教派。 3.1数据表
8/7/00
上午11时52分
第107页
OM6056SB OM6058SB OM6060SB
初步数据表
OM6057SB OM6059SB OM6061SB
在密封功率MOSFET查出
功率模块封装
大电流，高电压100V直通1000V ，
高达190安培N沟道，大小7的MOSFET
特点
大小7模具，高能量
坚固的包装设计
焊接端子
非常低R
DS （ ON）
快速开关，低驱动电流
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
陶瓷贯穿件
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
技术相结合的专为高效率，高电流设计了一个包
应用程序。它们非常适用于高可靠性要求小尺寸，高
性能和高可靠性是必要的，并且在应用中，如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
该系列还具有在高温雪崩高能量的能力。
最大额定值
@ 25°C
产品型号
OM6056SB
OM6057SB
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
引脚连接
和原理图
V
DS
100 V
200 V
500 V
600 V
800 V
1000 V
R
DS （ ON）
.008
.018
.095
.140
.300
.500
I
D
（连续）
190 A
105 A
58 A
48 A
34 A
18 A
3.1
机械概要
4 11 R0
3.1 - 107
教派。 3.1数据表
8/7/00
上午11时52分
第108页
OM6056SB - OM6061SB
绝对最大额定值
(T
参数
漏源电压
漏栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
连续漏电流@ T
C
= 25°C 2
连续漏电流@ TC = 100 ℃， 2
脉冲漏当前1
马克斯。功率耗散@ T
C
= 25°C
马克斯。功率耗散@ T
C
= 100°C
线性降额因子结到外壳
线性降额因子结点到环境
操作和储存温度。范围
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
C
= 25 ° C除非另有说明）
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
OM6056SB OM6057SB OM6058SB OM6059SB OM6060SB OM6061SB
100
100
190
82
440
200
200
105
44
250
500
500
58
25
130
570
245
4.35
.033
-55到+150
230
2.封装引脚限制：
百安培@ 125°C 。
600
600
48
19
110
800
800
34
15
78
1000
1000
18
7.5
42
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒）
注：1.脉冲测试：
脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
热阻（最大值）
结到外壳
结到环境（自由空气操作）
@ T
A
= 25°C
.23
30
° C / W
° C / W
R
thJC
R
thJA
初步电气特性
特征
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
关机状态下漏源漏
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ±20 V
DC
V
DS
= V
DSS
x 0.8
V
GS
= 0V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
DSS
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。
2.0
马克斯。
4.0
±100
10
.10
100
200
500
600
800
1000
.008
.018
.095
.140
.300
.500
V
单位
V
nA
A
mA
产品型号
所有
所有
所有
所有
OM6056SB
OM6057SB
3.1
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A
V
DSS
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
OM6056SB
OM6057SB
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= I
D25
x 0.5
R
DS （ ON）
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
以上数据是初步的。请联系厂家进行额外的数据
而动态的开关特性。
教派。 3.1数据表
8/7/00
上午11时52分
第107页
OM6056SB OM6058SB OM6060SB
初步数据表
OM6057SB OM6059SB OM6061SB
在密封功率MOSFET查出
功率模块封装
大电流，高电压100V直通1000V ，
高达190安培N沟道，大小7的MOSFET
特点
大小7模具，高能量
坚固的包装设计
焊接端子
非常低R
DS （ ON）
快速开关，低驱动电流
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
陶瓷贯穿件
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
技术相结合的专为高效率，高电流设计了一个包
应用程序。它们非常适用于高可靠性要求小尺寸，高
性能和高可靠性是必要的，并且在应用中，如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
该系列还具有在高温雪崩高能量的能力。
最大额定值
@ 25°C
产品型号
OM6056SB
OM6057SB
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
引脚连接
和原理图
V
DS
100 V
200 V
500 V
600 V
800 V
1000 V
R
DS （ ON）
.008
.018
.095
.140
.300
.500
I
D
（连续）
190 A
105 A
58 A
48 A
34 A
18 A
3.1
机械概要
4 11 R0
3.1 - 107
教派。 3.1数据表
8/7/00
上午11时52分
第108页
OM6056SB - OM6061SB
绝对最大额定值
(T
参数
漏源电压
漏栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
连续漏电流@ T
C
= 25°C 2
连续漏电流@ TC = 100 ℃， 2
脉冲漏当前1
马克斯。功率耗散@ T
C
= 25°C
马克斯。功率耗散@ T
C
= 100°C
线性降额因子结到外壳
线性降额因子结点到环境
操作和储存温度。范围
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
C
= 25 ° C除非另有说明）
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
OM6056SB OM6057SB OM6058SB OM6059SB OM6060SB OM6061SB
100
100
190
82
440
200
200
105
44
250
500
500
58
25
130
570
245
4.35
.033
-55到+150
230
2.封装引脚限制：
百安培@ 125°C 。
600
600
48
19
110
800
800
34
15
78
1000
1000
18
7.5
42
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒）
注：1.脉冲测试：
脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
热阻（最大值）
结到外壳
结到环境（自由空气操作）
@ T
A
= 25°C
.23
30
° C / W
° C / W
R
thJC
R
thJA
初步电气特性
特征
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
关机状态下漏源漏
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ±20 V
DC
V
DS
= V
DSS
x 0.8
V
GS
= 0V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
DSS
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。
2.0
马克斯。
4.0
±100
10
.10
100
200
500
600
800
1000
.008
.018
.095
.140
.300
.500
V
单位
V
nA
A
mA
产品型号
所有
所有
所有
所有
OM6056SB
OM6057SB
3.1
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A
V
DSS
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
OM6056SB
OM6057SB
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= I
D25
x 0.5
R
DS （ ON）
OM6058SB
OM6059SB
OM6060SB
OM6061SB
以上数据是初步的。请联系厂家进行额外的数据
而动态的开关特性。
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