 25°C
OP495GP -40 ° C至+ 125°C
OP495GS
-40 ° C至+ 125°C
OP495GBC + 25°C
14引脚塑料DIP N-14
16 -PIN SOL
R-16
骰子
版本B
–3–
OP295/OP495
绝对最大额定值
1
DICE特性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ， ±18 V
输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .± 18 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +36 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP295G ， OP495G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
结温范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
14引脚塑料DIP （ P）
16引脚SO （ S）
JA
3
JC
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
OP295模具尺寸0.066
×
0.080英寸， 5,280平方密耳。
基板（模具背面）连接到V + 。
晶体管数量， 74 。
103
158
83
98
43
43
39
30
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
对于电源电压低于
±
18 V时，绝对最大输入电压等于
到电源电压。
3
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
被指定为设备在插座
对于陶瓷浸渍， P- DIP和LCC封装;
θ
JA
被指定为设备焊接在电路
板SOIC封装。
OP495模具尺寸0.113
×
0.083英寸， 9380平方密耳。
基板（模具背面）连接到V + 。
晶体管数量， 196 。
典型特征
140
电源电流每个放大器 -
A
+输出摆幅 - 伏
15.2
15.0
14.8
14.6
14.4
14.2
V
S
=
±15V
R
L
= 100k
R
L
= 10k
120
100
V
S
= +36V
V
S
= +5V
R
L
= 2k
80
V
S
= +3V
60
- 输出摆幅 - 伏
–14.4
–14.6
–14.8
–15.0
–15.2
–50
–25
0
25
50
温度 -
°C
75
100
R
L
= 2k
R
L
= 10k
R
L
= 100k
40
20
–50
–25
0
25
50
75
100
温度 -
°C
电源电流每放大器与温度的关系
输出电压摆幅与温度的关系
–4–
版本B
典型特性- OP295 / OP495
3.10
V
S
= +3V
5.10
V
S
= +5V
输出电压摆幅 - 伏
3.00
R
L
= 100k
2.90
R
L
= 10k
输出电压摆幅 - 伏
5.00
R
L
= 100k
4.90
R
L
= 10k
2.80
4.80
2.70
R
L
= 2k
2.60
4.70
R
L
= 2k
4.60
2.50
–50
–25
0
25
50
75
100
4.50
–50
–25
0
25
50
75
100
温度 -
°C
温度 -
°C
输出电压摆幅与温度的关系
输出电压摆幅与温度的关系
200
基于600 OP AMPS
175
150
V
S
= +5V
T
A
= +25°C
500
基于1200 OP AMPS
450
400
350
V
S
= +5V
T
A
= +25°C
125
单位
300
100
75
50
单位
250
200
150
100
25
0
–250 –200 –150 –100
50
0
–100
–50
0
50
100
150
200
输入失调电压 -
V
250
300
–50
0
50
100
150
200
250
输入失调电压 -
V
OP295输入失调（V
OS
）分布
OP495输入失调（V
OS
）分布
250
基于600 OP AMPS
225
200
175
150
单位
500
基于1200 OP AMPS
V
S
= +5V
–40°
≤
T
A
≤
+85°C
450
400
350
300
单位
250
200
150
100
50
0
V
S
= +5V
–40°
≤
T
A
≤
+85°C
125
100
75
50
25
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
T
C
– V
OS
–
μV/°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
– V
OS
–
μV/°C
2.4
2.8
3.2
OP295 TC -V
OS
分配
OP495 TC -V
OS
分配
版本B
–5–
双/四路轨到轨
运算放大器
OP295/OP495
特点
轨到轨输出摆幅
单电源供电： 3 V至36 V
低失调电压： 300 μV
增益带宽积： 75千赫
高开环增益： 1000 V / MV
单位增益稳定
低电源电流/每个放大器150 μA最大
销刀豆网络gurations
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
8
V+
OUT B
00331-001
00331-004
顶视图
（不按比例）
OP295
7
6
5
-IN B
+ IN B
图1. 8引脚窄体SOIC_N
（S后缀）
应用
电池供电仪器仪表
伺服放大器
传动机构
传感器调理
电源控制
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
OP295
8
7
6
5
V+
OUT B
00331-002
00331-003
-IN B
+ IN B
图2. 8引脚PDIP
（P后缀）
概述
轨到轨输出摆幅结合DC准确度是
在OP495四的关键特性和OP295双采用CBCMOS
运算放大器。用双极前端，降低噪音
和准确性均较CMOS设计高过
实现的。输入和输出范围，包括负
供给，向用户提供零输入/零输出能力。为
用户的3.3 V系统，如锂电池， OP295 / OP495
