【OM6001ST OM6003ST OM6101ST OM6103STOM6002ST OM6004】,IC型号OM6102SR,OM6102SR PDF资料,OM6102SR经销商,ic,电子元器件-51电子网

OM6001ST OM6003ST OM6101ST OM6103ST

OM6002ST OM6004ST OM6102ST OM6104ST

功率MOSFET在HERMETIC隔离

JEDEC TO- 257AA封装

100V直通500V ，最高可达14安培， N沟道

MOSFET带或不带稳压门

钳位保护

特点

隔离密封金属封装

双边齐门保护（可选）

快速开关，低驱动电流

易于并联以增加功率的

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。 MOSFET栅极使用双边齐纳保护

夹在OM6101ST系列。

最大额定值

产品型号

OM6001ST/OM6101ST

OM6002ST/OM6102ST

OM6003ST/OM6103ST

OM6004ST/OM6104ST

注意：

100 V

200 V

400 V

500 V

DS （ ON）

.20

.44

1.05

1.60

14 A

5.5 A

4.5 A

3.1

OM6101ST通OM6104ST提供与齐纳栅极保护。

OM6001ST通OM6004ST提供无稳压门保护。

概要

无齐纳二极管钳位

OM6001ST - 6004ST

1 - 排水

与齐纳二极管钳位

OM6101ST - 6104ST

1 - 排水

3 - GATE

齐纳二极管

2 - 源

4 11 R4

取代1 07 R3

3.1 - 71

3.1

OM6001ST - OM6104ST

电气特性：

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSS

DSS

栅极阈值电压

门体泄漏（ OM6101 ）

门体泄漏（ OM6001 ）

零栅压漏

当前

D（上）

导通状态漏极

电压

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

当前

1.2

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSS

DSS

栅极阈值电压

门体泄漏（ OM6102 ）

门体泄漏（ OM6002 ）

零栅压漏

当前

D（上）

导通状态漏极

电压

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

当前

9.0

1.25

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

静态P / N OM6101ST / OM6001ST （ 100V ）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

2.0

4.0

± 500

± 100

0.25

1.0

1.60

0.20

0.40

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= ± 12.8 V

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 8 A

= 10 V，I

= 8 A

= 10 V，I

= 8 A,

= 125 C

静态P / N OM6102ST / OM6002 ST （ 200V ）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

2.0

4.0

± 500

± 100

0.25

1.0

2.2

0.44

0.88

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= ± 12.8 V

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 5.0 A

= 10 V，I

= 5.0 A

= 10 V，I

= 5.0 A,

= 125 C

DS （ ON）

静态漏源导通状态

DS （ ON）

静态漏源导通状态

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

前锋

4.0

750

250

100

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 8 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 30 V，I

8 A

= 7.5

, V

= 10 V

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

3.0

5.8

780

150

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 5.0 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 75V ，我

5.0 A

= 7.5

, V

=10 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

100

- 14

- 56

- 2.5

修改MOSPOWER

符号表现

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

-9

- 36

-2

250

积分P -N

结整流器。

= 25℃ ，我

= -14 A，V

= 0

= 25℃ ，我

= -12 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

二极管的正向电压

反向恢复时间

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

Transductance

(W )

3.1 - 72

动态

转发Transductance

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

= 25℃ ，我

= -9 A，V

= 0

= 25℃ ，我

= -8 A ，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSS

DSS

栅极阈值电压

门体泄漏（ OM6103 ）

门体泄漏（ OM6003 ）

零栅压漏

当前

D（上）

通态漏电流

电压

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

5.5

2.4

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSS

DSS

栅极阈值电压

门体泄漏（ OM6104 ）

门体泄漏（ OM6004 ）

零栅压漏

当前

D（上）

通态漏电流

电压

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

2.9

4.5

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

静态P / N OM6103ST / OM6003ST （ 400V ）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

2.0

4.0

± 500

± 100

0.25

1.0

3.15

1.05

2.0

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= ± 12.8 V

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 3.0 A

= 10 V，I

= 3.0 A

= 10 V，I

= 3.0 A,

= 125 C

静态P / N OM6104ST / OM6004ST （ 500V ）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

2.0

4.0

± 500

± 100

0.25

1.0

3.25 4.00

1.6

3.3

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= ± 12.8 V

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 2.5 A

= 10 V，I

= 2.5 A

= 10 V，I

= 2.5 A,

= 125 C

DS （ ON）

静态漏源导通状态

DS （ ON）

静态漏源导通状态

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

前锋

3.0

3.6

700

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 3.0 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 175 V，I

3.0 A

= 10

= 10 V

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

2.5

2.8

700

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 2.5 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 225 V，I

2.5 A

= 7.5

, V

= 10 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

470

- 5.5

- 22

- 1.6

- 2.5

修改MOSPOWER

符号表现

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

430

- 4.5

- 18

- 1.4

-2

积分P -N

结整流器。

= 25℃ ，我

= -5.5 A，V

= 0

= 25℃ ，我

= -4.5 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

Transductance

(W )

3.1 - 73

动态

转发Transductance

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

OM6001ST - OM6104ST

= 25℃ ，我

= -4.5 A，V

= 0

= 25℃ ，我

= -4 A ，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

3.1

OM6001ST - OM6104ST

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

DGR

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

结到外壳

结到环境

英镑

焊接温度

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1 M )

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

°C

OM6001ST OM6002ST OM6003ST OM6004ST

单位

OM6101ST OM6102ST OM6103ST OM6104ST

100

±14

±9

±56

0.4

.015

200

±9

±6

±36

0.4

.015

400

±5.5

±3.5

±22

0.4

.015

500

±4.5

±3

±18

0.4

.015

W / ℃，

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制

= 16安培

热阻（最大）在T

= 25°C

thJC

thJA

结到外壳

结到环境

2.5

° C / W

° C / W自由空气操作

功率降额

- 功耗（瓦）

Rθ

= 2.5 ° C / W

机械概要

与引脚连接

.420

.410

.200

.190

.045

.035

.665

.645

.537

.527

.430

.410

0.038 MAX 。

3.1

.150

.140

1 2 3

75 100 125 150 175

- 外壳温度（ C° ）

引脚1 ：漏

引脚2 ：源

引脚3 ：门

.750

.500

.005

.035

.025

.100 TYP 。

0.120 TYP 。

封装选项

MOD PAK

Z- TAB

6引脚SIP

注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。偶和唯一非门版本四边形。

请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246