OM6025SC OM6027SC OM6031SC
OM6026SC OM6028SC OM6032SC
在HERMETIC功率MOSFET
隔离JEDEC TO - 258AA尺寸6 DIE
400V直通1000V ，高达26安培N沟道，
规模6的MOSFET ，高耗能能力
特点
隔离密封金属封装
尺寸6模具，高能量
快速开关，低驱动电流
易于并联以增加功率的
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。该系列还采用了雪崩高能量的能力
在升高的温度。
最大额定值
产品型号
OM6025SC/OM6032SC
OM6026SC/OM6031SC
OM6027SC/OM6028SC
V
DS
400
500
1000
R
DS （ ON）
.20
.27
1.30
I
D
（ AMP）
24
22
10
3.1
概要
4 11 R2
取代1 07 R1
3.1 - 97
OM6025SC - OM6032SC
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
OM6025SC OM6026SC OM6027SC
OM6032SC OM6031SC OM6028SC
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
减免上述25° C环境
W
DSS
(1)
单脉冲能量
漏源@ 25°C
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（ 8"分之1案件从5秒）。
-55到150
275
-55到150
275
-55到150
275
°C
°C
1000
1200
1000
mJ
400
400
24
92
165
.025
500
500
22
85
165
.025
1000
1000
10
40
165
.025
V
V
A
A
W
W / ℃，
单位
注1 ：
V
DD
= 50V ，我
D
=如前所述
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
减免上述25° （C T）
C
.76
40
1.32
° C / W
° C / W
W / ℃，
自由空气操作
机械外形
.695
.685
.550 .285
.530
.250
典型值
.
. 25
1
2个地方
.045
.035
.165
.155
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.250 TYP
.
125 TYP
.
.
.707
.697
.835
.815
3.1
.500
分钟。
. 45
1
REF
.
.200
.400
.940
±.002
.060 DIA 。 TYP 。
3个地方
.140
.005
.550
.530
0.092 MAX 。
.270
马克斯。
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
0.200 TYP 。
OM6028SC ， OM6031SC ， OM6032SC
OM6025SC ， OM6026SC ， OM6027SC
封装选项
MOD PAK
6引脚SIP
注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式 - 请拨打厂家咨询。
3.1 - 98
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6025SC ， OM6032SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
14
-
-
-
5.4
5.4
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.20
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
400
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 12 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
78
230
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
110
20
55
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
电气特性：
特征
OM6026SC ， OM6031SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
22 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
T
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 22 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
13
-
-
-
8.0
8.0
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.27
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
500
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 11 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 22 A)
(I
D
= 11 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 11 ADC）
VDC
3.1
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
680
200
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
115
20
60
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1 - 99
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6027SC ， OM6028SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
5 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 10 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
5.0
-
-
-
15
15.3
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
1.3
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
1000
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 10 A)
(I
D
= 5 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 5 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
3900
300
65
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
40
100
100
100
100
20
40
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
-
1.5
VDC
ns
1000
**
600
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
OM6025SC OM6027SC OM6031SC
OM6026SC OM6028SC OM6032SC
在HERMETIC功率MOSFET
隔离JEDEC TO - 258AA尺寸6 DIE
400V直通1000V ，高达26安培N沟道，
规模6的MOSFET ，高耗能能力
特点
隔离密封金属封装
尺寸6模具，高能量
快速开关，低驱动电流
易于并联以增加功率的
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。该系列还采用了雪崩高能量的能力
在升高的温度。
最大额定值
产品型号
OM6025SC/OM6032SC
OM6026SC/OM6031SC
OM6027SC/OM6028SC
V
DS
400
500
1000
R
DS （ ON）
.20
.27
1.30
I
D
（ AMP）
24
22
10
3.1
概要
4 11 R2
取代1 07 R1
3.1 - 97
OM6025SC - OM6032SC
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
OM6025SC OM6026SC OM6027SC
OM6032SC OM6031SC OM6028SC
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
减免上述25° C环境
W
DSS
(1)
单脉冲能量
漏源@ 25°C
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（ 8"分之1案件从5秒）。
-55到150
275
-55到150
275
-55到150
275
°C
°C
1000
1200
1000
mJ
400
400
24
92
165
.025
500
500
22
85
165
.025
1000
1000
10
40
165
.025
V
V
A
A
W
W / ℃，
单位
注1 ：
V
DD
= 50V ，我
D
=如前所述
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
减免上述25° （C T）
C
.76
40
1.32
° C / W
° C / W
W / ℃，
自由空气操作
机械外形
.695
.685
.550 .285
.530
.250
典型值
.
. 25
1
2个地方
.045
.035
.165
.155
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.250 TYP
.
125 TYP
.
.
