OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SC
OM55N10SA OM75N05SA OM75N06SA
低电压，低字节R
DS （ ON）
功率MOSFET
在HERMETIC独立包装
50V ， 60V和100V超低低R
DS （ ON）
功率MOSFET采用TO- 254和TO- 258
隔离套餐
特点
隔离密封金属封装
超低低R
DS （ ON）
低传导损耗/低栅极电荷
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
可用陶瓷贯穿件
描述
该系列密封封装MOSFET的理想地适用于低电压
应用;电池供电的电压电源，马达控制，直流 - 直流
转换器和同步整流。低导通损耗更小的可
散热和低栅极改变简单的驱动电路。
最大额定值
（每设备）
产品型号
OM60N10SC
OM55N10SC
OM55N10SA
OM75N06SC
OM75N06SA
OM75N05SC
OM75N05SA
V
DS
(V)
100
100
100
60
60
50
50
R
DS （ ON）
( )
.025
.030
.035
.016
.018
.016
.018
I
D
(A)
60
55
55
75
75
75
75
包
TO-258AA
TO-258AA
TO-254AA
TO-258AA
TO-254AA
TO-258AA
TO-254AA
3.1
概要
漏
引脚连接
TO-254AA
TO-258AA
门
来源
1
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
2 3
漏
来源
门
1
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
2
3
漏
来源
门
4 11 R1
取代2 07 R0
3.1 - 47
OM55N10SA - OM75N06SC
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
结到外壳
T
J
T
英镑
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
操作和
-55到150
存储温度范围
300
300
300
300
°C
-55到150
-55 150 -55 150
°C
60N10SC
100
100
60
37
180
130
55
1.00
55N10SA
55N10SC
100
100
55
33
180
125
50
1.00
75N06SA
75N06SC
60
60
75
45
225
125
50
1.00
75N05SA
75N05SC
50
50
75
45
225
125
50
1.00
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒。 ）
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比1.5 ％ 。
2包装有限公司：
SA我
D
= 25A & SC我
D
= 35A @ 25°C
热阻
R
thJC
结到外壳
1.0
° C / W
包装限制
参数
I
D
连续漏电流
线性降额因子，结到环境
R
thJA
热阻，结到环境（自由空气操作）
TO254AA
25
.020
50
TO-258AA
35
.025
40
单位
A
W / ℃，
° C / W
机械概要
3.1
.165
.155
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.685
.665
.800
.790
0.144 DIA 。
.545
.535
.050
.040
.835
.815
.707
.697
.550
.530
.550
.530
0.092 MAX 。
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.550
.510
.005
0.200 TYP 。
.150典型。
TO-258AA
封装选项
TO-254AA
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。偶和唯一非门版本四边形。
请拨打厂家咨询。
3.1 - 48
OM60N10SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
60
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
720兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM55N10SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
55
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
600兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.025
0.05
V
60
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
60
240
1.6
180
1.8
10
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.03
0.06
V
55
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
55
220
1.5
180
1.8
11
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 49
I
SD
= 60 A，V
GS
= 0
I
SD
= 60 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
OM55N10SA - OM75N06SC
I
SD
= 55 A，V
GS
= 0
I
SD
= 55 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
3.1
3.1
OM55N10SA - OM75N06SC
OM55N10SA
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
55
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
600兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM75N06SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
60
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.035
0.070
V
55
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
55
180
1.5
180
1.8
11
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.016
0.032
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 50
I
SD
= 55 A，V
GS
= 0
I
SD
= 55 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 40 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 25 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
OM75N06SA
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
60
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM75N05SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
50
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.018
0.036
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 40 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.016
0.032
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 51
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 25 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 35 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
OM55N10SA - OM75N06SC
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 20 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
3.1
OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SC
OM55N10SA OM75N05SA OM75N06SA
低电压，低字节R
DS （ ON）
功率MOSFET
在HERMETIC独立包装
50V ， 60V和100V超低低R
DS （ ON）
功率MOSFET采用TO- 254和TO- 258
隔离套餐
特点
隔离密封金属封装
超低低R
DS （ ON）
低传导损耗/低栅极电荷
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
可用陶瓷贯穿件
描述
该系列密封封装MOSFET的理想地适用于低电压
应用;电池供电的电压电源，马达控制，直流 - 直流
转换器和同步整流。低导通损耗更小的可
散热和低栅极改变简单的驱动电路。
最大额定值
（每设备）
产品型号
OM60N10SC
OM55N10SC
OM55N10SA
OM75N06SC
OM75N06SA
OM75N05SC
OM75N05SA
V
DS
(V)
100
100
100
60
60
50
50
R
DS （ ON）
( )
.025
.030
.035
.016
.018
.016
.018
I
D
(A)
60
55
55
75
75
75
75
包
TO-258AA
TO-258AA
TO-254AA
TO-258AA
TO-254AA
TO-258AA
TO-254AA
3.1
概要
漏
引脚连接
TO-254AA
TO-258AA
门
来源
1
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
2 3
漏
来源
门
1
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
2
3
漏
来源
门
4 11 R1
取代2 07 R0
3.1 - 47
OM55N10SA - OM75N06SC
