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大功率GaAlAs的红外线发射器
OD-880L
特点
高可靠性的液相外延生长砷化镓铝
880nm的峰值发射的最佳匹配与
ODD- 45W光电二极管
线性功率输出范围宽
密封TO- 46封装
最佳的覆盖/中等功率发射角
密度
.041
1.00
分钟。
玻璃
拱顶
.015
阳极
(案例)
.209
.220
.183 .152
.186 .156
.017
.024
.043
.143
.150
.100
阴极
.036
45°
光电特性在25℃
参数
总输出功率,P
o
辐射强度,我
e
峰值发射波长,
λ
P
光谱带宽在50%以上,
Δλ
半强度的光束角,
θ
正向电压,V
F
反向击穿电压,V
R
电容C
上升时间
下降时间
I
F
= 100毫安
I
F
= 50毫安
测试条件
MB
E
18
典型值
20
50
80
35
1.55
30
17
0.5
0.5
880
5
190mW
100mA
3A
5V
260°C
-55 ° C至100℃
100°C
400 ° C / W典型
135 ° C / W典型
R
最大
单位
mW
毫瓦/ SR
nm
nm
1.9
pF
微秒
微秒
750米切尔路,纽伯里公园,加州91320
电话: ( 805 ) 499-0335 ,传真: ( 805 ) 499-8108
电子邮件: sales@optodiode.com ,网址: www.optodiode.com
RoHS指令
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
反向电压
峰值正向电流(为10μs , 400赫兹)
2
引线焊接温度( 16"分之1从案例10秒)
EN
D
每个热降额曲线1Derate 25℃以上
2Derate线以上25°C
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
THJA1
热电阻R
THJA2
修订版2013年2月26日
OF
LI
FE
DE
CE
I
F
= 100毫安
I
R
= 10μA
V
R
= 0V
20
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值,除非另有说明。窗口
盖帽焊接到壳体。
13
大功率GaAlAs的红外线发射器
200
180
功耗(MW )
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
环境温度( ℃)
100
NO
散热器
无限
散热器
OD-880L
10
峰值正向电流, IP(安培)
热降额曲线
最大峰值脉冲电流
T = 10μs的
1
T = 100μs的
T = 500μs的
t
T
最大额定值
0.1
t
Ip
T
D=
0.01
0.01
0.1
1
占空比D ( % )
典型特征
100
降解曲线
I
F
= 20mA下
相对功率输出( % )
100
辐射方向图
相对功率输出( % )
90
I
F
= 50毫安
80
80
70
60
T
= 25°C
没有预先BURN -IN业绩
50
10
1
10
2
10
3
胁迫时间(小时)
DE
CE
MB
E
60
40
I
F
= 100毫安
20
10
4
10
5
0
–50
–40
–30
–20
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
相对功率输出
5
6
0.5
–50
–25
1,000
电源输出,为P(mW )
o
100
10
950
1,000
1
10
R
–10
0
10
20
光束角,
θ (度)
30
40
50
正向的I-V特性
4
功率输出与温度
正向电流I
F
(安培)
3
2
1
OF
0
0
LI
1
FE
2
3
4
正向电压, V(伏特)
F
0
25
50
环境温度( ℃)
光谱输出
功率输出VS正向电流
100
相对功率输出( % )
EN
D
80
60
40
20
0
750
800
850
900
波长,
λ (纳米)
100
1,000
正向电流I
F
(MA )
750米切尔路,纽伯里公园,加州91320
电话: ( 805 ) 499-0335 ,传真: ( 805 ) 499-8108
电子邮件: sales@optodiode.com ,网址: www.optodiode.com
修订版2013年2月26日
20
13
10
100
75
100
DC
脉冲
为10μs , 100Hz的
10,000
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    OD880L
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联系人:刘先生
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