高温GaAlAs的IR发射器
特点
扩展工作温度范围
无内部涂层
需要到80℃不降额或散热器
标准2引脚TO -46密封封装
OD-850LHT
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值，除非另有说明。
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
反向击穿电压，V
R
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
I
R
= 10μA
I
FP
= 20mA下
I
FP
= 20mA下
5
民
18
典型值
25
850
40
35
1.6
30
20
20
2
最大
单位
mW
nm
nm
度
伏
伏
纳秒
纳秒
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
峰值正向电流（为10μs ， 200Hz时）
反向电压
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
1
减额
2
减额
2
200mW
100mA
300mA
5V
260°C
每个热降额曲线在25℃以上
线性25℃以上
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
热电阻R
thJA
1
热
2
空气
1
2
-65 ℃150 ℃的
150°C
400 ° C / W典型
135 ° C / W典型
通过传输静止空气中测量通过导线最小的热传导最小化
循环以极快的速度，以保持壳体温度在25℃下
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订版2013年2月26日
高温GaAlAs的IR发射器
200
180
功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
环境温度（ ℃）
120
150
NO
散热器
无限
散热器
OD-850LHT
热降额曲线
最大额定值
辐射方向图
典型特征
100
功率输出与温度
1.5
1.4
相对功率输出（ ％ ）
相对功率输出
80
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
60
40
20
0
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
20
光束角，
θ （度）
30
40
50
0.5
–50
–25
0
25
50
环境温度（ ℃）
75
100
光谱输出
100
100
功率输出VS正向电流
相对功率输出（ ％ ）
80
电源输出，为P（mW ）
o
60
10
40
DC
20
0
750
800
850
波长，
λ （纳米）
900
950
1
10
正向电流I
F
（MA ）
100
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
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修订版2013年2月26日
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