修订

LTR

A

B

C

描述

添加设备类型04设备类V和抗辐射的要求。

删除笼64155. -ro

图纸更新，以反映当前的需求。 -rrp

更新绘图作为5年审查的一部分。 - JT

日期（YR -MO- DA）的

00-03-16

05-01-20

12-10-01

批准

R. MONNIN

R. MONNIN

C.塞夫勒

转

片

转

片

REV状态

SHEETS作者

PMIC N / A

转

片

编制

RICK人员

C

1

C

2

C

3

C

4

C

5

C

6

C

7

C

8

C

9

C

10

C

11

C

12

标准

微型电路

制图

这个图是可用

供所有

DEPARTMENTS

与机构

国防部

检查

查尔斯·E· Besore

经批准

迈克尔·弗莱A.

图纸批准日期

89-10-25

修订级别

C

SIZE

A

DLA陆地和海上

美国俄亥俄州哥伦布市43218-3990

http://www.landandmaritime.dla.mil

微型电路，线性， JFET输入，

运算放大器的单片

硅

美国超导公司N / A

CAGE CODE

67268

片

1 12

5962-89543

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E483-12

1.范围

1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平，包括高可靠性（设备类Q和

M）和空间应用程序（设备类V） 。案例的选择，外形和引线均可加工，并反映在第一部分

或识别号码（PIN） 。当可用，辐射硬度保证（ RHA ）水平的选择反映在PIN。

1.2 PIN。 PIN码是如图所示的实施例。

对于设备类M和Q ：

5962

-

89543

01

G

A

联邦

股票类

代号

\

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

/

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

\/

图号

对于设备类V ：

5962

R

89543

04

V

G

A

联邦

股票类

代号

\

RHA

代号

（参见1.2.1 ）

/

设备

TYPE

（参见1.2.2 ）

设备

类

代号

（参见1.2.3 ）

例

概要

（参见1.2.4 ）

领导

完

（参见1.2.5 ）

\/

图号

1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平，并

标有相应的RHA标志。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中

指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号（ - ）表示非RHA设备。

1.2.2设备类型。设备类型识别电路的功能如下：

设备类型

01

02

03

04

通用号码

OP-16A

OP-16B

OP-16C

OP-16A

电路功能

JFET输入运算放大器

JFET输入运算放大器

JFET输入运算放大器

JFET输入运算放大器

抗辐射的要求

1.2.3设备类标志。设备类指示符是一个单字母标识产品保证水平为列出

下文。由于该设备类标志了原签发此图后增加了，设备类M和Q

代号将不会被包含在PIN并不会被标记的设备上。

设备类

M

设备需求文档

供应商自我认证，为MIL -STD- 883标准，不要求

符合MIL -PRF- 38535 ，附录A中JAN类B级微电路

认证和资格MIL -PRF- 38535

Q或V

标准

微电路图纸

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SIZE

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C

2

1.2.4案例概述。该案轮廓为指定的MIL -STD- 1835 ，如下所示：

概要信

G

P

描述性标志

MACY1-X8

GDIP1 - T8或CDIP2 -T8

码头

8

8

包装样式

可以

双列直插式

1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535规定的，

附录A设备类M.

1.3绝对最大额定值。 1 /

电源电压范围（V

S

):

设备01 ， 02和04：

正电源电压（V + ） ............................................ ..........................

负电源电压（ V - ） ........................................... ..........................

设备03 ：

正电源电压（V + ） ............................................ ..........................

负电源电压（ V - ） ........................................... ..........................

差分输入电压：

设备01 ， 02 ，和04 ........................................... ......................................

设备03 .....................................................................................................

输入电压：

设备01 ， 02 ，和04 ........................................... ......................................

设备03 .....................................................................................................

最大耗散功率（P

D

) .....................................................................

输出短路持续时间.............................................. ...............................

存储温度范围............................................... ...............................

引线温度（焊接， 60秒） .......................................... ............

结温（T

J

) ................................................................................

22 V直流

-22 V直流

+ 18V DC

-18 V直流

±40

V DC

±30

V DC

±20

V DC

±16

V DC

500毫瓦2 /

不定

-65 ° C至+ 150°C

+300°C

+150°C

热阻，结到外壳（ θ

JC

） ................................................. .....见MIL -STD- 1835

热阻，结到环境（ θ

JA

):

方案G ......................................................................................................... 150 ° C / W

例P.......................................................................................................... 119 ° C / W

1.4推荐工作条件。

电源电压（V

S

) .........................................................................................

