a
特点
单电源供电： 2.7 V至6 V
高输出电流： 250毫安
低电源电流： 600 A /放大器
宽带宽： 4兆赫
压摆率： 6.5 V / S
无相位反转
低输入电流
单位增益稳定
CMOS单电源轨到轨
输入/输出运算放大器
OP150/OP250/OP450
销刀豆网络gurations
8引脚窄体SO
（S后缀）
NC
In
+ IN
V–
NC
V+
5引脚SOT23-5
（RT SUF网络X）
OUT
V–
+ IN
V+
In
OBS
应用
电池供电的仪器
多媒体音响
医
远程传感器
ASIC输入或输出放大器
汽车
耳机驱动器
概述
OP150
OUT
NC
OP150
该OP150 ， OP250 OP450和是单，双和四
CMOS
单电源， 4 MHz带宽放大器，具有
轨到轨输入和输出。
所有器件均保证工作
a
3伏单电源供电
以及一个5伏电源。
放大器的OP150系列具有极低的输入偏置电流
租金。输出能够驱动250毫安负载，并
稳定，容性负载高达500 pF的。
应用这些放大器包括便携式医疗
设备，为传感器的安全和保障，以及界面
具有高输出阻抗。
电源电流仅为600
A
每个放大器。
的能力摆动轨到轨在两个输入和输出烯
ABLES设计师打造的单电源多级过滤器系
统和保持高的信号 - 噪声比。
OLE
TE
OUT A
V+
8引脚窄体SO
（S后缀）
8引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
OUT A
-IN一
1
2
3
4
OP250
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
-IN一
OUT B
-IN B
+ IN A
V–
OP250
7
6
5
+ IN A
V–
+ IN B
14引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
14引脚SO
（S后缀）
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
1
2
3
4
5
6
7
14输出D
13 -IN
12 + D中
OUT A
输出D
-IN
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
OP450
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
OP450
11 V–
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
该OP150 / OP250 / OP450是在扩展IN-
dustrial （ -40 ° C至+ 125 ° C）温度范围。该OP150
单放大器采用8引脚SO表面安装和
5引脚SOT23-5封装。该OP250双是在8可用
引脚塑料DIP和SO表贴封装。该OP450
四是在14引脚DIP ， TSSOP和窄14引脚SO
包。向工厂咨询TSSOP可用性。
14-Lead
TSSOP
（ RU后缀）
OP450
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
ADI公司不承担任何对未来的制造除非另有书面同意的义务。
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
第0版
初步的技术数据
OP150/OP250/OP450–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
符号
(@ V
S
= +3.0 V, V
CM
= 0.05 V, V
O
= 1.4 V，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
输入特性
偏移电压OP150
偏移电压OP250 / OP450
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
V
OS
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
CM
= 0 V至3 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 kΩ的，V
O
= 0.3 V至2.7 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 2 kΩ的，V
O
= 0.3 V至2.7 V
R
L
= 1千欧，V
O
= 0.3 V至2.7 V
0
60
40
16
10
10
25
5
5
60
3
OBS
大信号电压增益
大信号电压增益
失调电压漂移
偏置电流漂移
失调电流漂移
A
VO
A
VO
V
OS
/T
I
B
/T
I
OS
/T
V
OH
输出特性
输出电压高
输出电压低
V
OL
输出电流
开环阻抗
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
动态性能
压摆率
建立时间
增益带宽积
相位裕度
声道分离
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
I
OUT
Z
OUT
PSRR
I
SY
OLE
TE
I
L
= 100
A
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 10毫安
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 100
A
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 10毫安
-40 ° C至+ 125°C
2.95
2.99
2.95
2
10
30
55
±
250
-40 ° C至+ 125°C
F = 1 MHz时，A
V
= 1
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
dB
dB
A
A
V / μs的
s
兆赫
度
dB
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
S
= 2.7 V至6 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
O
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
=10 k
至0.01％
70
68
500
650
2.7
2
75
F = 1千赫，R
L
=10 k
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
600
55
mV
mV
mV
mV
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
μV/°C
PA / ℃，
PA / ℃，
SR
t
S
英镑
o
CS
e
n
p-p
e
n
i
n
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
ADI公司不承担任何对未来的制造除非另有书面同意的义务。
初步的技术数据
–2–
第0版
OP150/OP250/OP450
电气特性
(@ V = +5.0 V, V
S
CM
= 0.05 V, V
O
= 1.4 V，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
参数
符号
条件
输入特性
偏移电压OP150
偏移电压OP250 / OP450
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
V
OS
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
CM
= 0 V至5 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 10 kΩ的，V
O
