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Hallogic霍尔效应传感器组件
OHB900
产品特点:
非接触式动作感应
工作在宽范围的电源电压
出色的温度稳定性
霍尔元件,线性放大器,并且在单个Hallogic硅施密特触发器
芯片
在很宽的温度范围内进行在高的灰尘和污垢的环境
0.125“ ( 3.18毫米)较大差距
描述:
该OHB900由一个霍尔效应传感器相似, OH180U和稀土磁体安装在一对
低成本的塑料外壳。磁铁产生最佳磁通量的霍尔效应传感器的位置。该
传感器在插槽盖打开时激活的晶体管集电极开路输出。当槽是
阻断由铁类材料,降低了磁通密度的霍尔效应传感器的位置,开
集电极输出晶体管关闭。该器件可提供高达灌电流为25毫安。产量
特点是在开关直流频率为200 kHz的恒定。
在单极打开与一个南极一个(逻辑电平“O” )与足够的磁场后,
磁铁接近装置(工作点)的符号化面和关闭(逻辑电平“1” )之后的
磁场达到一个最小值。这一特性使得这些传感器非常适合于非应用
接触开关操作。
绝对最大额定值
( TA = 25° C除非另有说明)
电源电压VCC
存储温度范围,T
S
工作温度范围,T
A
引线焊接温度( 1/8英寸( 3.2毫米)的情况下,持续5秒。用烙铁)
输出ON电流,I
SINK
关闭输出电压,V
OUT
磁通密度B
25 V
-50 ° C至+ 160°C
-50 ° C至+ 150°C
260°C
25毫安
25 V
无限
1 VCC
电压
调节器
磁铁
HALL
元素
产量
3
2接地
OPTEK技术Inc.-
1645华莱士驱动,卡罗顿,得克萨斯州75006
电话: ( 800 ) 341-4747传真: ( 972 ) 323- 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
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Hallogic霍尔效应传感器组件
OHB900
电气特性
( VCC = 4.5 V至24 V ,T
A
= 25
° C
除非另有说明)
符号
I
CC
V
OL
I
OH
t
r
t
f
参数
电源电流
输出饱和电压
输出漏电流
输出上升时间
输出下降时间
典型值
4
100
0.1
0.21
0.10
最大
7
400
10.0
1.00
1.00
单位
mA
mV
A
s
s
测试条件
VCC = 24 V ,输出关闭
VCC = 4.5 V,I
OL
= 20 mA时,打开插槽
VCC = 4.5 V ,V
OUT
= 24 V ,插槽阻止
(1)
R
L
= 820
,
C
L
= 20 pF的
(1)槽阻塞与铁系材料以中断磁通量。
B
OP
B
RP
上涨&下降时间与温度
350
磁场
300
V
OH
90%
Tf
V
OL
10%
Tr
10%
90%
250
典型的时间(纳秒)
上升时间
下降时间
操作
最低
最大
0.073"
[1,85mm]
0.003"
[0,08mm]
发布
0.045"
[1,14mm]
-0.005"
[-1,27mm]
发布
-0.045"
[-1,14mm]
0.005"
[1.27mm]
操作
-0.073"
[-1,85mm]
-0.003"
[-0,08mm]
VCC 1
820欧姆
U.U.T.
地2
产量
3
20 pF的
200
150
测量参考中线。
ROP
RRP
100
M
S
中线
50
垂耳
LRP
风向标 - 材料= 1018冷轧钢 - 0.03" [ 0.76毫米]厚
位置= 0.50"从槽底[ 1.27毫米]
0
-40°C
0°C
40°C
80°C
120°C
150°C
温度(℃)
ICC与温度
9.0
8.0
饱和电压与温度
0.40
0.35
典型的饱和电压( V)
7.0
6.0
ICC ON (毫安)
ICC OFF (毫安)
R
L
= 820
0.30
典型的ICC (MA )
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-40°C
0°C
40°C
80°C
120°C
150°C
0.25
0.20
0.15
0.10
-40°C
0°C
40°C
80°C
120°C
150°C
温度(℃)
温度(℃)
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