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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符O型号页 > 首字符O的型号第32页 > OP200GP
a
特点
低输入失调电压: 75 V最大
低失调电压漂移,在-55℃ <牛逼
A
< + 125 C:
0.5 V / C(最大值)
低电源电流(每个放大器) : 725 A最大
高开环增益: 5000 V / mV的最小值
低输入偏置电流: 2 nA的最大
低噪声电压密度: 11纳伏/ √Hz的在1 kHz
稳定大容性负载: 10 nF的典型值
引脚兼容, OP221 , MC1458和LT1013用
改进的性能
提供裸片形式
概述
双低失调,低功耗
运算放大器连接器
OP200
引脚连接
16引脚SOIC (S
-
后缀)
-IN一
1
+ IN A
2
NC
3
V–
4
NC
5
+ IN B
6
+
16
OUT A
15
NC
14
NC
13
V+
12
NC
11
NC
10
OUT B
9
NC
NC
8
NC =无连接
该OP200是首款单片双通道运算放大器
提供OP77型精密性能。可用在业界
标准的8引脚引脚配置, OP200结合精度性能
用空间和成本节约通过双放大器提供。
在OP200提供的更小的极低的输入偏移电压
超过75
V
低于0.5的漂移
μV / ° C,
保证在整个
军用温度范围。在OP200的开环增益超过
500万到10 kΩ的负载;输入偏置电流低于2 nA的;
CMR是超过120分贝PSRR低于1.8
V/V.
片上
齐纳击穿修整用于实现极低的输入
偏移的OP200的电压和消除了对偏移
拉动。
在OP200的功耗非常低,与每个放大器
绘制小于725
A
电源电流。的总电流
由双OP200绘制小于二分之一,单一的
OP07 ,然而OP200提供超过这一显著改善
工业标准运算放大器。该OP200的电压噪声密度,
11纳伏/ √Hz的在1 kHz ,是成功的一半,大多数有竞争力的设备。
8引脚PDIP ( P-后缀)
8引脚CERDIP ( Z-后缀)
OUT A
1
-IN一
2
+ IN A
3
V–
4
A
– +
B
+ –
8
7
6
5
该OP200引脚与OP221 , LM158兼容,
MC1458 / 1558 ,和LT1013 。
该OP200是需要多个应用的理想选择
精密运算放大器和需要低功耗是至关重要的。
对于一个四精密运算放大器,看到OP400 。
V+
BIAS
电压
限制
+ IN
In
版本B
图1原理示意图(其中两个放大器被示出。 )
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
-IN B
7
+
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
OUT
V–
OP200–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
输入失调电压
长期投入
电压稳定
输入失调电流
输入偏置电流
输入噪声电压
输入噪声
电压密度*
输入噪声电流
输入噪声
电流密度
输入阻抗
差模
输入阻抗
共模
大信号
电压增益
*样品
测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
(V
S
=
±15
V,T
A
= 25℃,除非另有说明。 )
OP200A/E
典型值
最大
25
0.1
75
OP200G
典型值
80
0.1
1.0
2.0
0.05
0.1
0.5
36
18
22
11
15
0.4
10
125
3000
1500
7000
3200
3.5
5.0
最大
200
单位
V
μV /月
nA
nA
V
p-p
纳伏/赫兹÷
pA
p-p
PA / ÷赫兹
M
G
符号
V
OS
条件
I
OS
I
B
e
氮,磷,磷
e
n
i
氮,磷,磷
i
n
R
IN
R
INCM
A
VO
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
0.1赫兹到10赫兹
f
O
= 10赫兹
f
O
= 1000赫兹
0.1赫兹到10赫兹
f
O
= 10赫兹
0.05
0.1
0.5
22
11
15
0.4
10
125
V
O
±
10 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
5000
2000
12000
3700
M /毫伏
–2–
版本B
OP200
电气特性
(V = 15 V , -55℃
T
, 125 ℃下OP200A除非另有说明)。
S
A
参数
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
符号
V
OS
TCV
OS
I
OS
I
B
A
VO
条件
OP200A
典型值
45
0.2
最大
125
0.5
2.5
5.0
单位
V
μV/°C
nA
nA
V / MV
V / MV
V
dB
V/V
V
V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
O
= 10 V
R
L
= 10
R
L
= 2 k
V
CM
=
±
12 V
V
S
= +3 V至+18 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
空载
A
V
= 1
±
12
±
11
3000
1000
±
12
115
0.15
0.9
9000
2700
±
12.5
130
0.2
±
12.4
±
12
600
8
输入电压范围*
共模抑制
电源抑制比
输出电压摆幅
每个放大器器电源电流
容性负载稳定性
*保证
通过CMR测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
IVR
CMR
PSRR
V
O
I
SY
3.2
775
A
nF
电气特性
(V =
S
15 V ,T
A
= 25℃,除非另有说明。 )
±
12
OP200A/E
典型值
±
13
135
0.4
±
12
±
11
±
12.6
±
12.2
570
0.1
0.15
500
123
145
3.2
123
725
0.1
1.8
±
12
±
11
最大
±
12
110
OP200G
典型值
±
13
130
0.6
±
12.6
±
12.2
