OM6505SA
OM6506SA
绝缘栅双极晶体管
（ IGBT ）在密封TO- 254AA封装
500伏， 15和20安培， N沟道IGBT
在密闭的金属包
特点
隔离密封金属封装
高输入阻抗
低导通电压
高电流能力
快速关断
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
低传导损耗
可用陶瓷贯穿件
描述
IGBT的功率晶体管具有高阻抗，绝缘栅和低
双极型晶体管的导通电阻特性。这些器件非常适合
对电机驱动器， UPS的转换器，电源和谐振功率转换器。
最大额定值
@ 25°C ，除非另有规定
部分
数
OM6505SA
OM6506SA
I
C
（续）
@ 90 ° C，A
15
20
V
（ BR ） CES
V
500
500
V
CE （SAT）
（典型值）。
V
2.8
2.8
T
f
（典型值）。
ns
400
400
q
JC
° C / W
1.75
1.00
P
D
W
72
125
T
J
°C
150
150
3.1
概要
集热器
机械概要
0.144 DIA 。
.545
.535
.050
.040
.685
.665
.800
.790
.550
.530
1
C
2
E
3
G
门
引脚连接
引脚1 ：收藏家
引脚2 ：发射器
引脚3 ：门
.550
.510
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.005
辐射源
.150典型。
封装选项
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。示例 - OMXXXXCSA 。
IGBT是也可以在Z-选项卡，双路和四路白沙风格 - 请拨打厂家咨询。
4 11 R2
取代2 07 R1
3.1 - 143
3.1
初步数据： OM6506SA
IGBT特性
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
500
0.25
1.0
±100
V
mA
mA
nA
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 125°C
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
V
GE （日）
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
t
r
t
R（伏）
t
f
t
交
E
关闭
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
关断损耗
5.0
1700
215
115
60
240
.55
.60
1.2
3.0
S
pF
pF
pF
nS
nS
S
S
S
mJ
V
CE
= 20 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 400 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 47
V
CEclamp
= 400 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
L = 0.1 mH的，T
j
= 100°C
2.8
3.0
V
2.0
3.0
4.0
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 100°C
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
T
D（关闭）
t
r
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
V
GE （日）
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
8.0
3500
250
50
100
200
1.0
2.0
1.0
3.0
S
pF
pF
pF
nS
nS
S
S
nS
S
V
CEclamp
= 400 V，I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
L = 0.1 mH的，T
j
= 125°C
V
CE
= 15 V，I
C
= 20 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 400 V，I
C
= 20 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 100
T
j
= 125°C
2.8
3.0
V
2.0
3.0
4.0
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 20 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 20 A
T
C
= 100°C
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
±100
nA
I
CES
参数 - 关
V
（ BR ） CES
集电极发射极
击穿电压
零栅极电压
漏电流
0.25
1.0
mA
mA
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
500
V
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 100°C
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
OM6505SA - OM6506SA
初步数据： OM6505SA
IGBT特性
参数 - 关
V
（ BR ） CES
集电极发射极
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
击穿电压
I
CES
零栅极电压
漏电流
开关，阻性负载
开关，阻性负载
切换感性负载
切换感性负载
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