OM6508SA
OM6509SA
绝缘栅双极晶体管
（ IGBT ）在密封TO- 254AA封装
500伏， 5安培10 ， N沟道IGBT
用软恢复二极管
在密闭的金属包
特点
隔离密封金属封装
高输入阻抗
低导通电压
高电流能力
快速关断
低传导损耗
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
续流二极管
可用陶瓷贯穿件
描述
该电源模块包括具有高的IGBT功率晶体管
阻抗绝缘栅双极性的低导通电阻特性
晶体管与续流二极管两端的发射极和集电极相连。
这些装置非常适用于电机驱动器， UPS的转换器，电源供应器
和谐振电源转换器。
最大额定值
@ 25°C ，除非另有规定
部分
数
OM6508SA
OM6509SA
I
C
（续）
@ 90 ° C，A
5
10
V
（ BR ） CES
V
500
500
V
CE （SAT）
（典型值）。
V
2.8
2.8
T
f
（典型值）。
ns
400
400
q
JC
° C / W
3.8
3.0
P
D
W
35
42
T
J
°C
150
150
3.1
概要
集热器
机械概要
0.144 DIA 。
.545
.535
.050
.040
.685
.665
.800
.790
.550
.530
1
C
2
E
3
G
门
引脚连接
引脚1 ：收藏家
引脚2 ：发射器
引脚3 ：门
.550
.510
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.005
辐射源
.150典型。
封装选项
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。示例 - OMXXXXCSA 。
IGBT是也可以在Z-选项卡，双路和四路白沙风格 - 请拨打厂家咨询。
4 11 R2
取代2 07 R1
3.1 - 147
3.1
初步数据： OM6509SA
IGBT特性
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
500
0.25
1.0
±100
V
mA
mA
nA
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 125°C
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
V
GE （日）
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
t
r
t
R（伏）
t
f
t
交
E
关闭
V
f
I
r
t
rr
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
关断损耗
最大正向电压
最大反向电流
反向恢复时间
2.0
260
50
20
37
150
.35
.81
1.2
.95
1.5
1.4
150
1.5
35
S
pF
pF
pF
nS
nS
S
S
S
mJ
V
V
A
mA
nS
I
F
= 8 A，T
C
= 25°C
I
F
= 8 A，T
C
= 150°C
V
R
= 600 V ，T
C
= 25°C
V
R
= 480 V ，T
C
= 125°C
I
F
= 1 A，D
i
/ d
t
= -15 μ / S
V
R
= 30 V ，T
j
= 25°C
t
rr
注1 ：通过二极管本人水平有限
r
的特点。
反向恢复时间
I
r
最大反向电流
V
CE
= 20 V，I
C
= 5 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 400 V，I
C
= 5 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 47
V
CEclamp
= 400 V，I
C
= 5 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
L = 0.1 mH的，T
j
= 100°C
2.8
3.0
V
2.0
3.0
4.0
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 5 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 5 A
T
C
= 100°C
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（关闭）
t
f
t
交
E
关闭
V
f
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
V
GE （日）
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
关断损耗
最大正向电压
2.5
950
140
80
150
1000
700
1500
1.2
1.5
2.0
4.0
1.4
1.5
500
3.0
35
S
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
S
S
S
mJ
V
V
A
mA
nS
I
F
= 16 A，T
C
= 25°C
I
F
= 16 A，T
C
= 150°C
V
R
= 600 V ，T
C
= 25°C
V
R
= 480 V ，T
C
= 125°C
I
F
= 1 A，D
i
/ d
t
= -15 μ / S
V
R
= 30 V ，T
j
= 25°C
注1 ：通过二极管本人水平有限
r
的特点。
V
CEclamp
= 350 V，I
C
= 10 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
L = 180 μH ，T
j
= 100°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 10 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
V
CE
= 20 V，I
C
= 10 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
2.8
3.0
V
2.0
3.0
4.0
2.7
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 10 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 10 A
T
C
= 100°C
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
±100
nA
I
CES
参数 - 关
（见注1 ）
V
（ BR ） CES
集电极发射极
击穿电压
零栅极电压
漏电流
0.25
1.0
mA
mA
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
500
V
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 125°C
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
OM6508SA - OM6509SA
初步数据： OM6508SA
IGBT特性
参数 - 关
（见注1 ）
V
（ BR ） CES
集电极发射极
击穿电压
I
CES
零栅极电压
漏电流
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
开关，阻性负载
开关，阻性负载
切换感性负载
切换感性负载
二极管的特性
二极管的特性
QQ：2880707522 复制
