OM6025SA
OM6026SA
在HERMETIC隔离功率MOSFET
JEDEC TO - 254AA尺寸6 DIE
400V ， 500V ， N沟道，高达24安培
规模6的MOSFET ，高耗能能力
特点
隔离密封金属封装
尺寸6模具，高能量
快速开关，低驱动电流
易于并联以增加功率的
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。该系列还采用了雪崩高能量的能力
在升高的温度。
最大额定值
产品型号
OM6025SA
OM6026SA
V
DS
400
500
R
DS （ ON）
.23
.30
I
D
（ AMP）
24
22
3.1
概要
4 11 R0
3.1 - 93
电气特性：
电气特性：
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型值。
特征
马克斯。
单位
OM6026SA
(T
C
= 25° ，除非另有说明）
OM6025SA
符号
分钟。
特征
开关特性
开关特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
NADC
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
I
GSSR
V
GS （ TH）
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 250 V，I
D
=
24 A,
R
根
= 4.3欧姆）
(V
DS
= 400 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V)
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
(I
S
= 24 A，D / DT = 100 A / μs）内
t
on
t
rr
-
14
-
-
-
5.6
5.6
-
姆欧
-
-
-
3.0
4.0
3.5
0.23
欧姆
VDC
-
-
100
I
GSSF
-
-
100
NADC
-
-
1.0
NADC
NADC
-
-
0.25
I
DSS
MADC
V
（ BR ） DSS
400
-
-
VDC
I
DSS
-
-
I
GSSF
I
GSSR
-
-
100
-
-
100
-
1.0
-
0.25
MADC
500
-
-
VDC
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 0.25 mA）的
零栅压漏
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0)
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0, T
J
= 125° C)
门体漏电流，正向（V
GSF
= 20伏，V
DS
= 0)
门体漏电流，反向（V
GSR
= 20伏，V
DS
= 0)
基本特征
*
基本特征
*
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
欧姆
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 24 A)
(I
D
= 12 A，T
J
= 125° C)
姆欧
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 12 ADC）
VDC
-
-
g
FS
11
-
-
-
8.0
-
8.0
2.0
1.5
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
-
-
0.30
-
3.5
3.0
4.0
VDC
栅极阈值电压
VDC
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC
(T
J
= 125° C)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 11 ADC）
漏源电压（V
GS
= 10 VDC ）
(I
D
= 22 A)
(I
D
= 11 A，T
J
= 125° C)
正向跨导（V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 11 ADC）
3.1 - 95
动态特性
C
国际空间站
输入电容
输出电容
传输电容
F = 1.0兆赫）
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
C
OSS
C
RSS
-
200
-
-
680
-
-
5600
-
pF
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
-
-
-
5600
78
230
-
-
-
pF
输出电容
F = 1.0兆赫）
传输电容
开关特性
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
r
T
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
在正向电压
向前开启时间
反向恢复时间
t
on
-
1.1
1.6
ns
1000
VDC
-
60
-
-
20
-
-
115
140
-
160
-
-
160
-
-
190
-
-
70
-
ns
导通延迟时间
-
-
-
-
-
-
-
70
190
160
160
110
20
55
-
-
-
-
140
-
-
ns
上升时间
(V
DD
= 250 V，I
D
=
22 A,
打开-O FF延迟时间
R
根
= 4.3欧姆）
下降时间
V
GS
= 10 V
总栅极电荷
(V
DS
= 400 V，I
D
= 22 A,
nC
栅极 - 源电荷
V
GS
= 10 V)
栅极 - 漏极电荷
源极漏极二极管的特性
**
-
500
源极漏极二极管的特性
-
1.1
1.6
VDC
在正向电压
向前开启时间
t
rr
(I
S
= 22A ， D / DT = 100 A / μs）内
反向恢复时间
**
500
1000
ns
OM6025SA - OM6026SA
*表示脉冲测试= 300微秒，占空比= 2 ％
**有限公司通过电路电感
3.1
OM6025SC - OM6026SC
引脚连接
机械概要
.940
.740
.540
.200
.100
2 plc的。
.040
.260
最大
.250
.290
.125直径。
2 PLS 。
.540
1
2
3
.125
2 plc的。
.500
分钟。
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
.150
.300
0.040 DIA 。
3的PLC。
.150
M-3S
0.144 DIA 。
.545
.535
.050
.040
.685
.665
.800
.790
.550
.530
1
2
3
.550
.510
.005
2.1
3.1
2.3
2.4
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.150典型。
M- PAK
封装选项
3.1
3.2
注意事项：
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。示例 - OMXXXXCSA 。
的MOSFET也可在Z-选项卡，双路和四路白沙风格 - 请拨打厂家咨询。
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2881677436 复制
