【OMY140 OMY340OMY240 OMY440在HERMETIC隔离功率MOSFETTO- 2】,IC型号OMY140,OMY140 PDF资料,OMY140经销商,ic,电子元器件-51电子网

OMY140 OMY340

OMY240 OMY440

在HERMETIC隔离功率MOSFET

TO- 257AA封装

100V直通500V ，最高可达14安培， N沟道

在MOSFET的密封金属封装

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

相当于IRFY 140系列

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。

最大额定值

@ 25°C

产品型号

OMY140

OMY240

OMY340

OMY440

V

DS

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.115

.21

.58

.88

I

D（最大）

14A

10A

7A

3.1

概要

接线图

1.门

2.漏

3.源

1 2 3

4 11 R2

取代1 07 R1

3.1 - 5

3.1

OMY140 - OMY440

电气特性：

静态P / N OMY140

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

14

0.1

0.2

2.0

100

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

静态P / N OMY240

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

当前

1

14

1.8

0.1

0.2

2.0

200

T

C

= 25° ，除非另有说明

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.40 1.73

.115

.20

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.1

0.21

0.40

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10

1275

550

160

16

19

42

24

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 15 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V，I

D

@5

A

R

g

= 5

W

, V

GS

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

1000

250

100

17

52

36

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 10 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 75 V，I

D

@

18 A

R

g

=5

W

, V

GS

= 10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

200

- 2.0

V

ns

反向恢复时间

- 108

A

- 27

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

350

- 18

- 72

-1.5

A

V

ns

T

C

= 25℃ ，我

S

= -24 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

反向恢复时间

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

3.1 - 6

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -18 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

静态P / N OMY340

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

10

2.5

0.1

0.2

2.0

400

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

静态P / N OMY440

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

4.5

3.2

0.1

0.2

2.0

500

T

C

= 25° ，除非另有说明

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.9

0.58

1.16

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

3.52

0.88

1.76

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

4.0

4.4

1150

165

70

17

12

45

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 5 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 175 V，I

D

=

5 A

R

g

= 5

W

, V

DS

=10V

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

4.0

4.8

1225

200

85

17

5

42

14

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 4 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 200 V，I

D

=

4 A

R

g

= 5

W

, V

DS

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

530

-2

V

ns

反向恢复时间

- 40

A

- 10

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

700

-8

- 32

-2

T

C

= 25℃ ，我

S

= -10 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

反向恢复时间

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 7

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -18 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

OMY140 - OMY440

3.1

OMY140 - OMY440

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

DS

V

DGR

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

V

GS

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M )

连续漏电流

2

连续漏电流

2

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

OMY140

100

± 14

± 56

± 20

125

50

1.0

.015

OMY240

200

± 14

± 11

± 56

± 20

125

50

1.0

.015

OMY340

400

± 10

±6

± 40

± 20

125

50

1.0

.015

OMY440

500

±8

±5

± 32

± 20

125

50

1.0

.015

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制= 10安培

热阻

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.00

65

° C / W

自由空气操作

功率降额

机械概要

.420

.410

.200

.190

.045

.035

.665

.645

.537

.527

.430

.410

0.038 MAX 。

.150

.140

3.1

.750

.500

.005

.035

.025

.100 TYP 。

0.120 TYP 。

封装选项

MOD PAK

6引脚SIP

注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246

OMY140 OMY340

OMY240 OMY440

在HERMETIC隔离功率MOSFET

TO- 257AA封装

100V直通500V ，最高可达14安培， N沟道

在MOSFET的密封金属封装

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

相当于IRFY 140系列

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。

最大额定值

@ 25°C

产品型号

OMY140

OMY240

OMY340

OMY440

V

DS

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.115

.21

.58

.88

I

D（最大）

14A

10A

7A

3.1

概要

接线图

1.门

2.漏

3.源

1 2 3

4 11 R2

取代1 07 R1

3.1 - 5

3.1

OMY140 - OMY440

电气特性：

静态P / N OMY140

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

14

0.1

0.2

2.0

100

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

静态P / N OMY240

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

当前

1

14

1.8

0.1

0.2

2.0

200

T

C

= 25° ，除非另有说明

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.40 1.73

.115

.20

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.1

0.21

0.40

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10

1275

550

160

16

19

42

24

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 15 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V，I

D

@5

A

R

g

= 5

W

, V

GS

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

1000

250

100

17

52

36

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 10 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 75 V，I

D

@

18 A

R

g

=5

W

, V

GS

= 10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

200

- 2.0

V

ns

反向恢复时间

- 108

A

- 27

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

350

- 18

- 72

-1.5

A

V

ns

T

C

= 25℃ ，我

S

= -24 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

反向恢复时间

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

3.1 - 6

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -18 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

静态P / N OMY340

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

10

2.5

0.1

0.2

2.0

400

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

静态P / N OMY440

参数

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

4.5

3.2

0.1

0.2

2.0

500

T

C

= 25° ，除非另有说明

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.9

0.58

1.16

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

V

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

3.52

0.88

1.76

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

mA

V

GS

= 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

4.0

4.4

1150

165

70

17

12

45

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 5 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 175 V，I

D

=

5 A

R

g

= 5

W

, V

DS

=10V

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

4.0

4.8

1225

200

85

17

5

42

14

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 4 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 200 V，I

D

=

4 A

R

g

= 5

W

, V

DS

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

530

-2

V

ns

反向恢复时间

- 40

A

- 10

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管正向

电压

1

700

-8

- 32

-2

T

C

= 25℃ ，我

S

= -10 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

反向恢复时间

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 7

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -18 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

OMY140 - OMY440

3.1

OMY140 - OMY440

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

DS

V

DGR

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

V

GS

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M )

连续漏电流

2

连续漏电流

2

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

OMY140

100

± 14

± 56

± 20

125

50

1.0

.015

OMY240

200

± 14

± 11

± 56

± 20

125

50

1.0

.015

OMY340

400

± 10

±6

± 40

± 20

125

50

1.0

.015

OMY440

500

±8

±5

± 32

± 20

125

50

1.0

.015

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制= 10安培

热阻

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.00

65

° C / W

自由空气操作

功率降额

机械概要

.420

.410

.200

.190

.045

.035

.665

.645

.537

.527

.430

.410

0.038 MAX 。

.150

.140

3.1

.750

.500

.005

.035

.025

.100 TYP 。

0.120 TYP 。

封装选项

MOD PAK

6引脚SIP

注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246