±15

V

工作环境温度（T

A

） ................................................. ............... -55 ° C至+ 125°C

1.5辐射功能。

最大总剂量使用（剂量率= 50 - 300拉德（SI ） / S） ............................ 100 krads 3 /

1/

2/

3/

强调以上的绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作

最高级别可能会降低性能并影响可靠性。

线性降额6.7毫瓦/ ° C以上牛逼

A

= + 75 ℃， P封装;线性降额7.1毫瓦/ ° C以上牛逼

A

= + 80°C的G封装。

这些部件可以是剂量率在空间环境敏感，并且可以表现出增强的低剂量率的效果。

对于所提到的参数辐射终点限定仅适用于在符合MIL-STD -883中规定的条件保证的，

方法1019 ，条件A.

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3

2.适用文件

2.1政府规范，标准和手册。下面的说明书，标准，和手册形成部

此图在此规定的范围内。除非另有说明，这些文件的问题的那些引用的

招标或合同。

防御规格：DEPARTMENT

MIL -PRF- 38535 - 集成电路，制造，一般规格。

作者防御标准部

MIL -STD- 883 -

MIL -STD- 1835 -

测试方法标准为电路。

接口标准电子元器件案纲要。

防御的手册DEPARTMENT

MIL -HDBK- 103 -

MIL -HDBK -780 -

标准微电路图纸清单。

标准微电路图纸。

（提供这些文件的副本在网上

https://assist.dla.mil/quicksearch/

或从标准化文档

为了台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。 ）

2.2优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献中，文本之间的冲突的情况下

此图的优先。本文件的内容，但是，取代除非适用的法律和法规

特定豁免已获得。

3.要求

3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应按照

MIL -PRF- 38535和本文或修改设备制造商的质量管理（ QM）计划中指定。该

本文所述的修改，在质量管理计划不得影响外形，装配或功能。个别项目要求

装置M级应符合MIL -PRF- 38535 ，附录A非JAN级B级的设备并按规定

在本文中。

3.2设计，建设和物理尺寸。设计，施工，物理尺寸应符合规定

在MIL -PRF- 38535 ，并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ，附录A和这里的设备类M.

3.2.1案例概述。案件轮廓应符合1.2.4于此。

3.2.2终端连接。该终端的连接应符合图1上指定的。

3.2.3辐射暴露的电路。辐射暴露电路应在图2中指定。

3.3电气性能和照射后的参数限制。除非在本文中，特别说明

电性能特性和照射后的参数范围是如在表I中规定并应适用于整个

环境工作温度范围。

3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电

测试每个子组都在表I中定义

3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外，制造商的PIN码也可以是

标记。对于包时标记的整个SMD PIN码是不可行的，由于空间的限制，制造商

有未标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用该选项时， RHA标志仍应

标记。对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。对于设备M级标志应

按照MIL-PRF- 38535 ，附录A.

3.5.1认证/符合性标志。根据需要在认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"

MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ，附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"

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4

表I.电气性能特性。

条件1/2/ 3 /

-55°C

≤

T

A

≤

+125°C

除非另有说明

TEST

符号

A组

亚

1

2,3

设备

TYPE

民

01,04

范围

最大

±0.5

±0.9

单位

输入失调电压

V

OS

V

CM

= 0 V

mV

M，D ，P，L ，R

1

1

2,3

1

2,3

04

02

±2.0

±1.0

±2.0

03

±3.0

±4.5

输入偏移电压4 /

温度COEF网络cient

输入偏移电压4 /

调整

T

C

V

OS

V

IOADJ

+

V

IOADJ

-

-55 ° C至+ 125°C

2,3

1,2,3

04

04

0.5

5

μV/°C

mV

-0.5

V

S

=

±20

V, V

CM

= 0 V 5/

1,3

2

M，D ，P，L ，R

1

1,3

2

1,3

2

03

04

02

01,04

±10.0

±4.0

±0.3

±20.0

±6.0

±50.0

±9.0

01,04

±50.0

±5.0

04

02

±3.0

±100.0

±7.5

03

±200.0

±10.0

pA

nA

nA

pA

nA

pA

nA

pA

nA

nA

pA

nA

pA

nA

输入失调电流

I

OS

输入偏置电流

I

IB

V

S

=

±20

V, V

CM

= 0 V 5/

1,3

2

M，D ，P，L ，R

1

1,3

2

1,3

2

参见脚注表的末尾。

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