OM5N100NK
OM6N100NK
在TO -3封装的功率MOSFET
1000V ，最高可达6安培， N沟道
的MOSFET采用TO - 3封装
特点
TO- 3密封封装， .060直径。信息
快速开关
低R
DS （ ON）
1000伏， 5号模
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。
最大额定值
产品型号
OM5N100NK
OM6N100NK
V
DS
(V)
1000
1000
R
DS （ ON）
( )
3.0
2.0
I
D
(A)
5.0
6.0
3.1
机械概要
1.53
REF 。
0.875
马克斯。
0.450
0.250
0.312
分钟。
0.063 2的PLC。
0.058
引脚连接
引脚1 ：门
引脚2 ：源
案例：排水
1.197
1.177
0.675
0.655
0.188 R.
马克斯。
2
0.440
0.420
0.135
马克斯。
座位
飞机
0.225
0.205
0.161
0.151
1
0.525 R.
马克斯。
4 11 R1
取代3月12日R0
3.1 - 41
3.1
OM5N100NK - OM6N100NK
电气特性：
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅极电压
漏电流
I
D（上）
通态漏电流
5.0
2.0
1000
T
C
= 25° ，除非另有说明
V
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
3.0
6.0
2.0
4.0
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 20 V, V
DS
= 0
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8×最大值。鼠。 ，
V
GS
= 0, T
C
= 125° C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大，
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
T
C
= 100° C
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
T
C
= 100° C
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
V
GS
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
=100°C
结到外壳
参数
漏源电压
漏源极电压（R
GS
= 20k )
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅源电压
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
OM5N100NK OM6N100NK
1000
1000
5.0
3.1
24
±20
130
51
1.00
.033
1000
1000
6.0
3.7
24
±20
130
51
1.00
.033
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W / ℃，
W / ℃，
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM5N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM5N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM6N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM6N100NK
结到环境线性降额因子
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（1/ 16 QUOT ;从案例10secs ）
-55到150
300
-55到150
300
°C
°C
动态
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
4.0
2800
350
130
65
55
62
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 25V ，我
D
= 3.5 A
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 400 V，I
D
= 6 A
R
g
= 7
W
, V
GS
= 10 V
V
DD
= 800 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 7 , V
BS
= 10 V
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比2 ％ 。
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
马克斯。
1.0
30
° C / W
° C / W
自由空气操作
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
2
24
2.5
1100
A
V
ns
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
6
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= 6 A，V
GS
= 0
I
F
= I
S
, V
DD
= 100V,
dl
F
/ DS = 100 A / MS ，T
J
= 150°C
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
1.5%.
2
脉冲宽度有限的安全工作区。
OM5N100NK
OM6N100NK
在TO -3封装的功率MOSFET
1000V ，最高可达6安培， N沟道
的MOSFET采用TO - 3封装
特点
TO- 3密封封装， .060直径。信息
快速开关
低R
DS （ ON）
1000伏， 5号模
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。
最大额定值
产品型号
OM5N100NK
OM6N100NK
V
DS
(V)
1000
1000
R
DS （ ON）
( )
3.0
2.0
I
D
(A)
5.0
6.0
3.1
机械概要
1.53
REF 。
0.875
马克斯。
0.450
0.250
0.312
分钟。
0.063 2的PLC。
0.058
引脚连接
引脚1 ：门
引脚2 ：源
案例：排水
1.197
1.177
0.675
0.655
0.188 R.
马克斯。
2
0.440
0.420
0.135
马克斯。
座位
飞机
0.225
0.205
0.161
0.151
1
0.525 R.
马克斯。
4 11 R1
取代3月12日R0
3.1 - 41
3.1
OM5N100NK - OM6N100NK
电气特性：
参数
BV
DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅极电压
漏电流
I
D（上）
通态漏电流
5.0
2.0
1000
T
C
= 25° ，除非另有说明
V
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
nA
nA
mA
mA
A
3.0
6.0
2.0
4.0
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 20 V, V
DS
= 0
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8×最大值。鼠。 ，
V
GS
= 0, T
C
= 125° C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大，
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
T
C
= 100° C
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
T
C
= 100° C
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
DGR
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
V
GS
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
=100°C
结到外壳
参数
漏源电压
漏源极电压（R
GS
= 20k )
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
栅源电压
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
OM5N100NK OM6N100NK
1000
1000
5.0
3.1
24
±20
130
51
1.00
.033
1000
1000
6.0
3.7
24
±20
130
51
1.00
.033
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W / ℃，
W / ℃，
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM5N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM5N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM6N100NK
R
DS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
1
- OM6N100NK
结到环境线性降额因子
T
J
T
英镑
焊接温度
操作和
存储温度范围
（1/ 16 QUOT ;从案例10secs ）
-55到150
300
-55到150
300
°C
°C
动态
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
4.0
2800
350
130
65
55
62
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 25V ，我
D
= 3.5 A
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 400 V，I
D
= 6 A
R
g
= 7
W
, V
GS
= 10 V
V
DD
= 800 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 7 , V
BS
= 10 V
1脉冲测试：
脉冲宽度300微秒。占空比2 ％ 。
热阻
（最大）在T
A
= 25°C
R
thJC
R
thJA
结到外壳
结到环境
马克斯。
1.0
30
° C / W
° C / W
自由空气操作
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
2
24
2.5
1100
A
V
ns
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
6
A
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= 6 A，V
GS
= 0
I
F
= I
S
, V
DD
= 100V,
dl
F
/ DS = 100 A / MS ，T
J
= 150°C
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
1.5%.
2
脉冲宽度有限的安全工作区。
QQ：2880707522 复制
