a
特点
高压摆率： 10 V / s的最小值
快速建立时间： 0.9秒至0.1 ％类型
低输入失调电压漂移： 10 V / C（最大值）
宽带宽： 3.5 MHz的最小值
温度补偿的输入偏置电流
保证输入偏置电流： 18 nA的最大（ 125℃ ）
偏置电流指定的回暖在整个温度范围
低输入噪声电流： 0.01 PA /
÷
Hz
TYPE
高共模抑制比86分贝敏
引脚兼容于标准双插脚引线
车型符合MIL -STD - 883 B类加工可用
双精密JFET输入
运算放大器连接器
OP215
概述
该OP215提供了经过验证的JFET输入性能优势
高速和低输入偏置电流与跟踪和
双运算放大器配置方便等优点。
低输入失调电压，低输入电流和低漂移
刊登在这些高速放大器。
片上的齐纳击穿调整被用来实现低V
操作系统，
而
偏置电流补偿方案提供了一个低输入偏置电流
在升高的温度下进行。因此， OP215具有输入偏置
1.4 nA的电流70∞C环境（不结）温度
这极大地扩展了该装置的应用有用。
其应用包括高速放大器的电流输出
的DAC ，有源滤波器，取样 - 保持缓冲器和光电管
放大器。有关其他精密JFET运算放大器，见
OP249和AD712数据表。
V+
Q5
J5
Q6
R3
零
Q7
R8
J8 J7
R7
Q10
零
Q9
J6
Q19
记
R7 ， R8是以电子ADJUSTED
ON- CHIP最低失调电压
R1
Q8
NOMINV
INPUT +
J1
J2
-Inv J11
输入
Q1
Q12
Q11
J4
7.4
pF
V–
R9
R4
R5
3.6
k
Q16
Q3
Q4
Q24
C2
Q17
7.4pF
Q2
产量
Q18
R6
3.6k
J10
Q14
J9
Q15
Q21
Q20
R11
Q23
Q25
R10
R13
Q22
R2
J3
C1
Q13
R12
图1.简化原理图（1/2 OP215 ）
REV 。一
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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
OP215–SPECIFICATIONS
电气特性
（在V =
±15
V，T = 25℃，除非另有说明。 ）
S
A
参数
输入失调电压
输入失调电流
1
输入偏置电流
1
输入阻抗
大信号电压
收益
输出电压摆幅
电源电流
压摆率
增益带宽
产品
3
符号
V
OS
I
OS
I
B
R
IN
A
VO
V
O
I
SY
条件
R
S
= 50
W
“G”级
T
j
= 25∞C
设备运行
T
j
= 25∞C
设备运行
民
OP215E
TYPE
0.2
3
5
±
15
±
18
10
1,2
最大
1.0
50
100
±
100
±
300
民
OP215G
TYPE
最大
2.0
2.5
3
5
±
15
±
18
10
1,2
4.0
6.0
100
200
±
300
±
600
单位
mV
mV
pA
pA
pA
pA
W
V / MV
V
V
R
L
2千瓦，
V
O
=
±
10 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
“G”级
150
±
12
±
11
500
±
13
±
12.7
6.0
8.5
50
±
12
±
11
200
±
13
±
12.7
7.0
7.0
10.0
12.0
mA
mA
V / S
兆赫
兆赫
s
s
s
V
V
dB
V/V
V/V
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
pF
SR
GBW
A
VCL
= 1
10
3.5
18
5.7
13
2.3
1.1
0.9
5
3.0
15
5.4
12
2.4
1.2
1.0
闭环带宽CLBW
设置时间
t
S
A
VCL
= 1
至0.01％
至0.05％
2
至0.10％
10.2
–10.2
V
CM
=
±
IVR
E，G等级
V
S
=
±
10 V至
±
16 V
V
S
=
±
10 V至
±
15 V
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1000赫兹
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1000赫兹
82
输入电压范围
共模
抑制比
电源抑制
比
输入噪声电压
密度
输入噪声电流
密度
输入电容
IVR
CMRR
PSRR
n
I
n
C
IN
14.8
–11.5
100
10
20
15
0.01
0.01
3
51
10.1
–10.1
80
14.8
–11.5
96
16
20
15
0.01
0.01
3
100
笔记
1
输入偏置电流被指定为两种不同的条件。经t
j
= 25∞C规范是与结点在环境温度下在设备操作规范是
与在25∞C周围一个回暖状态的设备操作。将温热的偏置电流值通过曲线相关联的结温值
我
S
与牛逼
j
我
S
与牛逼
A
。 PMI的具有偏置电流补偿电路，它给出改进的偏置电流和偏置电流的温度与标准
JFET输入运算放大器。我
S
我
OS
在V测量
CM
= 0.