570
0.15
500
145
3.2
10
725
5.6
最大
单位
V
dB
V/V
V
V
A
V / μs的
千赫
dB
pF
nF
参数
输入电压范围
1
共模
拒绝
电源
抑制比
输出电压
摇摆
电源电流
每个放大器
压摆率
增益带宽
产品
声道分离
2
符号
IVR
CMR
PSRR
V
O
条件
V
CM
=
±
12 V
V
S
=
±
3 V
to
±
18 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
空载
120
I
SY
SR
增益带宽积
CS
A
V
= 1
V
O
= 20 V P-P
f
O
= 10赫兹
A
V
= 1
无振荡
输入电容
容性负载
稳定性
C
IN
10
笔记
1
通过CMR测试保证。
2
保证,但不是100 %测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
–3–
OP200–SPECIFICATIONS
电气特性
(V =
±15
V, -40℃
T
85 ℃,除非另有说明。 )
S
A
参数
输入失调电压
平均输入失调
电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
大信号
电压增益
输入电压
范围*
共模
拒绝
电源
抑制比
输出电压
摇摆
电源电流
每个放大器
容性负载
稳定性
*保证
通过CMR测试。
符号
V
OS
TCV
OS
I
OS
I
B
A
VO
条件
OP200E
典型值
35
0.2
最大
100
0.5
2.5
5.0
OP200G
典型值
110
0.6
0.1
0.5
最大
300
2.0
6.0
10.0
单位
V
μV/°C
nA
nA
V / MV
V / MV
V
dB
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
O
=
±
10 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
3000
1500
±
12
V
CM
=
±
12 V
V
S
=
±
3 V
to
±
18 V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
空载
A
V
= 1
无振荡
±
12
±
11
115
0.08
03
10000
3200
±
12.5
130
0.15
±
12.4
±
12
600
10
10
2000
1000
±
12
105
3.2
±
12
±
11
775
5000
2500
±
12.5
130
0.3
±
12.4
±
12.2
600
10
10
775
10.0
IVR
CMR
PSRR
V
O
V/V
V
V
A
nF
nF
I
SY
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–4–
版本B
OP200
1/2
OP200
V
1
20Vp -P @ 10Hz的
100
10k
50k
50
1/2
OP200
V
2
1/2
OP200
1/2
OP200
e
OUT
频谱
分析仪
声道分离度= 20日志
V
1
V
2
/1000
e
OUT
(NV /
赫兹)
=
2
e
OUT
(NV /
赫兹)
101
图2声道分离度测试电路
图3.噪声测试示意图
绝对最大额定值
1
订购指南
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
30 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。电源电压
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
存储温度范围
P,S ,Z型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围(焊接, 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
结温(T
J
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP200A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
OP200E 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
OP200G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
套餐类型
8引脚CERDIP ( Z)
8引脚塑料DIP ( P)
16引脚SOIC ( S)
JA
2
JC
T
A
= 25 C
V
OS
最大
( V)
75
75
200
200
200
CERDIP
8-Lead
OP200AZ
OP200EZ
OP200GP
OP200GS
OP200GS-REEL
操作
温度
范围
米尔
XIND
XIND
XIND
XIND
塑料
单位
° C / W
° C / W
° C / W
军用处理过的器件,请参考标准
微电路图纸( SMD)可在
www.dscc.dla.mil/programs/milspec/default.asp
148
96
92
16
37
27
SMD零件编号
5962-8859301M2A
5962-8859301MPA
ADI等效
OP200ARCMDA
OP200AZMDA
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件,除非
另有说明。
2
JA
被指定为最坏情况下的安装条件,即
JA
为特定网络版的
设备插座CERDIP和PDIP封装;
JA
被指定为设备
焊接到印刷电路板上的SOIC封装。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在OP200具有专用ESD保护电路,造成永久性损坏可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
版本B
–5–
a
特点
低输入失调电压: 75 V最大
低失调电压漂移,在-55℃ <牛逼
A
< + 125 C:
0.5 V / C(最大值)
低电源电流(每个放大器) : 725
mA
最大
高开环增益: 5000 V / mV的最小值
低输入偏置电流: 2 nA的最大
