【OM11N60SAOM11N55SA功率MOSFET在HERMETIC隔离TO- 254AA封装60】,IC型号OM11N60A,OM11N60A PDF资料,OM11N60A经销商,ic,电子元器件-51电子网

OM11N60SA

OM11N55SA

功率MOSFET在HERMETIC隔离

TO- 254AA封装

600V & 550V ， 11安培， N沟道

MOSFET在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ， TXV和S

陶瓷贯穿件也可用

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。该器件击穿收视率提供了大量的

电压裕度为严格的应用，如270伏直流电机的功率和/或

整流230 VAC电源（线运行）。它们非常适用于军事

要求小尺寸，高性能和高可靠性的要求，

并在应用中，如开关电源，马达控制，逆变器，

砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。

最大额定值

产品型号

OM11N60

OM11N55

600V

550V

DS （ ON）

.50

.44

D（最大）

11A

3.1

概要

漏

门

来源

4 11 R1

取代2 04 R0

3.1 - 19

3.1

OM11N60SA - OM11N55SA

电气特性：

静态P / N OM11N60SA

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSS

DSS

栅极阈值电压

门体漏

零栅压漏

当前

D（上）

导通状态漏极

电压

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

.47

当前

11.0

0.1

0.2

2.0

600

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

静态P / N OM11N55SA

参数

DSS

漏源击穿

电压

GS （ TH）

GSSF

DSS

栅极阈值电压

门体漏进

零栅压漏

当前

D（上）

通态漏电流

电压

11.0

0.1

0.2

2.0

550

= 25° ，除非另有说明

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

4.0

± 100

0.25

1.0

3.1

.50

1.0

= 0,

= 250

= V

, I

= 250

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 5.5 A

= 10 V，I

= 5.5 A

= 10 V，I

= 5.5 A,

= 125 C

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

4.0

±100

0.25

1.0

3.3

.37

.44

.88

= 0,

= 250

= V

GS ，

= 250

= ± 20 V

=最大。鼠。，V

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

= 0,

= 125° C

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）

, V

= 10 V

= 10 V，I

= 5.5 A

= 10 V，I

= 5.5 A

= 10 V，I

= 5.5 A,

= 125 C

DS （ ON）

静态漏源导通状态

DS （ ON）

静态漏源导通状态

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

动态

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

前锋

Transductance

5.0

3000

440

220

225

135

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 5.5 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 210 V，I

7.0 A

= 5

, R

= 30

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

动态

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

5.0

3000

440

220

225

135

S（ W

)

2 V

DS （ ON）

, I

= 5.5 A

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

= 210 V，I

7.0 A

= 5

, R

= 30

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

- 52

- 1.4

700

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

- 11

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

体漏二极管额定值和特性

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

- 11

- 52

- 1.4

700

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

= 25℃ ，我

= -11 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：

脉冲宽度300毫秒，占空比

2%.

(W )

3.1 - 20

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

结整流器。

= 25℃ ，我

= -11 A，V

= 0

= 150℃ ，我

= I

/ DS = 100 A / MS

OM11N60SA - OM11N55SA

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

DGR

参数

漏源电压

漏栅极电压（R

= 1.0 M )

连续漏电流@ T

= 25°C

连续漏电流@ T

= 100°C

漏电流脉冲

马克斯。功率耗散@ T

= 25°C

马克斯。功率耗散@ T

= 100°C

线性降额因子公路路口。以案例

线性降额因子公路路口。到环境

, T

英镑

操作和储存温度。范围

焊接温度

（ 16"分之1的情况下，持续10秒。）

1脉冲测试：

脉冲宽度300微秒。占空比2 ％。

OM11N60

600

7.2

125

1.0

.020

OM11N55

550

7.2

125

1.0

.020

单位

W / ℃，

°C

-55到150

300

热阻

（最多在T

= 25°C)

thJC

thJA

结到外壳

结到环境（自由空气操作）

1.0

° C / W

3.1

3.1 - 21

OM11N60SA - OM11N55SA

机械外形

0.144 DIA 。

.545

.535

.050

.040

.685

.665

.800

.790

.550

.530

.550

.510

.045

.035

.150典型。

.260

.249

.005

.150典型。

TO- 254封装AA

.940

.740

.540

.200

.100

2 plc的。

.040

.260

最大

3.1

.290

.125

2 plc的。

.250

.125直径。

2 PLS 。

.540

.500

分钟。

.150

.300

0.040 DIA 。

3的PLC。

.150

Omnirel AZ套餐

对于Z-包结构中，添加字母“Z” ，以部件号，

示例 - OMXXXXSAZ

标准产品都配有玻璃馈通，陶瓷馈入装置，添加字母“C”为产品编号，

示例 - OMXXXXCSA

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246