2
设置时间在这里被定义为使用2千瓦电阻的单位增益反相器连接。它是（所需的误差电压时，在反相输入端子的电压
在放大器）沉降到在其从一个10伏的阶跃输入被施加到逆变器的时间最终值的指定百分比。见凝结时间测试电路。
3
样品测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
OP215
特定网络阳离子
电气特性
参数
输入失调电压
平均输入失调
电压漂移
如果没有外部调整
1
随着外部饰件
输入失调电流
2
符号
V
OS
（在V
S
=
±15
V， 0℃
另有说明）。
T
A
70 ℃， E级， -40℃
OP215E
TYPE
0.4
T
A
85 ℃， G级，除非
OP215G
TYPE
最大
3.5
8.0
条件
R
S
= 50
W
民
最大
1.65
民
单位
mV
TCV
OS
TCV
OSN
I
OS
R
P
= 100千瓦
T
j
= 70∞C
T
A
= 70∞C
设备运行
T
j
= 70∞C
T
A
= 70∞C
设备运行
10.2
–10.2
V
CM
=
±
IVR
V
S
=
±
10 V至
±
16 V
V
S
=
±
10 V至
±
15 V
R
L
2千瓦
V
O
=
±
10 V
R
L
10千瓦
50
±
12
80
3
3
0.06
0.08
±
0.12
±
0.16
14.7
–11.4
98
13
180
±
13
15
0.45
0.80
±
0.70
±
1.40
10.1
–10.1
76
100
6
4
0.08
0.10
±
0.14
±
0.19
14.7
–11.3
94
0.65
1.2
±
0.9
±
1.8
V /°C的
V /°C的
nA
nA
nA
nA
V
V
dB
输入偏置电流
2
I
S
输入电压范围
共模
抑制比
电源抑制
比
大信号
电压增益
输出电压摆幅
IVR
CMRR
PSRR
A
VO
V
O
20
35
±
12
130
±
13
159
V/V
V / MV
V
笔记
1
样品测试。
2
输入偏置电流被指定为两种不同的条件。经t
j
= 25∞C规范是与结点在环境温度下在设备操作规范是
与在25∞C周围一个回暖状态的设备操作。将温热的偏置电流值通过曲线相关联的结温值
我
S
与牛逼
j
我
S
与牛逼
A
。 PMI的具有偏置电流补偿电路，它给出改进的偏置电流和偏置电流的温度与标准
JFET输入运算放大器。我
S
我
OS
在V测量
CM
= 0.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
OP215
绝对最大额定值
1
电源电压
OP215E ， OP215G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
工作温度范围
OP215E 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 0∞C至+ 70∞C
OP215G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
最高结温（T
j
) . . . . . . . . . . . . . . 150∞C
差分输入电压
OP215E 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
40 V
OP215G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
30 V
输入电压
2
OP215E 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20 V
OP215G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
结温（T
j
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
笔记
1
绝对最大额定值适用于封装器件，除非另有说明。
2
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于
一伏特比负电源电压更积极。
套餐类型
8引脚DIP密封（Z ）
8引脚塑料DIP （ P）
JA
*
JC
单位
° C / W
° C / W
134
96
12
37
JA
*
JA
被指定为最坏情况下的安装条件，即
设备插座CERDIP和P - DIP封装。
为特定网络版的
引脚配置
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
– + + –
A
B
7
6
5
订购信息
1
模型
OP215EZ
2
OP215GP
2
包
TYPE
8引脚CERDIP
8引脚塑料DIP
温度
范围
COM
XIND
T
A
= 25∞C,
V
OS
MAX（毫伏）
1.0
6.0
对于军方处理设备，请参考标准微电路图纸
（ SMD）可在www.dscc.dla.mil/programs/milspec/default.asp
SMD零件编号
5962-8853801GA
2
5962-8853801PA
5962-8838032A
2
ADI等效
OP215AJMDA
OP215AZMDA
OP215BRCMDA
笔记
1
老化可在商用和工业温度范围内的部分在CERDIP和塑料
DIP封装。
2
不适用于新的设计，过时的2002年4月。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在OP215具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
QQ：2881677436 复制
