【OM6017SA OM6019SAOM6018SA OM6020SA功率MOSFET在HERMETI】,IC型号OM6018SW,OM6018SW PDF资料,OM6018SW经销商,ic,电子元器件-51电子网

OM6017SA OM6019SA

OM6018SA OM6020SA

功率MOSFET在HERMETIC隔离

TO- 254AA封装

100V直通500V ，最高达25安培， N沟道

MOSFET在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别

同IRFM 150 - 450系列

可用陶瓷贯穿件

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和

高能量脉冲电路。

最大额定值

@ 25

产品型号

OM6017SA

OM6018SA

OM6019SA

OM6020SA

100 V

200 V

400 V

500 V

DS （ ON）

.065

.100

.33

.42

25 A

13 A

11 A

3.1

概要

额定功率

4 11 R4

取代1 07 R3

3.1 - 85

3.1

OM6017SA - OM6020SA

电气特性：

静态P / N OM6017SA

参数

DSS

GS （ TH）

GSSF

GSSR

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

1.1

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OM6018SA

参数

DSS

GS （ TH）

GSSF

GSSR

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

1.3

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= +20 V

= -20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A,

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

2.0

4.0

100

-100

0.25

1.0

1.36 1.60

.085 .100

0.14 0.17

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= + 20 V

= - 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 16 A

= 10 V，I

= 16 A

= 10 V，I

= 16 A,

= 125 C

静态漏源导通状态

0.55 0.65

.09

0.11

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

9.0

2700

1300

470

100

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 20 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 30 V，I

20 A

= 5.0

, V

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

10.0

2400

600

250

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 16 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 75 V，I

16 A

= 5.0

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

400

- 40

- 160

- 2.5

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

- 30

- 120

-2

350

= 25℃ ，我

= -40 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

二极管的正向电压

反向恢复时间

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

转发Transductance

(W )

3.1 - 86

动态

转发Transductance

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

= 25℃ ，我

= -30 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

静态P / N OM6019SA

参数

DSS

GS （ TH）

GSSF

GSSR

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

2.0

0.25

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

静态P / N OM6020SA

参数

DSS

GS （ TH）

GSSF

GSSR

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

2.1

0.3

0.1

0.2

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

2.64

.33

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= +20 V

= - 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 8.0 A

= 10 V，I

= 8.0 A

= 10 V，I

= 8.0 A,

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

2.0

4.0

100

- 100

0.25

1.0

2.94

0.42

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= +20 V

= - 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

2 V

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 7.0 A

= 10 V，I

= 7.0 A

= 10 V，I

= 7.0 A,

= 125 C

静态漏源导通状态

0.50 0.66

0.66 0.88

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

前锋

Transductance

6.0

2900

450

150

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 8.0 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 200 V，I

8.0 A

=5.0

, V

=10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

6.0

2600

280

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 7.0 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 210 V，I

7.0 A

= 5.0

, V

= 10 V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

600

- 15

- 60

- 1.6

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

（体二极管）

- 13

- 52

- 1.4

700

= 25℃ ，我

= -15 A，V

= 0

= 100℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

二极管的正向电压

反向恢复时间

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

3.1 - 87

动态

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

OM6017SA - OM6020SA

= 25℃ ，我

= -13 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

3.1

OM6017SA - OM6020SA

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

DGR

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

结到外壳

结到环境

英镑

焊接温度

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1 M )

连续漏电流

漏电流脉冲

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

°C

OM6017SA OM6018SA OM6019SA OM6020SA单位

100

±25

±16

±100

± 20

125

1.0

.020

200

±25

±16

±80

± 20

125

1.0

.020

400

±13

±8

±54

±20

125

1.0

.020

500

±11

±7

±40

± 20

125

1.0

.020

W / ℃，

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

2封装引脚限制

= 15安培

热阻

thJC

thJA

结到外壳

结到环境

1.0

° C / W

° C / W自由空气操作

机械概要

0.144 DIA 。

.940

.740

.540

.200

.100

2 plc的。

.040

.260

最大

.545

.535

.050

.040

3.1

.290

.125

2 plc的。

.250

.685

.665

.800

.790

.550

.530

.125直径。

2 PLS 。

.540

1 2 3

.500

分钟。

引脚1 ：漏

引脚2 ：源

引脚3 ：门

.150

.550

.510

.005

.150

.300

0.040 DIA 。

3的PLC。

.045

.035

.150典型。

.260

.249

.150典型。

封装选项

MOD PAK

Z- TAB

6引脚SIP

注意事项：

标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。

例如 - OMXXXXCSA的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式 - 请拨打厂家咨询。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246