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
结到外壳
T
J
T
英镑
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
操作和
-55到150
存储温度范围
300
300
300
300
°C
-55到150
-55 150 -55 150
°C
60N10SC
100
100
60
37
180
130
55
1.00
55N10SA
55N10SC
100
100
55
33
180
125
50
1.00
75N06SA
75N06SC
60
60
75
45
225
125
50
1.00
75N05SA
75N05SC
50
50
75
45
225
125
50
1.00
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒。 ）
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比1.5 ％ 。
2包装有限公司：
SA我
D
= 25A & SC我
D
= 35A @ 25°C
热阻
R
thJC
结到外壳
1.0
° C / W
包装限制
参数
I
D
连续漏电流
线性降额因子，结到环境
R
thJA
热阻，结到环境（自由空气操作）
TO254AA
25
.020
50
TO-258AA
35
.025
40
单位
A
W / ℃，
° C / W
机械概要
3.1
.165
.155
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.685
.665
.800
.790
0.144 DIA 。
.545
.535
.050
.040
.835
.815
.707
.697
.550
.530
.550
.530
0.092 MAX 。
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.550
.510
.005
0.200 TYP 。
.150典型。
TO-258AA
封装选项
TO-254AA
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式。偶和唯一非门版本四边形。
请拨打厂家咨询。
3.1 - 48
OM60N10SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
60
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
720兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM55N10SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
55
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
600兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.025
0.05
V
60
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
60
240
1.6
180
1.8
10
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.03
0.06
V
55
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
55
220
1.5
180
1.8
11
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 49
I
SD
= 60 A，V
GS
= 0
I
SD
= 60 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
OM55N10SA - OM75N06SC
I
SD
= 55 A，V
GS
= 0
I
SD
= 55 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
3.1
3.1
OM55N10SA - OM75N06SC
OM55N10SA
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
55
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
600兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
100兆焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
37
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
100
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM75N06SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
60
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.035
0.070
V
55
25
4000
1100
250
90
270
270
120
200
210
410
55
180
1.5
180
1.8
11
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 30 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 80 V，I
D
= 30 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.016
0.032
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 50
I
SD
= 55 A，V
GS
= 0
I
SD
= 55 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 80 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 40 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 25 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
OM75N06SA
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
60
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
OM75N05SC
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
70
A
（重复或
非重复性，T
J
= 25°C)
900兆焦耳（起始物为
J
= 25°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
200毫焦耳（脉冲宽度的限制
经t
j max的情况
,
D<
1%)
40
A
（重复或
非重复性，T
J
= 100°C)
50
250
1000
±100
V
A
A
nA
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大。老鼠。
V
DS
=最大。老鼠。 ×0.8 ，T
C
= 125°C
V
GS
= ±20 V
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
雪崩特性
雪崩电流
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
雪崩电流
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.018
0.036
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 25 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 40 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
电气特性 - 关
V
（ BR ） DSS
漏源
击穿电压
零栅极电压
I
DSS
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
I
GSS
电流（V
DS
= 0)
电气特性 - 开*
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
I
D（上）
电气特性 - 动态
正向跨导
g
fs
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
电气特性 - 接通
开启时间
T
D（上）
上升时间
t
r
（ di / dt的）
on
导通电流斜率
2
4
0.016
0.032
V
75
25
4100
1800
420
190
900
150
130
360
280
600
75
300
1.5
120
0.45
6.5
A
S
pF
pF
pF
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
C
= 100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10 V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
3.1 - 51
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 25 V
总栅极电荷
Q
g
电气特性 - 关闭
关闭电压上升时间
T
R（ Voff时）
下降时间
t
f
交叉时间
t
交
电气特性 - 源极漏极二极管
源漏电流
I
SD
源极漏极电流（脉冲）
I
SDM
*
正向电压上
V
SD
反向恢复时间
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
NS V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A
纳秒
G
= 50 , V
GS
= 10 V
A / μs的V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
NC V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A，V
GS
= 10 V
nS
nS
nS
A
A
V
nS
C
A
V
DD
= 35 V，I
D
= 75 A
R
G
= 50 , V
GS
= 10 V
OM55N10SA - OM75N06SC
I
SD
= 75 A，V
GS
= 0
I
SD
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 20 V
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
*脉冲：脉冲宽度300μS ，占空比为1.5％ 。
3.1
QQ：2881677436 复制
