OM6009SA OM6011SA OM6109SA OM6111SA
OM6010SA OM6012SA OM6110SA OM6112SA
在HERMETIC隔离功率MOSFET
TO- 254AA封装
100V直通500V ，最高可达22安培， N沟道
MOSFET在密封金属封装，
可选齐纳栅钳位保护
特点
隔离密封金属封装
快速开关
低R
DS （ ON）
提供高可靠性筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
双边齐门保护（可选）
可用陶瓷贯穿件
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路。 MOSFET栅极使用受保护
在OM6109SA一系列双边齐纳二极管。
最大额定值
产品型号
OM6009SA ， OM6109SA
OM6010SA ， OM6110SA
OM6011SA ， OM6111SA
OM6012SA ， OM6112SA
V
DS
100V
200V
400V
500V
R
DS （ ON）
.095
.18
.55
.85
I
D（最大）
22A
18A
10A
8A
3.1
注： OM61XX系列包括栅极保护电路。
概要
额定功率
4 11 R3
取代1 07 R2
3.1 - 79
3.1
OM6009SA - OM6112SA
电气特性：
静态P / N OM6009SA / OM6109SA
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
门体泄漏（ OM6109 ）
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
22
0.1
0.2
2.0
100
T
C
= 25° ，除非另有说明
电气特性：
静态P / N OM6010SA / OM6110SA
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
门体泄漏（ OM6110 ）
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
当前
1
18
1.4
0.1
0.2
2.0
200
T
C
= 25° ，除非另有说明
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
-100
± 500
0.25
1.0
V
nA
nA
nA
mA
mA
A
1.275 1.425
.085 .095
.130 .155
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
GS
= ± 12.8 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A,
T
C
= 125 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
- 100
± 500
0.25
1.0
V
nA
nA
nA
mA
mA
A
1.8
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
GS
= ± 12.8 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A,
T
C
= 125 C
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
0.14 0.18
0.28 0.36
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
10.0
1275
550
160
16
19
42
24
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 15 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V，I
D
= 5 A
R
g
= 5
W
, V
GS
= 10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
6.0
1000
250
100
17
52
36
30
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 10 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 75 V，I
D
@
18 A
R
g
= 5
W
, V
GS
= 10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
200
- 2.5
V
ns
- 108
A
- 27
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
350
- 18
- 72
-2
A
A
V
ns
T
C
= 25℃ ，我
S
= -24 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
V
SD
t
rr
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
(W )
(W )
3.1 - 80
动态
转发Transductance
1
动态
转发Transductance
1
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= -18 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
电气特性：
静态P / N OM6011SA / OM6111SA
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
门体泄漏（ OM6111 ）
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
10
0.1
0.2
2.0
400
T
C
= 25° ，除非另有说明
电气特性：
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
门体泄漏（ OM6112 ）
零栅压漏
当前
I
D（上）
导通状态漏极
电压
1
当前
1
8.0
3.2
0.8
0.1
0.2
2.0
500
T
C
= 25° ，除非另有说明
静态P / N OM6012SA / OM6112SA
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
- 100
± 500
0.25
1.0
V
nA
nA
nA
mA
mA
A
3.4
0.85
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
GS
= ± 12.8 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A,
T
C
= 125 C
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
V
4.0
100
-100
± 500
0.25
1.0
V
nA
nA
nA
mA
mA
A
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
V
GS
= ± 12.8 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A,
T
C
= 125 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
DS （ ON）
静态漏源导通状态
2.35 2.75
0.47 0.55
0.93 1.10
V
1.50 1.65
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
4.0
1150
165
70
17
12
45
30
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 5 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 175 V，I
D
@
5 A
R
g
= 5
W
, V
GS
= 10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
4.0
1275
200
85
17
5
42
14
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 4 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
=
4 A
R
g
= 5
W
, V
GS
= 10 V
管（MOSFET ）的开关时间是
基本上是独立的
工作温度。
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
1
- 40
-2
530
A
V
ns
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
- 10
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
1
-8
- 32
-2
700
A
A
V
ns
（体二极管）
V
SD
t
rr
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
T
C
= 25℃ ，我
S
= -10 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
(W )
(W )
3.1 - 81
动态
转发Transductance
1
动态
转发Transductance
1
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
OM6009SA - OM6112SA
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= -18 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
3.1
OM6009SA - OM6112SA
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
V
GS
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
结到外壳
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1 M )
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
门源伏。 （松开门）
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
OM6009
OM6109
100
100
± 22
± 17
± 88
± 20
125
50
1.0
.020
OM6010
OM6110
200
200
± 18
± 11
± 72
± 20
125
50
1.0
.020
OM6011
OM6111
400
400
± 10
±6
± 40
± 20
125
50
1.0
.020
OM6012
OM6112
500
500
±8
±5
± 32
± 20
125
50
1.0
.020
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W / ℃，
W / ℃，
结到环境线性降额因子
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）
-55到150
300
-55 150 -55 150 -55 150
300
300
300
°C
°C
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比2 ％ 。
2封装引脚限制= 25安培
热阻
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
1.0
50
° C / W
° C / W
自由空气操作
机械概要
0.144 DIA 。
.940
.740
.260
最大
.200
.100
2 plc的。
.040
.545
.535
.050
.040
3.1
.290
.540
.250
.685
.665
.800
.790
.550
.530
.125直径。
2 PLS 。
.540
.125
2 plc的。
1 2 3
.500
分钟。
1
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
.150
2
3
.550
.510
.005
.150
.300
0.040 DIA 。
3的PLC。
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.150典型。
封装选项
MOD PAK
Z- TAB
6引脚SIP
注意：
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。
例如 - OMXXXXCSA的MOSFET也可在Z- Tab键，双核和四白款式 - 请拨打厂家咨询。
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2881677436 复制
