OM1N100SA OM5N100SA OM1N100ST
OM3N100SA OM6N100SA OM3N100ST
功率MOSFET在HERMETIC隔离
JEDEC封装
1000V ，最高可达6安培， N沟道
MOSFET在密封的金属包
特点
隔离密封金属封装
快速开关
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL - 19500 ， TX ， TXV和S
陶瓷贯穿件也可用
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。
最大额定值
产品型号
OM1N100SA
OM3N100SA
OM5N100SA
OM6N100SA
OM3N100ST
OM1N100ST
R
DS （ ON）
8.0
5.2
3.0
2.0
5.4
8.2
I
D
1.0A
3.5A
5.0A
6.0A
3.5A
1.0A
3.1
概要
漏
引脚连接
TO-254AA
TO-257AA
门
来源
1 2 3
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
1 2 3
4 11 R1
取代2 05 R0
3.1 - 15
电气特性：
静态P / N OM5N100SA
（见注3 ）
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅极电压
漏电流
I
D（上）
通态漏电流
5.0
2.0
1000
T
C
= 25° ，除非另有说明
电气特性：
静态P / N OM6N100SA
（见注3 ）
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
通态漏电流
6.0
2.0
1000
T
C
= 25° ，除非另有说明
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
-100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
3.0
6.0
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 20 V, V
DS
= 0
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8×最大值。鼠。 ，
V
GS
= 0, T
C
= 125° C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大，
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
T
C
= 100 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
V
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
2.0
4.0
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 20 V, V
DS
= 0
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8×最大值。鼠。 ，
V
GS
= 0, T
C
= 125° C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大，
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
T
C
= 100° C
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
创制
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
动态
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
t
f
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
下降时间
4.0
2600
350
150
65
55
62
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 800 V,
I
D
=6A
RG = 7W VGS
=
10 V
,
动态
V
DS
= 25 V
DS （ ON）
, I
D
= 2.5 A
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
t
f
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
下降时间
4.0
2600
350
150
65
55
62
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 800 V,
I
D
= 6A
RG = 7W VGS
=
10 V
,
3.1 - 17
V
DS
= 25V ，我
D
= 3.0 A
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
T
r(
V
OFF ）
关闭电压上升时间
T
r
(V
关闭
）截止电压上升时间
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
2
24
2.5
1100
A
V
ns
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
6
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
2
6
24
2.5
1000
A
A
V
ns
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
（体二极管）
V
SD
t
rr
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
S
OM1N100SA / ST系列
T
C
= 25℃ ，我
S
= 6 A，V
GS
= 0
I
F
= I
S
,V
DD
= 100 V
dl
F
/ DS = 100 A / MS
T
C
= 25℃ ，我
S
= 6 A，V
GS
= 0
I
F
= I
S
,V
DD
= 100 V
dl
F
/ DS = 100 A / MS ，T
J
= 150 C
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
1.5%.
2
脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
在TO258AA ， TO259AA和双6引脚SIP ， S- 6封装也可
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
1.5%.
2
脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
在TO258AA ， TO259AA和双6引脚SIP ， S- 6封装也可
3.1
OM1N100SA / ST系列
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
OM1N100SA OM3N100SA OM5N100SA OM6N100SA
OM1N100ST OM3N100ST
单位
I
AR
雪崩电流
（重复或不重复）
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
3.5
2
130
3.5
2
130
6
3.4
850
6
3.4
850
A
A
mJ
E
AS
单脉冲雪崩能量
起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
,
V
DD
= 25V
E
AR
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
J
最大，
d
＆ LT ; 1％）的
6
6
16
16
mJ
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
V
GS
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
=100°C
结到外壳
漏源电压
漏源极电压（R
GS
= 20k )
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅源电压
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
1000
1000
.50
.30
14
±20
90
32
.87
.020
1000
1000
3.5
2.0
14
±20
90
32
.87
.020
1000
1000
5.0
3.1
24
±20
130
51
2.10
.020
1000
1000
6.0
3.7
24
±20
130
51
2.10
.020
V
V
A
A
A
V
W
W
W / ℃，
W / ℃，
结到环境线性降额因子
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（1/ 16 QUOT ;从案例10secs ）
-55到150
300
-55到150
300
-55到150
300
-55到150
300
°C
°C
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比2 ％ 。
热阻
3.1
R
thJC
结到外壳
马克斯。
1.15
1.15
.48
.48
° C / W
机械概要
TO-257AA
.420
.410
.200
.190
.045
.035
.665
.645
.537
.527
.430
.410
0.038 MAX 。
.550
.510
.005
.800
.790
0.144 DIA 。
TO-254AA
.545
.535
.050
.040
.150
.140
.685
.665
.550
.530
.750
.500
.005
.045
.035
.150典型。
.260
.249
.150典型。
.035
.025
.100 TYP 。
0.120 TYP 。
封装选项
场效应管FET 4 3
摹SDGSD
SGGS
D
S
FET 1
G
G
S
FET 2
D
FET 1
FET 3
Z- TAB
6引脚SIP
MOD PAK
标准产品都配有玻璃馈通。对于陶瓷馈入装置，字母“ C”添加到零件号。示例 - OMXXXXCSA
的MOSFET也可在Z-白，双核和四白款式。请拨打厂家咨询。
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
QQ：2880707522 复制
