【OMD100 OMD400OMD200 OMD500四个N沟道MOSFET HERMETIC功率封装】,IC型号OMD200,OMD200 PDF资料,OMD200经销商,ic,电子元器件-51电子网

OMD100 OMD400

OMD200 OMD500

四个N沟道MOSFET HERMETIC

功率封装

100V直通500V ，最高达25安培， N沟道

MOSFET在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。

PER晶体管最大额定值

@ 25°C

产品型号

OMD100

OMD200

OMD400

OMD500

V

DS

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.08

.11

.35

.43

I

D

25A

13A

11A

3.1

概要

接线图

FET 4

G

S

D

FET 3

的s

D

1.520

.150

.500

分钟。

.260

1.000

平方米。

45°

REF

.170 R.

典型值。

.156直径。

典型值。

0.040 LEAD

DIA 。

D

S

G

S

D

.187

典型值。

.125

（ 10 PLCS ）

.625

.050

.270

FET 1

FET 3

4 11 R2

取代1 07 R1

3.1 - 1

3.1

OMD100 - OMD500

电气特性：

静态P / N OMD100 （ 100V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

35

1.1

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OMD200 （ 200V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

30

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.60

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= -20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

2.0

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.36 1.76

.085 .110

0.14 .200

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= + 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A,

T

C

= 125 C

静态漏源导通状态

.065 .080

.10

.160

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

前锋

Transductance

1

9.0

10

2700

1300

470

28

45

100

50

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 20 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V，I

D

@

20 A

R

g

= 5.0

W

, V

G

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10.0 12.5

2400

600

250

25

60

85

38

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 16 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 75 V，I

D

@

16 A

R

g

= 5.0

W

,V

GS

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

400

- 40

- 160

- 2.5

A

V

ns

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

（体二极管）

- 30

- 120

-2

350

T

C

= 25℃ ，我

S

= -40 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 2

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -30 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

静态P / N OMD400 （ 400V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

15

2.0

0.30

.60

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OMD500 （ 500V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

13

2.1

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.8

.35

.70

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

3.0

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A,

T

C

= 125 C

静态漏源导通状态

0.35 0.43

0.66 0.88

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

9.6

2900

450

150

30

40

80

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 8.0 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 200 V，I

D

@

8.0 A

R

g

=5.0

W

, V

GS

=10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

7.2

2600

280

40

30

46

75

31

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 7.0 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 210 V，I

D

@

7.0 A

R

g

= 5.0

W

, V

GS

= 10 V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

600

- 15

- 60

- 1.6

A

V

ns

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

700

- 13

- 52

- 1.4

T

C

= 25℃ ，我

S

= -15 A，V

GS

= 0

T

J

= 100℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 3

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

OMD100 - OMD500

T

C

= 25℃ ，我

S

= -13 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

3.1

OMD100 - OMD500

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

DS

V

DGR

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

V

GS

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M )

连续漏电流

2

连续漏电流

2

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

OMD100

100

± 25

± 16

± 100

± 20

125

50

1.0

.033

OMD200

200

± 25

± 16

± 80

± 20

125

50

1.0

.033

OMD400

400

± 13

±.8

± 54

± 20

125

50

1.0

.033

OMD500

500

± 11

±7

± 40

±20

125

50

1.0

.033

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制= 10安培

热阻

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.0

30

° C / W

自由空气操作

功率降额

3.1

封装选项

MOD PAK

6引脚SIP

注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246

OMD100 OMD400

OMD200 OMD500

四个N沟道MOSFET HERMETIC

功率封装

100V直通500V ，最高达25安培， N沟道

MOSFET在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。

PER晶体管最大额定值

@ 25°C

产品型号

OMD100

OMD200

OMD400

OMD500

V

DS

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.08

.11

.35

.43

I

D

25A

13A

11A

3.1

概要

接线图

FET 4

G

S

D

FET 3

的s

D

1.520

.150

.500

分钟。

.260

1.000

平方米。

45°

REF

.170 R.

典型值。

.156直径。

典型值。

0.040 LEAD

DIA 。

D

S

G

S

D

.187

典型值。

.125

（ 10 PLCS ）

.625

.050

.270

FET 1

FET 3

4 11 R2

取代1 07 R1

3.1 - 1

3.1

OMD100 - OMD500

电气特性：

静态P / N OMD100 （ 100V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

35

1.1

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OMD200 （ 200V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

30

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.60

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= -20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

2.0

4.0

100

-100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

1.36 1.76

.085 .110

0.14 .200

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= + 20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A,

T

C

= 125 C

静态漏源导通状态

.065 .080

.10

.160

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

前锋

Transductance

1

9.0

10

2700

1300

470

28

45

100

50

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 20 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V，I

D

@

20 A

R

g

= 5.0

W

, V

G

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10.0 12.5

2400

600

250

25

60

85

38

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 16 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 75 V，I

D

@

16 A

R

g

= 5.0

W

,V

GS

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

400

- 40

- 160

- 2.5

A

V

ns

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

（体二极管）

- 30

- 120

-2

350

T

C

= 25℃ ，我

S

= -40 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 2

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

T

C

= 25℃ ，我

S

= -30 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

静态P / N OMD400 （ 400V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

15

2.0

0.30

.60

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OMD500 （ 500V ）

参数

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

GSSR

I

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

1

静态漏源导通状态

阻力

1

静态漏源导通状态

阻力

1

当前

1

13

2.1

0.1

0.2

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

2.8

.35

.70

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 8.0 A,

T

C

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

V

nA

mA

A

3.0

V

GS

= 0,

I

D

= 250

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= +20 V

V

GS

= - 20 V

V

DS

=最大。鼠。，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。鼠。，V

GS

= 0,

T

C

= 125° C

V

DS

2 V

DS （ ON）

, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A,

T

C

= 125 C

静态漏源导通状态

0.35 0.43

0.66 0.88

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

9.6

2900

450

150

30

40

80

30

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 8.0 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 200 V，I

D

@

8.0 A

R

g

=5.0

W

, V

GS

=10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

7.2

2600

280

40

30

46

75

31

S（ W

)

V

DS

2 V

DS （ ON）

, I

D

= 7.0 A

pF

ns

V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 210 V，I

D

@

7.0 A

R

g

= 5.0

W

, V

GS

= 10 V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

600

- 15

- 60

- 1.6

A

V

ns

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

SM

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

700

- 13

- 52

- 1.4

T

C

= 25℃ ，我

S

= -15 A，V

GS

= 0

T

J

= 100℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

V

SD

t

rr

ns

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

A

V

(W )

3.1 - 3

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

G

D

S

OMD100 - OMD500

T

C

= 25℃ ，我

S

= -13 A，V

GS

= 0

T

J

= 150℃ ，我

F

= I

S

,

dl

F

/ DS = 100 A / MS

3.1

OMD100 - OMD500

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

DS

V

DGR

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

V

GS

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 1 M )

连续漏电流

2

连续漏电流

2

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

OMD100

100

± 25

± 16

± 100

± 20

125

50

1.0

.033

OMD200

200

± 25

± 16

± 80

± 20

125

50

1.0

.033

OMD400

400

± 13

±.8

± 54

± 20

125

50

1.0

.033

OMD500

500

± 11

±7

± 40

±20

125

50

1.0

.033

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制= 10安培

热阻

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.0

30

° C / W

自由空气操作

功率降额

3.1

封装选项

MOD PAK

6引脚SIP

注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246