大功率GaAlAs的红外线发射器
特点
高光输出
850nm的峰值发射
密封TO- 46封装
宽emision角度覆盖了大面积
OD-850W
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值，除非另有说明。瓶盖
焊接到壳体。
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
反向击穿电压，V
R
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
I
R
= 10μA
I
FP
= 50毫安
I
FP
= 50毫安
5
70
民
30
典型值
40
850
40
80
1.6
30
20
20
2
最大
单位
mW
nm
nm
度
伏
伏
纳秒
纳秒
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
连续正向电流
峰值正向电流（为10μs ， 200Hz时）
1
反向电压
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
1
200mW
100mA
300mA
5V
260°C
每个热降额曲线减免上述25℃
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
1
热电阻R
thJA
2
1
热
2
空气
-40 ℃至100 ℃的
100°C
400 ° C / W典型
135 ° C / W典型
通过传输静止空气中测量通过导线最小的热传导最小化
循环以极快的速度，以保持壳体温度在25℃下
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订版2013年2月26日
大功率GaAlAs的红外线发射器
200
180
功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
环境温度（ ℃）
100
NO
散热器
无限
散热器
OD-850W
热降额曲线
最大额定值
典型特征
100
降解曲线
I
F
= 20mA下
I
F
= 50毫安
相对功率输出（ ％ ）
10
5
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
(-3σ)
100
辐射方向图
相对功率输出（ ％ ）
90
80
80
60
70
T
例
= 25°C
没有预先BURN -IN业绩
40
60
20
50
10
1
10
2
10
3
胁迫时间（小时）
10
4
0
–100
–80
–60
–40
–20
0
20
40
光束角，
θ （度）
60
80
100
光谱输出
100
功率输出与温度
1.5
1.4
相对功率输出（ ％ ）
相对功率输出
80
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
60
40
20
0
750
800
850
波长，
λ （纳米）
900
950
0.5
–50
–25
0
25
50
环境温度（ ℃）
75
100
100
功率输出VS正向电流
电源输出，为P（mW ）
o
10
DC
1
10
正向电流I
F
（MA ）
100
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订版2013年2月26日
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