a
特点
单电源 - 3伏特至36伏特
宽带 - 5兆赫
低失调电压 - <1毫伏
高转换率 - 10 V / S
低噪声 - 10纳伏/ √Hz的
单位增益稳定
输入和输出范围包括GND
无相位反转
应用
多媒体
电信
ADC缓冲器
宽带滤波器
麦克风前置放大器连接器
1
2
3
4
5 MHz的单电源
运算放大器
OP183/OP283
引脚连接
8引脚窄体SO
（S后缀）
8
8引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
零
In
+ IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V+
OUT
零
OP183
OP183
顶视图
（不按比例）
7
6
5
NC =无连接
8引脚窄体SO
（S后缀）
1
8
8引脚DIP环氧树脂
（P后缀）
OUTA
-INA
INA +
V–
1
2
3
4
8
7
6
V+
OUTB
-INB
+ INB
概述
该OP183是一款单电源， 5MHz的带宽与放大器
10 V / μs的压摆率。该OP283是一款双通道版本。两者都可以
从电压低至3伏和高达36伏运行。这
压摆率和收益率带宽出色的单组合
电源的AC性能使其非常适用于电信和
多媒体音频应用。
除了它的交流特性，在OP183系列提供
与保证1 mV的良好的直流性能失调。噪声是一种
尊敬的10纳伏/ √Hz的。电源电流为每个放大器仅为1.2 mA 。
这些放大器非常适合于单电源应用
要求中等带宽的高增益组态中使用，即使
口粮。这使得它们在过滤器和仪器有用。
它们的输出驱动能力和很宽的全功率带宽
使他们对于多媒体耳机驱动器还是不错的选择
麦克风输入放大器。
该OP183 OP283和在8引脚塑料DIP和SO- 8可
表面贴装封装。他们工作在扩展
工业级（-40 ° C至+ 85° C）温度范围。
2
3
4
OP283
顶视图
（不按比例）
7
6
5
OP283
5
版本B
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OP183/OP283–SPECIFICATIONS
电气特性
（ @ V = 5.0 V， T = 25 C除非另有说明）
S
A
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
偏置电流漂移
输出特性
输出电压高
输出电压低
短路限
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
电源电压范围
动态性能
压摆率
全功率带宽
建立时间
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
V
OS
/T
I
B
/T
V
OH
V
OL
I
SC
条件
V
CM
= 2.5 V, V
OUT
= 2.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 2.5 V, V
OUT
= 2.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 2.5 V, V
OUT
= 2.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
民
典型值
0.025
350
430
11
最大
1.0
1.25
600
750
±
50
+3.5
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
NA / ℃，
V
mV
mA
mA
0
V
CM
= 0 3.5 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k, 0.2
≤
V
O
≤
3.8 V
70
100
104
4
–1.6
R
L
= 2 kΩ到GND
R
L
= 2 kΩ到GND
来源
SINK
V
S
= 4 V至6 V，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
O
= 2.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
+4.0
4.22
50
25
30
75
PSRR
I
SY
V
S
SR
BWP
t
S
英镑
φm
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
70
+3
104
1.2
1.5
±
18
dB
mA
V
V / μs的
千赫
s
兆赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
R
L
= 2 k
1 ％的失真
至0.01％
5
10
>50
1.5
5
46
2
10
0.4
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫，V
CM
= 2.5 V
电气特性
（ @ V = 3.0 V， T = 25 C除非另有说明）
S
A
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
输出特性
输出电压高
输出电压低
短路限
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
动态性能
增益带宽积
噪声性能
电压噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
V
OH
V
OL
I
SC
条件
V
CM
= 1.5 V, V
OUT
= 1.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 1.5 V, V
OUT
= 1.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
CM
= 1.5 V, V
OUT
= 1.5 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
民
典型值
0.3
350
11
最大
1.0
1.25
600
750
±
50
+1.5
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
V
mV
mA
mA
0
V
CM
= 0 V至1.5 V，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k, 0.2
≤
V
O
≤
1.8 V
R
L
= 2 kΩ到GND
R
L
= 2 kΩ到GND
来源
SINK
V
S
= +2.5 V至3.5 V，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
O
= 1.5 V
70
100
