超高功率GaAlAs的红外线发射器
特点
超高光输出
在芯片四角四引线键合
非常均匀的光束
标准3引脚TO -39密封封装
芯片尺寸： 0.026 X 0.026
OD-110W
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值，除非另有说明。两个阳极
引脚
必须是
外部连接在一起。
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
上升时间
下降时间
反向击穿电压，V
R
测试条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
R
= 10μA
民
80
典型值
140
850
40
110
1.7
5
30
20
20
2
最大
单位
mW
nm
nm
度
伏
伏
纳秒
纳秒
I
F
= 500毫安
I
FP
= 50毫安
I
FP
= 50毫安
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
反向电压
1
2
1000mW
500mA
1.5A
5V
峰值正向电流（为10μs ， 200Hz时）
2
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
每个热降额曲线减免上述25℃
线性降额25°C以上
260°C
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
1
热电阻R
thJA
2
-40 ℃至100 ℃的
145 ° C / W典型
75 ° C / W典型
100°C
1
2
通过测量最小传热静止空气通过导线最小的热传导
空气循环以极快的速度，以保持壳体温度在25℃下
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订版2013年6月23日
超高功率GaAlAs的红外线发射器
1000
900
OD-110W
热降额曲线
最大额定值
功耗（MW ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
环境温度（ ℃）
100
NO
散热器
无限
散热器
1.0
降解曲线
100
辐射方向图
相对功率输出（ ％ ）
相对功率输出（ ％ ）
10,000
0.9
I
F
= 150毫安
T
j
= 63°C
I
F
= 250毫安
T
j
= 89°C
I
F
= 450毫安
T
j
= 90°C
T
例
= 25°C
没有预先BURN -IN业绩
450毫安
-3开发
80
0.8
60
0.7
40
0.6
20
0.5
1
10
100
胁迫时间（小时）
1,000
0
–100 –80
–60
–40
–20
0
20
40
光束角，
θ （度）
60
80
100
光谱输出
100
1.5
1.4
功率输出与温度
典型特征
相对功率输出（ ％ ）
相对功率输出
800
850
波长，
λ （纳米）
900
950
80
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
60
40
20
0
750
0.5
–50
–25
0
25
50
环境温度（ ℃）
75
100
100
功率输出VS正向电流
电源输出，为P（mW ）
o
10
DC
1
10
100
正向电流I
F
（MA ）
1,000
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
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修订版2013年6月23日
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