OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST
OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST
低电压，低字节R
DS （ ON）
功率MOSFET
在HERMETIC独立包装
50V和60V超低低R
DS （ ON）
功率MOSFET采用TO- 257和TO- 254
隔离套餐
特点
隔离密封金属封装
超低低R
DS （ ON）
低传导损耗/低栅极电荷
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
可用陶瓷贯穿件
描述
该系列密封封装MOSFET的理想地适用于低电压
应用;电池供电的电压电源，马达控制，直流 - 直流
转换器和同步整流。低导通损耗更小的可
散热和低门电荷简单的驱动电路。
最大额定值
（每设备）
产品型号
OM60N06SA
OM50N06SA
OM50N06ST
OM60N05SA
OM50N05SA
OM50N05ST
V
DS
(V)
60
60
60
50
50
50
R
DS （ ON）
( )
.025
.030
.035
.025
.030
.035
I
D
(A)
60
50
50
60
50
50
包
TO-254AA
TO-254AA
TO-257AA
TO-254AA
TO-254AA
TO-257AA
3.1
概要
漏
T- 3 PIN
连接
M- PAK PIN
连接
1 2 3
门
1
2
3
来源
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
4 11 R1
取代3 02 R0
3.1 - 65
OM60N06SA - OM50N05ST
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
结到外壳
T
J
T
英镑
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
栅源电压，连续
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
1
操作和
-55到150
存储温度范围
300
300
300
300
°C
-55到150
-55 150 -55 150
°C
60N06SA
60
60
+20
55
37
220
100
40
.80
50N06ST
50N05SA
60
60
+20
50
33
200
100
40
.80
60N05SA
50
50
+20
55
37
220
100
40
.80
50N05ST
50N05SA
50
50
+20
50
33
200
100
40
.80
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒。 ）
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比1.5 ％ 。
2包装有限公司SA我
D
= 25 A， SC SC我
D
= 35 A @ 25℃
热阻
R
thJC
结到外壳
1.25
° C / W
包装限制
参数
I
D
连续漏电流
线性降额因子，结到环境
R
thJA
热阻，结到环境（自由空气操作）
线性降额，结至外壳
TO254AA
25
.020
50
0.8
TO-257AA
15
.015
65
0.8
单位
A
W / ℃，
° C / W
W / ℃，
3.1
T- 3机械概要
M- PAK机械概要
封装选项
MOD PAK
Z- TAB
注意事项：
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到
零件号。示例 - OMXXXXCSA 。
MOSFET的也可在Z-白，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。
6引脚SIP
3.1 - 66
OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST
OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST
低电压，低字节R
DS （ ON）
功率MOSFET
在HERMETIC独立包装
50V和60V超低低R
DS （ ON）
功率MOSFET采用TO- 257和TO- 254
隔离套餐
特点
隔离密封金属封装
超低低R
DS （ ON）
低传导损耗/低栅极电荷
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
可用陶瓷贯穿件
描述
该系列密封封装MOSFET的理想地适用于低电压
应用;电池供电的电压电源，马达控制，直流 - 直流
转换器和同步整流。低导通损耗更小的可
散热和低门电荷简单的驱动电路。
最大额定值
（每设备）
产品型号
OM60N06SA
OM50N06SA
OM50N06ST
OM60N05SA
OM50N05SA
OM50N05ST
V
DS
(V)
60
60
60
50
50
50
R
DS （ ON）
( )
.025
.030
.035
.025
.030
.035
I
D
(A)
60
50
50
60
50
50
包
TO-254AA
TO-254AA
TO-257AA
TO-254AA
TO-254AA
TO-257AA
3.1
概要
漏
T- 3 PIN
连接
M- PAK PIN
连接
1 2 3
门
1
2
3
来源
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
4 11 R1
取代3 02 R0
3.1 - 65
OM60N06SA - OM50N05ST
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
结到外壳
T
J
T
英镑
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
栅源电压，连续
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
1
操作和
-55到150
存储温度范围
300
300
300
300
°C
-55到150
-55 150 -55 150
°C
60N06SA
60
60
+20
55
37
220
100
40
.80
50N06ST
50N05SA
60
60
+20
50
33
200
100
40
.80
60N05SA
50
50
+20
55
37
220
100
40
.80
50N05ST
50N05SA
50
50
+20
50
33
200
100
40
.80
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒。 ）
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比1.5 ％ 。
2包装有限公司SA我
D
= 25 A， SC SC我
D
= 35 A @ 25℃
热阻
R
thJC
结到外壳
1.25
° C / W
包装限制
参数
I
D
连续漏电流
线性降额因子，结到环境
R
thJA
热阻，结到环境（自由空气操作）
线性降额，结至外壳
TO254AA
25
.020
50
0.8
TO-257AA
15
.015
65
0.8
单位
A
W / ℃，
° C / W
W / ℃，
3.1
T- 3机械概要
M- PAK机械概要
封装选项
MOD PAK
Z- TAB
注意事项：
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到
零件号。示例 - OMXXXXCSA 。
MOSFET的也可在Z-白，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。
6引脚SIP
3.1 - 66
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