.707
.697
.835
.815
3.1
.500
分钟。
. 45
1
REF
.
.200
.400
.940
±.002
.060 DIA 。 TYP 。
3个地方
.140
.005
.550
.530
0.092 MAX 。
.270
马克斯。
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
0.200 TYP 。
OM6028SC ， OM6031SC ， OM6032SC
OM6025SC ， OM6026SC ， OM6027SC
封装选项
MOD PAK
6引脚SIP
注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式 - 请拨打厂家咨询。
3.1 - 98
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6025SC ， OM6032SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
14
-
-
-
5.4
5.4
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.20
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
400
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 12 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
78
230
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
110
20
55
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
电气特性：
特征
OM6026SC ， OM6031SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
22 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
T
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 22 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
13
-
-
-
8.0
8.0
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.27
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
500
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 11 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 22 A)
(I
D
= 11 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 11 ADC）
VDC
3.1
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
680
200
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
115
20
60
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1 - 99
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6027SC ， OM6028SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
5 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 10 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
5.0
-
-
-
15
15.3
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
1.3
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
1000
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 10 A)
(I
D
= 5 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 5 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
3900
300
65
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
40
100
100
100
100
20
40
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
-
1.5
VDC
ns
1000
**
600
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
OM6025SC OM6027SC OM6031SC
OM6026SC OM6028SC OM6032SC
在HERMETIC功率MOSFET
隔离JEDEC TO - 258AA尺寸6 DIE
400V直通1000V ，高达26安培N沟道，
规模6的MOSFET ，高耗能能力
特点
隔离密封金属封装
尺寸6模具，高能量
快速开关，低驱动电流
易于并联以增加功率的
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。该系列还采用了雪崩高能量的能力
在升高的温度。
最大额定值
产品型号
OM6025SC/OM6032SC
OM6026SC/OM6031SC
OM6027SC/OM6028SC
V
DS
400
500
1000
R
DS （ ON）
.20
.27
1.30
I
D
（ AMP）
24
22
10
3.1
概要
4 11 R2
取代1 07 R1
3.1 - 97
OM6025SC - OM6032SC
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
OM6025SC OM6026SC OM6027SC
OM6032SC OM6031SC OM6028SC
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@ T
C
= 25°C
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
减免上述25° C环境
W
DSS
(1)
单脉冲能量
漏源@ 25°C
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（ 8"分之1案件从5秒）。
-55到150
275
-55到150
275
-55到150
275
°C
°C
1000
1200
1000
mJ
400
400
24
92
165
.025
500
500
22
85
165
.025
1000
1000
10
40
165
.025
V
V
A
A
W
W / ℃，
单位
注1 ：
V
DD
= 50V ，我
D
=如前所述
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
减免上述25° （C T）
C
.76
40
1.32
° C / W
° C / W
W / ℃，
自由空气操作
机械外形
.695
.685
.550 .285
.530
.250
典型值
.
. 25
1
2个地方
.045
.035
.165
.155
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.250 TYP
.
125 TYP
.
.
.707
.697
.835
.815
3.1
.500
分钟。
. 45
1
REF
.
.200
.400
.940
±.002
.060 DIA 。 TYP 。
3个地方
.140
.005
.550
.530
0.092 MAX 。
.270
马克斯。
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
0.200 TYP 。
OM6028SC ， OM6031SC ， OM6032SC
OM6025SC ， OM6026SC ， OM6027SC
封装选项
MOD PAK
6引脚SIP
注：的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式 - 请拨打厂家咨询。
3.1 - 98
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6025SC ， OM6032SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
14
-
-
-
5.4
5.4
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.20
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
400
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 12 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
78
230
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
110
20
55
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
电气特性：
特征
OM6026SC ， OM6031SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
22 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
T
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 22 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
13
-
-
-
8.0
8.0
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
0.27
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
500
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 11 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 22 A)
(I
D
= 11 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 11 ADC）
VDC
3.1
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
5600
680
200
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
115
20
60
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
1.1
1.6
VDC
ns
1000
**
500
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1 - 99
OM6025SC - OM6032SC
电气特性：
特征
OM6027SC ， OM6028SC
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
5 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 10 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
5.0
-
-
-
15
15.3
-
姆欧
-
3.0
-
-
4.0
3.5
1.3
欧姆
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
1.0
100
100
NADC
NADC
1000
-
-
VDC
MADC
基本特征
*
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 5 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 10 A)
(I
D
= 5 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 5 ADC）
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
F = 1.0兆赫）
-
-
-
3900
300
65
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
-
-
-
-
-
-
-
40
100
100
100
100
20
40
-
-
-
-
140
-
-
nC
ns
源极漏极二极管的特性
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
-
-
1.5
VDC
ns
1000
**
600
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2880707522 复制
