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晶体振荡器
OC- X87XXXXX系列
微缩OCXO
数据表0635A
特点
低成本DIL 14包
高真空密封水晶
低功耗( 500毫瓦)
快速的预热时间( 2分钟)
Stratum3或更好的稳定性
低老化< 3 ppm,在生活中
非常低相位噪声( -160dBc / Hz的TYP )
HCMOS / TTL或正弦波输出
可用8 MHz到160 MHz的频率
电压控制选项
0.800 (20.3 mm)
1
7
0.500 (12.7 mm)
应用
0.300 (7.6 mm)
电信
数据通信
仪器仪表
14
0.600 (15.2mm)
8
0.340 (8.7 mm)
0.250 (6.2 mm)
VCC
Vc
1
14
DUT
7
8
产量
357伯洛伊特街, P.O. 457盒,伯灵顿, WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件:
nelsales@nelfc.com
www.nelfc.com
晶体振荡器
OC- X87XXXXX系列
微缩OCXO
技术参数:
参数
SYMB
绝对最大额定值
VCC
输入歇
电压下降
Ts
存储脾气。
Vc
控制电压
电动
F
频率
频率稳定度
∆F/F
老化
条件
-0.5
-0.5
-40
-1
8
与温度。
与供应
每天
第一年
15年
.1秒到100秒
没有电压控制
对于10 %的变化
10赫兹
100赫兹
1千赫
>10千赫
30分钟后
最坏的方向
VCC
4.75
3.15
11.4
10.000
±100
10
5E-9
3E-7
5E-11
± 0.5
5E-8/V
-100
-130
-145
-160
±100
±2.0
5.25
3.45
12.6
0.7
1.5
2.5
典型值
最大
5.5
13
85
6
160
±280
50
单位
V
°C
V
兆赫
PPB
PPB / V
数据表0635A
3.3V或5V VCC
12 V的Vcc
1*
见下图
所有参数为10兆赫
30天之后,
3E-6
±2
5E-8
dBc的/赫兹
2*
PPM
Allan方差
校准
VCC灵敏度
负载敏感
SSB相位噪声
追溯
G-灵敏度
输入电压
稳定状态下,25°C
W
稳定状态下, -30℃
启动
10KOhm//15pF
负载
内部交流耦合50欧姆
以0.3ppm的精度
2
3
预热时间
τ
-50
-40
dBc的
子谐波
3.3V HCMOS / TTL兼容, 4 Tr的NS / TF 40 /60%的责任cyicle
输出波形
正弦波, + 7 dBm的± 3 dBm的到50欧姆, -30 dBc的谐波
Vc
0
4.0
V
控制电压
从标称˚F
±5
±10
PPM
拉范围
单调,断定
5
PPM / V
偏坡
Vc0
@ 25°C , FNOM 。
1.0
2.0
3.0
V
Setability
环境和机械
-30 ° C至70 ° C标准,其他选项 - 见下图
工作温度。范围
每MIL -STD- 202 , 30G , 11毫秒
机械冲击
每MIL -STD- 202 , 5G Hz至2000 Hz
振动
导致温度260℃ , 10秒,最大值
焊接条件
密封
泄漏率氦气小于1x10-8 atm.ccm /秒
耗电量
电气连接
引脚输出
引脚1维生素C ;销7-案例, GND ; PIN8 - 输出;引脚14 - Vcc的
P
5.0
3.3
12.0
0.5
PPB
PPB / G
V
见下图
操作上
温度< 70℃ ,加
为UOT 85°C 20 %
CMOS输出
正弦波输出
在较大的f 1 *
见下图
客户指定
客户指定
5V / 3.3电源
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电子邮件:
nelsales@nelfc.com
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晶体振荡器
OC- X87XXXXX系列
微缩OCXO
创建一个型号
数据表0635A
OC - X 87 X X XX X
封装代码
OC 0.8x0.5 “ 4PIN ( 14PIN )
电源电压
CODE
0
A
F
规范
5V ± 5%
3.3V ± 5%
12V ± 5%
频率, MHz的
温度范围
CODE
A
B
C
D
E
F
规范
0 ℃至50 ℃的
-10℃至60℃
0 ° C至70℃
-20°C到70°C
-30℃ 〜70℃
-40 ° C至85°C
电压控制
温度稳定性
CODE
V
0
规范
电压
控制
无电压
控制
CODE
05
10
28
30
50
YZ
规范
5x10
-8
1x10
-7
2.8x10
-7
3x10
-7
5x10
-7
YZx10
-8
产量
CODE
T
S
规范
TTL /
CMOS
正弦
不是所有的组合都是可用的。咨询厂家
.
注意事项:
1 *较高的频率可以通过使用较高频率的晶体或由低噪声模拟谐波来实现
乘法。这两种方法都有优点和缺点。如果在本底噪声尽可能低的相位噪声是最重要的 -
高频晶体将被使用。如果相位噪声接近载波和老化更重要 - 乘法将被使用。
请咨询厂家为您的特定需求。
2 *相位噪声恶化与频率会更高。如果模拟乘法来实现频率更高的
相位噪声大致如下附加20LogN ,其中N是在整个频率偏移范围内的乘法系数的公式。
如果更高的频率,通过使用较高频率的晶体相位噪声接近载波实现降低因的下部Q
晶,通常是糟糕的是,相比倍增溶液。关于本底噪声,但是它仍然或多或少是相同的。
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    OC-F870S28D
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    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-82566964 0755-82711972
    联系人:朱
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    OC-F870S28D
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