= 0.3 V至4.7 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
= 2 kΩ的，V
O
= 0.3 V至2.7 V
R
L
= 1千欧，V
O
= 0.3 V至2.7 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
0
60
40
16
10
1.5
100
20
30
0.1
5
5
50
60
8
16
5
OBS
大信号电压增益
大信号电压增益
失调电压漂移
偏置电流漂移
失调电流漂移
输出特性
输出电压高
V
OH
输出电压低
V
OL
输出电流
开环阻抗
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
动态性能
压摆率
全功率带宽
建立时间
增益带宽积
相位裕度
声道分离
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电压噪声密度
电流噪声密度
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
A
VO
A
VO
V
OS
/T
I
B
/T
I
OS
/T
OLE
TE
I
L
= 100
A
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 10毫安
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 100
A
-40 ° C至+ 125°C
I
L
= 10毫安
-40 ° C至+ 125°C
4.99
4.95
2
30
±
250
-40 ° C至+ 125°C
F = 1 MHz时，A
V
= 1
V
S
= 2.7 V至6 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
O
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+125°C
R
L
=10 k
1 ％的失真
至0.01％
75
70
550
6.5
650
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
dB
dB
A
A
4
75
F = 1千赫，R
L
=10 k
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
55
35
mV
mV
mV
mV
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
μV/°C
PA / ℃，
PA / ℃，
I
OUT
Z
OUT
PSRR
I
SY
SR
BW
p
t
S
英镑
o
CS
e
n
p-p
e
n
e
n
i
n
V / μs的
千赫
s
兆赫
度
dB
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
ADI公司不承担任何对未来的制造除非另有书面同意的义务。
第0版
–3–
初步的技术数据
OP150/OP250/OP450
晶圆测试极限
参数
(@ V
S
= +5.0 V, V
CM
= 0 V ，T
A
= +25 C除非另有说明。 ）
符号
条件
极限
单位
OBS
绝对最大额定值
1
套餐类型
θ
JA3
θ
JC
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压高
输出电压低
电源电流/放大器
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
PSRR
A
VO
V
OH
V
OL
I
SY
V
CM
= 0 V至10 V
V = + 2.7V至+ 7V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 kΩ到GND
R
L
= 2 kΩ到V +
V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
±
10
50
10
V-至V +
60
70
2.9
55
650
毫伏最大
pA的最大
pA的最大
V分钟
分贝分钟
分贝分钟
V / mV的最小值
V分钟
毫伏最大
A
最大
记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
输出短路持续时间为GND
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S ， RT ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP150 / OP250 / OP450G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
结温范围
P，S ， RT ， RU封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
单位
OLE
TE
订购指南
模型
温度
范围
封装选项
5引脚SOT （ RT ）
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
8引脚TSSOP （ RU ）
14引脚塑料DIP （ P）
14引脚SOIC （ S）
14引脚TSSOP （ RU ）
325
103
158
240
76
120
180
43
43
43
33
36
35
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
OP150GS
OP150GRT
OP150GBC
OP250GP
OP250GS
OP250GRU
OP250GBC
OP450GP
OP450GS
OP450GRU
OP450GBC
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
+25°C
8引脚SOIC
5引脚SOT
骰子
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
骰子
14引脚塑料DIP
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
骰子
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
为特定网络版的设备
插座P- DIP封装;
θ
JA
被指定为设备钎焊在电路板
对于SOIC封装。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然OP150 / OP250 / OP450具有专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，对罗珀
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
ADI公司不承担任何对未来的制造除非另有书面同意的义务。
初步的技术数据
–4–
第0版
OP150/OP250/OP450
DICE特性
OP150管芯尺寸0.00
×
0.00英寸， 00平米。密尔
基板（模具背面）连接到V-
晶体管数量， 00 。
OP250模具尺寸0.044
×
0.045英寸， 1,980平方米。密尔
基板（模具背面）连接到V-
晶体管数量， 0 。
OP450模具尺寸0.052
×
0.058英寸， 3,016平方米。密尔
基板（模具背面）连接到V-
晶体管数量， 127 。
2.5
V
OL
V
OH
OBS
2.0
V
OUT
–
±V
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120
R
负载
–
140
图1 。
±
V
OUT
与
负载
OLE
TE
160
180
200
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
ADI公司不承担任何对未来的制造除非另有书面同意的义务。
第0版
–5–
初步的技术数据
QQ：2881677436 复制
