飞利浦半导体
初步speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
OM5234/OM5284
描述
该OM5234和OM5284的单芯片8位微控制器
的衍生物，在先进的CMOS工艺制造，并且
80C51单片机系列。该OM5234和OM5284是
预编程为特定应用的设备。除非
特别声明，否则以OM5234所有引用同样适用
到OM5284 。
该OM5234含有非挥发性16k的
×
8只读程序
存储器，易失性256
×
8读/写数据存储器， 4个8位I / O
端口， 2个16位定时器/计数器（相同的定时器
80C51 ） ，多源， 2优先级，嵌套的中断结构，
UART和片上振荡器和时序电路。
特点
80C51中央处理单元
6k
×
8 ROM
256
×
8 RAM
两个标准的16位定时器/计数器
4个8位I / O端口
全双工UART设施
功率控制模式
–
空闲模式
–
掉电模式
ROM代码保护
订购信息
OM5234 / F T P / YYY
设备
OM5234
频带
F = 3.5 16MHz的
I = 3.5 24MHz的
温度范围
B = 0 70℃
产品型号
OM5234/FBB/YYY
OM5234/FBP/YYY
OM5234/FBA/YYY
OM5284EBYY
OM5284EAYY
OM5284EPYY
应用程序代码的ROM
5XX ，等等。
封装标识
A =塑料有引线芯片载体
B =塑料四方扁平封装
P =塑料双列直插封装
设备
OM5284
频带
E = 3.5到16MHz
I = 3.5 24MHz的
OM5284 X Y ZZ
应用程序代码的ROM
01, 02, 03
封装标识
A =塑料有引线芯片Carier
B =塑料四方扁平封装
P =塑料双列直插封装
频率
（兆赫）
16
16
16
16
16
16
制图
数
SOT307-2
SOT129-1
SOT187-2
SOT307-2
SOT187-2
SOT129-1
温度范围
°C
和包装
0 70 ℃，塑料四方扁平封装
0 70 ℃，塑料双列直插封装
0 70 ℃，塑料有引线芯片载体
0 70 ℃，塑料四方扁平封装
0 70 ℃，塑料有引线芯片载体
0 70 ℃，塑料双列直插封装
逻辑符号
V
CC
V
SS
RST
端口0
XTAL1
XTAL2
EA
PSEN
ALE
地址
数据总线
备用
功能
RXD
TXD
INT0
INT1
T0
T1
WR
RD
端口3
端口2
端口1
地址总线
SU00800
1996年11月1日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
OM5234/OM5284
引脚说明
引脚数
助记符PLCC
V
SS
V
DD
P0.0–0.7
22
44
43–36
QFP
6, 16,
28, 39
38
37–30
DIP
20
40
39–32
TYPE
I
I
I / O
名称和功能
地面：
0V参考。与QFP封装，所有的V
SS
引脚（V
SS1
到V
SS4
）必须是
连接。
电源：
这是在电源电压为正常，空闲和掉电
操作。
端口0 ：
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒写入
这些浮动，可作为高阻抗输入。端口0也是多路复用
低位地址和数据总线在访问外部程序和数据存储器。
在这种应用中，它使用强大的内部上拉发送1 。
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻，除P1.6和P1.7的8位双向I / O口，
这是开漏的OM5234 （只） 。 P1口有写信给他们1秒的
拉出通过的内部上拉电阻高，可以用作输入。作为输入，端口1引脚
被外部拉低，因为内部上拉的时将输出电流。 （见DC
电气特性：我
IL
） 。复用功能包括：
双向I / O具有内部上拉电阻（ OM5284 ）和漏极开路的（ OM5234 ） 。
双向I / O具有内部上拉电阻（ OM5284 ）和漏极开路的（ OM5234 ） 。
端口2 ：
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有
1秒写入它们的拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。如
输入端口2引脚被外部拉低，因为低时将输出电流
内部上拉电阻。 （见DC电气特性：我
IL
） 。端口2发出的高位
在从外部程序存储器取指期间访问地址字节
使用16位地址（ MOVX @ DPTR ）外部数据存储器。在本申请中，它
使用强大的内部上拉发送1 。在外部数据存储器访问
即使用8位地址（MOV @Ri ），端口2发出的P2的特殊功能的内容
注册。
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有
1秒写入它们的拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。如
输入端口3引脚被外部拉低，因为低时将输出电流
引体向上。 （见DC电气特性：我
IL
） 。端口3还提供了特殊功能
80C51系列，如下面列出：
RXD（ P3.0 ） ：
串行输入端口
的TxD （ P3.1 ） ：
串行输出端口
INT0 （ P3.2 ） ：
外部中断
INT1 （ P3.3 ） ：
外部中断
T0 （ P3.4 ） ：
定时器0外部输入
T1 （ P3.5 ） ：
定时器1外部输入
WR （ P3.6 ） ：
外部数据存储器写选通
RD （ P3.7 ） ：
外部数据存储器读选通
RESET ：
高该引脚上的晶振工作时两个机器周期，复位
装置。内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个上电复位
外部电容V
CC
.