+2.0
103
260
2.25
90
25
30
125
PSRR
I
SY
英镑
e
n
60
113
1.2
5
1.5
dB
mA
兆赫
纳伏/赫兹÷
F = 1千赫，V
CM
= 1.5 V
10
–2–
版本B
OP183/OP283
电气特性
(@ V =
S
15.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
民
典型值
0.01
最大
1.0
1.25
600
750
±
50
+13.5
单位
mV
mV
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
μV/°C
NA / ℃，
mV
V
V
mA
mA
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
失调电压漂移
偏置电流漂移
长期失调电压
输出特性
输出电压高
输出电压低
短路限
打开-loop输出阻抗
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
电源电压范围
动态性能
压摆率
全功率带宽
建立时间
增益带宽积
相位裕度
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
A
VO
V
OS
/T
I
B
/T
V
OS
V
OH
V
OL
I
SC
Z
OUT
PSRR
I
SY
V
S
SR
BW
p
t
S
英镑
φm
e
氮，磷，磷
e
n
i
n
条件
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40
≤
T
A
≤
+85°C
–15
V
CM
= -15 V至13.5 V，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 k
70
100
86
1000
3
–1.6
300
400
11
注1
R
L
= 2 kΩ到GND ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 2 kΩ到GND ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
来源
SINK
F = 1 MHz时，A
V
= +1
V
S
=
±
2.5 V至
±
18 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
S
=
±
18 V, V
O
= 0 V,
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
+13.9 14.1
–14.05
30
50
15
1.5
–13.9
70
112
1.2
1.75
±
18
dB
mA
V
V / μs的
千赫
s
兆赫
度
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
+3
R
L
= 2 k
1 ％的失真
至0.01％
10
15
50
1.5
5
56
2
10
0.4
0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
笔记
1
长期偏移电压是通过在125在三个独立的批次进行1000小时的寿命试验保证
°C,
随着1.3的LTPD 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
晶圆测试极限
参数
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压高
输出电压低
电源电流/放大器
(@ V
S
= +5.0 V，T
A
= +25 C除非另有说明）
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
VO
V
OH
V
OL
I
SY
条件
V
S
=
±
15 V, V
O
= 0 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 0 V至3.5 V
V =
±
2.5 V至
±
18 V
R
L
= 2 k, 0.2
≤
V
O
≤
3.8 V
R
L
= 2 k
R
L
= 2 k
V
S
=
±
15 V, V
O
= 0 V ，R
L
=
∞
极限
1.0
±
600
±
50
70
70
100
4.0
75
1.5
单位
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
分贝分钟
分贝分钟
V / mV的最小值
V分钟
毫伏最大
最大mA
记
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失，包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
REV.B
–3–
OP183/OP283
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
7 V
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP183 / OP283G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围
P，S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
8引脚塑料DIP （ P）
8引脚SOIC （ S）
θ
JA3
103
158
θ
JC
43
43
单位
° C / W
° C / W
DICE特性
V+
出空
零
In
IN +
V–
OP183管芯尺寸0.058 X 0.063英寸， 3717平方米。密尔
基板（模具背面）连接到V-。
晶体管数量， 30 。
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
对于电源电压低于
±
7 V时，绝对最大输入电压等于
到电源电压。最大输入电流不得超过2毫安。
3
θ
JA
被指定为最坏的情况，即，
θ
JA
被指定为设备在插座
对于P- DIP封装;
θ
JA
被指定用于设备焊接在电路板上的SOIC
包。
V + OUTB
-INB + INB
订购指南
模型
OP183GP
OP183GS
OP283GP
OP283GS
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
包
选项
N-8
SO-8
N-8
SO-8
OUTA
-INA
INA +
V–
OP283管芯尺寸0.063 X 0.092英寸， 5,796平方米。密尔
基板（模具背面）连接到V-。
晶体管数量， 55 。
–4–
版本B
QQ：2880707522 复制