低噪声电压密度: 11纳伏/ √Hz的在1 kHz
稳定大容性负载: 10 nF的典型值
引脚兼容, OP221 , MC1458和LT1013用
改进的性能
提供裸片形式
概述
双低失调,低功耗
运算放大器连接器
OP200
引脚连接
16引脚SOIC
(S
-
后缀)
+ IN A
2
NC
3
V–
4
NC
5
+ IN B
6
该OP200是首款单片双通道运算放大器
提供OP77型精密性能。提供工业
标准的8引脚引脚配置, OP200结合精度性能
用空间和成本节约通过双放大器提供。
在OP200提供的更小的极低的输入偏移电压
超过75
mV
低于0.5的漂移
毫伏/ ∞C ,
保证在整个
军用温度范围。在OP200的开环增益超过
500万到10千瓦负荷;输入偏置电流低于2 nA的;
CMR是超过120分贝PSRR低于1.8
mV / V的。
片上zener-
扎普修整用于实现极低的输入偏移
电压的OP200的和不需要偏移拉动。
在OP200的功耗非常低,与每个放大器
绘制小于725
mA
电源电流。的总电流
由双OP200绘制小于二分之一,单一的
OP07 ,然而OP200提供超过这一显著改善
工业标准运算放大器。该OP200的电压噪声密度,
11纳伏/ √Hz的在1 kHz ,是成功的一半,大多数有竞争力的设备。
该OP200引脚与OP221 , LM158兼容,
MC1458 / 1558 ,和LT1013 。
NC
8
NC =无连接
环氧树脂的Mini- DIP
( P-后缀) ,
8引脚DIP密封
( Z-后缀)
OUT A
1
-IN一
2
+ IN A
3
V–
4
A
– +
B
+ –
该OP200是需要多个应用的理想选择
精密运算放大器和需要低功耗是至关重要的。
对于一个四精密运算放大器,看到OP400 。
V+
BIAS
电压
限制
+ IN
In
REV 。一
图1原理示意图(其中两个放大器被示出。 )
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
-IN B
7
-IN一
1
16
OUT A
15
NC
14
NC
13
V+
12
NC
11
NC
+
+
10
OUT B
9
NC
8
7
6
5
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
OUT
V–
OP200–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
输入失调电压
长期投入
电压稳定
输入失调电流I
OS
输入偏置电流
输入噪声电压
输入噪声
电压密度
1
I
B
e
氮,磷,磷
e
n
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
0.1赫兹到10赫兹
f
O
= 10赫兹
f
O
= 1000赫兹
0.1赫兹到10赫兹
f
O
= 10赫兹
符号
V
OS
条件
(V
S
=
±15
V,T
A
= 25℃,除非另有说明。 )
OP200A/E
TYP MAX
25
0.1
0.05
0.1
0.5
22
11
15
0.4
10
125
36
18
1.0
2.0
75
OP200F
最小典型最大
50
0.1
0.05
0.1
0.5
22
11
15
0.4
10
125
3000
1500
7000
3200
3000
1500
36
18
2.0
4.0
150
OP200G
最小典型最大
80
0.1
0.05
0.1
0.5
22
11
15
0.4
10
125
7000
3200
3.5
5.0
200
单位
mV
毫伏/月
nA
nA
mV
p-p
纳伏/赫兹
pA
p-p
PA / Hz的
MW
GW
输入噪声电流I
氮,磷,磷
输入噪声
电流密度
输入阻抗
差模
输入阻抗
共模
大信号
电压增益
i
n
R
IN
R
INCM
A
VO
V
O
-
±
10 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
5000
2000
12000
3700
M /毫伏
笔记
1
样品测试
2
保证,但不是100 %测试
3
通过CMR测试保证
–2–
REV 。一
OP200
电气特性
(V = 15 V , -55℃
T
, 125 ℃下OP200A除非另有说明)。
S
A
参数
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
符号
V
OS
TCV
OS
I
OS
I
B
A
VO
条件
OP200A
典型值
45
0.2
最大
125
0.5
2.5
5.0
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
V / MV
V / MV
V
dB
mV / V的
V
V
VCM = 0 V
VCM = 0 V
V
O
= 10 V
R
L
= 10
W
R
L
= 2千瓦
V
CM
=
±
12 V
V
S
= +3 V至+18 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
空载
A
V
= +1
±
12
±
11
3000
1000
±
12
115
0.15
0.9
9000
2700
±
12.5
130
0.2
±
12.4
±
12
600
8
输入电压范围*
共模抑制
电源抑制比
输出电压摆幅
每个放大器器电源电流
容性负载稳定性
*保证
通过CMR测试。
IVR
CMR
PSRR
V
O
I
SY
3.2
775
mA
nF
电气特性
(V =
S
15 V ,T
A
= 25℃,除非另有说明。 )
OP200F
最小典型最大
±
12
115
1.8
±
12
±
11
725
0.1
±
13
135
0.4
±
12.6
±
12.2
570
0.15
500
123
145
3.2
10
123
725
0.1
3.2
±
12
±
11
OP200G
最小典型最大
±
12
110
±
13
130
0.6
±
12.6
±
12.2
570
0.15
500
145
3.2
10
725
5.6
单位
V
dB
mV / V的
V
V
mA
V / ms的
千赫
dB
pF
nF
参数
符号
条件
OP200A/E
TYP MAX
±
12
±
13
135
0.4
±
12
±
11
±
12.6
±
12.2
570
0.1
0.15
500
123
145
3.2
输入电压范围
3
IVR
共模
拒绝