被指定为3 V操作。
最大失调电压为300 μV 5 V工作规定，
和开环增益是最小的1000伏/毫伏。该收益率
性能，可用于实现高准确度的系统，
甚至在单电源设计。
的能力摆动轨到轨和供应15毫安给负载
使得OP295 / OP495的理想驱动功率晶体管和
桥梁。这允许设计以实现更高的效率和
到更多的功率传输到负载比以前可能
无需使用分立元件。
的应用，如需要驱动变压器
电感性负载，提高效率也是可能的。
而驱动容性负载的稳定性是这样做的另一个好处
设计了CMOS轨到轨放大器。这是很有用
驱动同轴电缆或大型FET晶体管。该OP295 / OP495
稳定与超过300 pF的负载。
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
输出D
-IN
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
OP495
11
10
9
8
图3. 14引脚PDIP
（P后缀）
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
输出D
-IN
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
NC
顶视图
（不按比例）
OP495
14
13
12
11
10
9
NC =无连接
图4. 16引脚SOIC_W
（S后缀）
该OP295 OP495和指定在扩展的工业
试验（ -40 ° C至+ 125 ° C）温度范围。该OP295是
8引脚PDIP和8引脚SOIC_N表面贴装可
包。该OP495提供14引脚PDIP和16引脚
SOIC_W表面贴装封装。
英文内容
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OP295/OP495
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
引脚配置................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
典型性能特征............................................. 6
应用................................................. ...................................... 9
轨至轨应用信息........................................ 9
低压降参考............................................. ............... 9
低噪声，单电源前置放大器..................................... 9
驾驶重型负载............................................... .................. 10
直接访问安排............................................... ....... 10
单电源仪表放大器.............................. 10
单电源热电阻温度计放大器......................... 11
冷端补偿，电池供电
热电偶放大器................................................ .......... 11
5 V只有12位DAC摆幅0 V至4.095 V .................... 11
4至20 mA电流环路发射器.................................... 12
3 V低压差线性稳压器............................. 12
低压差500 mA电压稳压器，带有折返式
限流................................................ ........................ 12
方波振荡器............................................... ............... 13
单电源差分扬声器驱动器.............................. 13
测量精度高，单电源，低功耗比较器...... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
5月6日 - 修订版。 D钮英文内容
更新格式................................................ ..................通用
更改功能............................................... ........................... 1
更改引脚连接.............................................. ............. 1
更新的外形尺寸............................................... ........ 14
更改订购指南.............................................. ............ 15
2月4日 - 修订版。 C到Rev. D的
更改概述.............................................. ...... 1
更改规格............................................... ................. 2
更改绝对最大额定值....................................... 4
更改订购指南.............................................. .............. 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
3月2日 - 修订版。 B到C版
图改变引脚连接............................................. 1 ...
