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晶体振荡器
OE- X8GXXXXX系列
HF / UHF OCXO低功耗
描述:
在OE- X8GXXXXX系列烘箱
控制晶体振荡器( OCXO)提供高压和超
高频与SC切稳定的性能,极低
相位噪声和功率消耗,以各种不同的
输出类型标准1.4x1 “包 - ” EUROPACK “ 。
数据表0635D
REV 。一
0.50 (12,7 mm)
特点
0.25 (6,35 mm)
非常低的功耗
相位噪声极低
优秀的SC切割频率稳定度
超高频 - 高达1GHz
CMOS ,正弦波输出,可
Stratum3E可用
0.70 (17,78 mm)
0.030 ( 0.76毫米) TYP
1.00 (25,40 mm)
3
4
2
1.07 (27,20 mm)
1
5
1.42 (36,1 mm)
创建一个型号
OE - X 8G X X XX X
封装代码
OE 5引脚26× 27毫米
温度范围
电源电压
CODE
5
3
规范
5V ±5%
3.3V ±5%
CODE
A
B
C
D
E
F
规范
0 ℃至50 ℃的
-10℃至60℃
0 ° C至70℃
-20°C到70°C
-30℃ 70℃
-40C至80C
温度稳定性
CODE
17
58
28
18
YZ
规范
1x10
-7
5x10
-8
2x10
-8
1x10
-8
Yx10
-Z
OCXO / OCVCXO选项
CODE
X
V
规范
五,无控制
W / V.控制
输出类型
CODE
C
S
规范
CMOS
正弦波
357伯洛伊特街, P.O. 457盒,伯灵顿, WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件:
nelsales@nelfc.com
www.nelfc.com
晶体振荡器
OE- X8GXXXXX系列HF / UHF OCXO低功耗
特定网络阳离子
参数
SYMB
输入歇
电压下降
储存温度。
对照。电压
VCC
Ts
Vc
F
CMOS
正弦波
数据表0635D
REV 。一
条件
典型值
最大
单位
绝对最大额定值
-0.5
-40
-1
30
30
3.135
4.75
3.30
5.0
5.5
85
9
200
1,000
3.465
5.25
90
160
V
°C
V
兆赫
电动
频率
范围
输入电压
输入电流
频率
稳定性
VCC
ICC
ΔF/F
与温度的关系
VS. VCC
老化
出厂时, 25℃
CMOS
正弦
@50%
20至80%
CMOS
CMOS
正弦波为50个
欧姆
正弦
CMOS ,正弦
正弦波
@ 10 Hz的
@ 100赫兹
@ 1 kHz的
@ 10千赫
@ 100千赫
@ 10 Hz的
@ 100赫兹
@ 1 kHz的
@ 10千赫
@ 100千赫
V
mA
校准
负载
占空比
上升/下降时间
逻辑电平"1"
逻辑电平"0"
输出功率
启动时间
相位抖动
次谐波
谐波
SSB相位噪声
ΔF/F
TR / TF
VOH
VOL
P
Ts
±50
PPB
±2
PPB / V
±0.1
ppm /年
±0.5
PPM
±0.1
PPM
15pF/10KOhm
内部交流耦合50欧姆
45
50
55
%
3
ns
0.9Vcc
V
0.1Vcc
V
0
4
3
7
2
0.4
0.2
-45
DBM
10
1
0.4
-40
-60
-25
ms
ps
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的/赫兹
3
5
@ 100兆赫, 3.3V
@ 622兆赫, 3.3V
见下图
第一年
15年
CMOS
CMOS
3.3V
5.0V
100Hz至20MHz的
12千赫至20兆赫
F>250MHz
F< 250兆赫
SSB相位噪声
输入
阻抗
控制电压
调制
带宽
偏差
-30
-100
-125
-140
-160
-165
-80
-100
-120
-145
-150
>规格为10Mohm
0
100赫兹
@ 100 MHz的
dBc的/赫兹
@ 622 MHz的;
正弦
Vc
MB
VC = 0V至3.3V ,25°C
3.3
V
请联络厂方
更宽MB
±0.5
±1.0
PPM
357伯洛伊特街, P.O. 457盒,伯灵顿, WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件:
nelsales@nelfc.com
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晶体振荡器
OE- X8GXXXXX系列
HF / UHF OCXO低功耗
数据表0635D
REV 。一
环境和机械
0 ° C至70 ° C, -40 ° C至85°C ,见图,第1页
工作温度。
范围
每MIL -STD- 202方法213 ,电导率。 ê
机械冲击
每MIL -STD- 883 ,方法1011 ,电导率。一
热冲击
每MIL -STD- 883 ,方法2007年,电导率。一
振动
260 ℃下进行10秒才导致
焊接条件
密封
漏率小于5x10-8 atm.cc/s氦
电气连接
引脚输出
针# 1电压控制;针# 2 - Vref的;针# 3 - Vcc的;针# 4 - 输出, CMOS或
正弦;针# 5 - GND
357伯洛伊特街, P.O. 457盒,伯灵顿, WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件:
nelsales@nelfc.com
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    OE-38GVS28A
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