电源
抑制比
输出电压
摇摆
电源电流
每个放大器
压摆率
增益带宽
产品
声道分离
2
CS
输入电容
容性负载
稳定性
笔记
1
样品测试
2
保证,但不是100 %测试
3
通过CMR测试保证
CMR
PSRR
V
O
V
CM
=
±
12 V
V
S
=
±
3 V
to
±
18 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
空载
120
I
SY
SR
增益带宽积
A
V
= 1
V
O
= 20 Vp-p的
f
O
= 10赫兹
A
V
= 1
无振荡
C
IN
10
REV 。一
–3–
OP200–SPECIFICATIONS
电气特性
(V =
±15
V, -40℃
T
85 ℃,除非另有说明。 )
S
A
参数
输入失调电压
符号
V
OS
条件
OP200E
典型值
35
0.2
最大
100
0.5
2.5
5.0
OP200F
最小典型最大
80
0.5
0.08
0.3
2000
1000
±
12
110
5000
2500
±
12.5
130
0.15
±
12
±
11
±
12.4
±
12
600
10
10
775
5.6
250
1.5
3.5
70
OP200G
最小典型最大
110
0.6
0.1
0.5
2000
1000
±
12
105
5000
2500
±
12.5
130
0.3
±
12
±
11
±
12.4
±
12.2
600
10
10
775
10.0
300
2.0
6.0
10.0
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
V / MV
V / MV
V
dB
mV / V的
V
V
mA
nF
nF
平均输入失调
电压漂移
TCV
OS
输入失调电流I
OS
输入偏置电流
大信号
电压增益
输入电压
范围*
共模
拒绝
电源
抑制比
输出电压
摇摆
电源电流
每个放大器
容性负载
稳定性
*保证
通过CMR测试。
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
O
=
±
10 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
3000
1500
±
12
V
CM
=
±
12 V
V
S
=
±
3 V
to
±
18 V
R
L
= 10千瓦
R
L
= 2千瓦
空载
A
V
= 1
无振荡
±
12
±
11
115
0.08
03
10000
3200
±
12.5
130
0.15
±
12.4
±
12
600
10
10
I
B
A
VO
IVR
CMR
PSRR
V
O
3.2
I
SY
775
–4–
REV 。一
OP200
1/2
OP200
V
1
20Vp -P @ 10Hz的
100
10k
50k
50
1/2
OP200
V
2
1/2
OP200
1/2
OP200
e
OUT
频谱
分析仪
声道分离度= 20日志
V
1
V
2
/1000
e
OUT
(NV /
赫兹)
=
2
e
OUT
(NV /
赫兹)
101
图2声道分离度测试电路
图3.噪声测试示意图
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
20 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
30 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。电源电压
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
存储温度范围
P,S ,Z型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围(焊接, 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
结温(T
J
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
OP200A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
OP200E , OP200F 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
OP200G 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
套餐类型
8引脚DIP密封(Z )
8引脚塑料DIP ( P)
16引脚SOL ( S)
JA
2
JC
订购指南
T
A
= 25 C
V
OS
最大
( V)
75
75
150
200
200
CERDIP
8-Pin
OP200AZ
OP200EZ
OP200FZ*
OP200GP
OP200GS
操作
温度
范围
米尔
XIND
XIND
XIND
XIND
塑料
*不
新设计的,过时的2002年4月。
单位
° C / W
° C / W
° C / W
148
96
92
16
37
27
军用处理过的器件,请参考标准
微电路图纸( SMD)可在
www.dscc.dla.mil/programs/milspec/default.asp
SMD零件编号
5962-8859301M2A
5962-8859301MPA
ADI等效
OP200ARCMDA
OP200AZMDA
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件,除非
另有说明。
2
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件下,即
JA
为特定网络版的
设备插座CERDIP和P - DIP封装;
JA
被指定为设备
焊接到印刷电路板上的SOL包。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在OP200具有专用ESD保护电路,造成永久性损坏可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
REV 。一
–5–
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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