OM6227SS OM6230SS OM6232SS
OM6228SS OM6231SS OM6233SS
双路高电流功率MOSFET
在HERMETIC隔离SIP封装
400V ， 500V ， 1000V ，高达24安培N沟道，
双尺寸6高能量的MOSFET
特点
双未提交的MOSFET
隔离密封金属封装
尺寸6模具，高耗能，高电压
快速开关，低驱动电流
易于并联以增加功率的
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路。该系列还采用了雪崩高
在升高的温度的能量的能力。
最大额定值
产品型号
OM6227SS
OM6228SS
OM6230SS
OM6231SS
OM6232SS
OM6233SS
*请参阅机械制图
V
DS
400
500
1000
400
500
1000
R
DS （ ON）
.20
.27
1.30
.20
.27
1.30
I
D
（ AMP）
24
22
10
24
22
10
*套餐
S-6D
S-6D
S-6D
S-6E
S-6E
S-6E
3.1
概要
漏
1
漏
6
门
3
体
二极管
门
4
体
二极管
来源
2
来源
5
4 11 R2
取代2 07 R1
3.1 - 123
3.1
OM6227SS - OM6233SS
电气特性：
特征
400V （每MOSFET ）
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电气特性：
特征
500V （每MOSFET ）
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 320 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
= 24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
14
-
-
-
5.0
5.0
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.20
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
400
-
-
VDC
MADC
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
= 24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
13
-
-
-
8.0
8.0
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.27
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
500
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 13 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 12A ADC）
VDC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 13 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 13 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
4000
550
110
-
-
-
pF
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
4000
480
95
-
-
-
pF
3.1 - 124
传输电容
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
35
95
80
80
110
20
80
-
-
-
-
14
-
-
0nC
ns
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
32
95
75
75
115
20
60
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
**
500
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
松开漏极至源雪崩特性
(T
J
< 150 ° ）
符号
单脉冲漏极至源雪崩能源
重复脉冲漏极至源雪崩能源
(1) V
DD
= 50V ，我
D
= 10A
（2 ）脉冲宽度和频率由T限定
J（下最大）
和热响应。
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
W
DSS
(1)
W
DSS
(2)
价值
1000
160
25
单位
mJ
OM6227SS - OM6233SS
电气特性：
特征
1000V （每MOSFET ）
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 500 V，I
D
= 10 A,
R
根
= 9.1欧姆
V
GS
= 10 V)
(V
DS
= 400 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 10 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
5.0
-
-
-
15
15.3
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
1.3
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
10
100
100
100
NADC
NADC
1000
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 10 A)
(I
D
= 5 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 5 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5500
530
90
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
60
115
240
140
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-NC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
-
1.1
VDC
ns
1100
**
600
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
绝对最大额定值PER MOSFET
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
W
DSS
(1)
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
减免上述25°C的
单脉冲能量
漏极至源@ 25°C
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（ 8"分之1案件从5秒）。
-55到+150
275
-55到+150
275
-55到+150
275
°C
°C
1000
1000
500
mJ
OM6227/
OM6231
400
400
24
92
165
1.31
OM6228/
OM6232
500
500
22
85
165
1.31
OM6230/
OM6233
1000
1000
10
30
165
1.31
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
3.1
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
.76
35
° C / W
° C / W
自由空气操作
3.1 - 125
OM6227SS - OM6233SS
机械尺寸封装S- 6D
1.375
.770
.118
.150直径。
2 plc的。
.275
.270
马克斯。
.040
.545
1
2
3
4
5
6
.500
分钟。
±.002
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
引脚4 ：
5脚：
引脚6 ：
漏
来源
门
门
来源
漏
.200
典型值。
1.000
.060 DIA 。
6 PLC等。
.145
机械尺寸封装S- 6E
1.875
.125
1.625
1.375
.250
2 plc的。
.125直径。
2 plc的。
.250
.295
.125
1
2
3
4
5
6
.270
最大
.040
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
引脚4 ：
5脚：
引脚6 ：
漏
来源
门
门
来源
漏
3.1
.545
.500
分钟。
.200
典型值。
.187
1.000
±.002
.060 DIA 。
6 PLC等。
.145
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2880707522 复制