删除OP295GBC和OP495GBC从订购指南...... 3
删除晶圆测试极限表............................................. ......... 3
更改绝对最大额定值........................................ 4
删除骰子特点............................................... ............. 4
修订版E |第16页2
OP295/OP495
特定网络阳离子
电气特性
V
S
= 5.0 V, V
CM
= 2.5 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
符号
V
OS
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
I
B
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
I
OS
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
CM
CMRR
A
VO
ΔV
OS
/ΔT
V
OH
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
I
OUT
= 1毫安， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
I
OUT
= 1毫安， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
4.98
4.90
0 V ≤ V
CM
≤ 4.0 V， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ的， 0.005 ≤ V
OUT
≤ 4.0 V
R
L
= 10千欧， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
0
90
1000
500
110
10,000
1
5.0
4.94
4.7
0.7
0.7
90
±18
110
150
0.03
75
86
1.5
51
<0.1
5
±1
8
条件
民
典型值
30
最大
300
800
20
30
±3
±5
4.0
单位
μA
μA
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
V / MV
μV/°C
V
V
V
mV
mV
mV
mA
dB
dB
μA
V / μs的
千赫
度
μV P-P
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
输出电压摆幅低
V
OL
2
2
输出电流
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
偏斜率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
I
OUT
PSRR
I
SY
SR
英镑
θ
O
e
n
p-p
e
n
i
n
±1.5 V ≤ V
S
≤ ±15 V
±1.5 V ≤ V
S
= ± 15 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
OUT
= 2.5 V ，R
L
= ∞ ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ
±11
90
85
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
V
S
= 3.0 V, V
CM
= 1.5 V，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
VO
V
OS
/T
条件
民
典型值
100
8
±1
0 V ≤ V
CM
≤ 2.0 V， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ
0
90
110
750
1
最大
500
20
±3
2.0
单位
μV
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
修订版E |第16页3
OP295/OP495
参数
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OH
V
OL
PSRR
I
SY
SR
英镑
θ
O
e
n
p-p
e
n
i
n
条件
R
L
= 10 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
±1.5 V ≤ V
S
≤ ±15 V
±1.5 V ≤ V
S
= ± 15 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
OUT
= 1.5 V ，R
L
= ∞ ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ
民
2.9
0.7
90
85
110
150
0.03
75
85
1.6
53
<0.1
2
典型值
最大
单位
V
mV
dB
dB
μA
V / μs的
千赫
度
μV P-P
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
V
S
= ± 15.0 V，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电流
电源
电源抑制比
每个放大器器电源电流
电源电压范围
动态性能
压摆率
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
VO
ΔV
OS
/ΔT
V
OH
V
OL
I
OUT
PSRR
I
SY
V
S
SR
英镑
θ
O
e
n
p-p
e
n
i
n
V
S
= ± 1.5 V至± 15 V
V
S
= ± 1.5 V至± 15 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
O
= 0 V ，R
L
= ∞, V
S
= ± 18 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V ， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
15.0 V ≤ V
CM
≤ 13.5 V， -40 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
R
L
= 10 kΩ
15
90
1000
条件
民
典型值
300
7
±1
最大
500
800
20
30
±3
±5
+13.5
单位
μV
μV
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
V
V
V
V
mA
dB
dB
μA
V
V / μs的
千赫
度
μV P-P
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
110
4000
1
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
R
L
= 100 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到GND
14.95
14.80
14.95
14.85
±15
90
85
3 (± 1.5)
±25
110
175
36 (± 18)
0.03
85
83
1.25
45
<0.1
R
L
= 10 kΩ
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
修订版E |第16页4
OP295/OP495
绝对最大额定值
表4 。
参数
电源电压
输入电压
差分输入电压
2
输出短路持续时间
存储温度范围
P，S包
工作温度范围
OP295G ， OP495G
结温范围
P，S包
引线温度（焊接， 60秒）
1
1
等级
±18 V
±18 V
36 V
不定
-65 ° C至+ 150°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
热阻
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
θ
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件;即， θ
JA
被指定为设备插座PDIP ; θ
JA
为特定网络版的
器件焊接到印刷电路板上的SOIC封装。
表5.热阻
套餐类型
8引脚PDIP （P后缀）
8引脚SOIC_N （S后缀）
14引脚PDIP （P后缀）
16引脚SOIC_W （S后缀）
θ
JA
103
158
83
98
θ
JC
43
43
39
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
绝对最大额定值适用于封装器件，除非另有说明。
2
对于电源电压小于± 18 V ，绝对最大输入电压为
等于电源电压。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
修订版E |第16页5
查看更多OP495GSPDF信息
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OB33
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OR2T26A-7T304
OMIT-SS-106DM
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OPA445ADDAR
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