地址锁存使能：
输出脉冲的过程中锁存地址的低字节
访问外部存储器。在正常操作中， ALE在1/6以恒定速率发射
振荡器的频率。注意：在每次访问一个ALE脉冲被跳过
外部数据存储器。
程序存储使能：
通过P0口和P2口的读选通外部程序存储器。
在从外部程序取指令被激活两次，每个机器周期
内存。当执行了外部程序存储器， PSEN两个激活的
在每次访问外部数据存储器跳过。 PSEN未激活（遗体
HIGH）在从外部程序存储器取。 PSEN可以吸入/源8 LSTTL
输入可以驱动CMOS输入，无需外部上拉电阻。
外部访问：
如果复位期间， EA保持在TTL，水平高， CPU执行
从提供的内部程序存储器ROM中的程序计数器小于
16384如果在复位时， EA被保持在TTL低电平时，CPU执行从外部
程序存储器。 EA是不允许浮动。
晶体1 ：
输入到振荡器反相放大器器并输入到内部时钟
发生器电路。
P1.0–P1.7
2–9
40–44,
1–3
1–8
I / O
P1.6
P1.7
P2.0–P2.7
8
9
24–31
2
3
18–25
7
8
21–28
I / O
I / O
I / O
P3.0–P3.7
11,
13–19
5,
7–13
10–17
I / O
11
13
14
15
16
17
18
19
RST
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
10
11
12
13
14
15
16
17
9
I
O
I
I
I
I
O
O
I
ALE
33
27
30
I / O
PSEN
32
26
29
O
EA
35
29
31
I
XTAL1
21
15
19
I
XTAL2
20
14
18
O
水晶2 ：
输出振荡器反相放大器器。
注意：
为了避免在上电“闩锁效应”，在任何时候对任何引脚上的电压不能大于V高
DD
+ 0.5V或V
SS
- 0.5V ，分别。
1996年11月1日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
OM5234/OM5284
DC电气特性
V
SS
= 0V, V
DD
= 5V
±
10%, T
AMB
= 0 ° C至+ 70°C
TEST
符号
V
IL
V
IL1
V
IL2
V
IH
V
IH1
V
OL
V
OL1
V
OL2
V
OH
I
IL
I
TL
I
L1
I
DD
参数
输入低电压，除了EA ， P1.6 ， P1.7
输入低电压EA
输入低电压， P1.6 ， P1.7
输入高电压，除了XTAL1 ， RST ， P1.6 ， P1.7
输入高电压， XTAL1 ， RST
输出电压低，端口1 ， 2 ， 3 ，除P1.6 ， P1.7
输出低电压，端口0 ， ALE ， PSEN
输出低电压， P1.6 ， P1.7
输出高电压，端口1 ， 2 ， 3 ， ALE ， PSEN
8
逻辑0输入电流，端口1 ， 2 ， 3 ，除P1.6 ， P1.7
逻辑1到0跳变电流，港口1 ， 2 ， 3 ，除P1.6 ， P1.7
输入漏电流，端口0 ， EA ， P1.6 ， P1.7
电源电流：
主动模式@ 16MHz的
1, 9
空闲模式@ 16MHz的
2, 9
掉电模式
3, 4
内部复位下拉电阻
引脚电容
I
OL
= 1.6毫安
6, 7
I
OL
= 3.2毫安
6, 7
I
OL
= 3.0毫安
I
OH
= –25A
V
IN
= 0.45V
见注5
0.45V < V
I
< 4.7V
V
DD
=5.5V
0.75V
DD
–50
–650
±10
32.0
6
50
40
225
15
条件
分钟。
–0.5
–0.5
–0.5
0.2V
DD
+0.9
0.7V
DD
范围
马克斯。
0.2V
DD
–0.1
0.2V
DD
–0.3
0.3V
DD
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
0.45
0.45
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
A
k
pF
R
RST
C
IO
注意事项：
1.工作电源电流测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
r
= t
f
=为5ns ;
V
IL
= V
SS
+ 0.5V; V
IH
= V
DD
-0.5V ; XTAL2不连接; EA = RST = P0口的P1.6 = = P1.7 = V
DD
.
2.空闲模式下电源电流测量时，所有输出引脚断开; XTAL1驱动吨
r
= t
f
=为5ns ; V
IL
= V
SS
+ 0.5V;
V
IH
= V
DD
-0.5V ; XTAL2不连接;端口0 = P1.6 = P1.7 = V
DD
; EA = RST = V
SS
.
3.掉电电流测量时，所有输出引脚断开; XTAL2不连接;端口0 = P1.6 = P1.7 = V
DD
;
EA = RST = V
SS
.
4. 2V
≤
V
PD
≤
V
DD
马克斯。
5.销端口1,2和3的源时，它们被从外部驱动的1到0的转变的电流达到一个过渡电流的
最大值当V
IN
大约是2V 。
6.容性负载，端口0和2会引起寄生噪声对V至叠加
OL
ALE和端口号1和3中的噪声是由于
外部总线电容放电到端口0和端口2引脚时，这些引脚进行期间公交运营1到0的转换。在
最坏的情况下（容性负载> 100pF的） ，在ALE引脚上的脉冲噪声可能会超过0.8V 。在这种情况下，可以期望来限定
ALE带施密特触发器，或者使用一个地址锁存器与施密特触发器选通输入。
7.在稳态（非瞬态）的条件下，我
OL
必须从外部限制如下：最大I
OL
=每端口引脚10毫安;最大
I
OL
= 26毫安总计端口0 ;我最大
OL
= 15毫安总数为端口1 ，2，和3;我最大
OL
= 71毫安总对所有输出引脚。如果我
OL
超过
试验条件下，V
OL
可能超过相关特定网络阳离子。不保证引脚可以吸收比列出的测试条件更大的电流。
8.电容负载，端口0和2可能会导致V
OH
在ALE和PSEN到瞬间落在0.9V以下
DD
说明当
地址位稳定。
9. I
DDMAX
对其他频率，可以是来自于图1，其中FREQ是MHz外部振荡器的频率。我
DDMAX
给出毫安。
1996年11月1日
5
QQ：2880707522 复制
