2N7052 / 2N7053 / NZT7053
分立功率&信号
技术
2N7052
2N7053
NZT7053
C
E
C
B
TO-92
E
C
B
E
C
TO-226
B
SOT-223
NPN达林顿晶体管
该器件是专为需要极高的应用
争取在集电极电流为1.0 A和高击穿电压。
从工艺06采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
100
100
12
1.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N7052
625
5.0
83.3
200
最大
2N7053
1,000
8.0
125
50
*NZT7053
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
NPN达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 1.0毫安，我
C
= 0
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
CE
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 7.0 V，I
C
= 0
100
100
12
0.1
0.2
0.1
V
V
V
A
A
A
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
BE
= 5.0 V
10,000
1,000
20,000
1.5
2.0
V
V
小信号特性
F
T
C
cb
跃迁频率
集电极 - 基极电容
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V,
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
2N7052
2N7053
200
10
8.0
兆赫
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
1.0%
典型特征
100
80
60
40
20
0
0.001
125 °C
V
- 集电极发射极电压（V ）
CESAT
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
2
β
= 1000
1.6
1.2
- 40°C
25 °C
- 40°C
0.8
0.4
0
10
25 °C
125 °C
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 06
1000
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
2
β
= 1000
- 40°C
25 °C
125 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
- 40°C
25 °C
125 °C
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
V
CE
= 5V
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 06
1000
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
V
CB
= 80V
10
结电容VS
反向偏置电压
结电容（pF ）
100
100
1
10
IB
0.1
C CB
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
P 06
125
1
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
典型的集电极 - 发射极漏
电流与温度
I
CES
- 漏电流（ nA的）
1000
P
D
- 功耗（ W）
1
功耗与
环境温度
V
CE
= 80V
V
BE
= 0
100
SOT-223
0.75
TO-92
TO-226
10
0 .5
1
0.25
0.1
0
40
80
120
160
T
J
- 结温（ C）
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
分立功率&信号
技术
2N7052
2N7053
NZT7053
C
E
C
B
TO-92
E
C
B
E
C
TO-226
B
SOT-223
NPN达林顿晶体管
该器件是专为需要极高的应用
争取在集电极电流为1.0 A和高击穿电压。
从工艺06采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
100
100
12
1.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N7052
625
5.0
83.3
200
最大
2N7053
1,000
8.0
125
50
*NZT7053
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
NPN达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 1.0毫安，我
C
= 0
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
CE
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 7.0 V，I
C
= 0
100
100
12
0.1
0.2
0.1
V
V
V
A
A
A
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
BE
= 5.0 V
10,000
1,000
20,000
1.5
2.0
V
V
小信号特性
F
T
C
cb
跃迁频率
集电极 - 基极电容
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V,
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
2N7052
2N7053
200
10
8.0
兆赫
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
1.0%
典型特征
100
80
60
40
20
0
0.001
125 °C
V
- 集电极发射极电压（V ）
CESAT
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
2
β
= 1000
1.6
1.2
- 40°C
25 °C
- 40°C
0.8
0.4
0
10
25 °C
125 °C
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 06
1000
2N7052 / 2N7053 / NZT7053
NPN达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
2
β
= 1000
- 40°C
25 °C
125 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
- 40°C
25 °C
125 °C
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
V
CE
= 5V
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 06
1000
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
V
CB
= 80V
10
结电容VS
反向偏置电压
结电容（pF ）
100
100
1
10
IB
0.1
C CB
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
P 06
125
1
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
典型的集电极 - 发射极漏
电流与温度
I
CES
- 漏电流（ nA的）
1000
P
D
- 功耗（ W）
1
功耗与
环境温度
V
CE
= 80V
V
BE
= 0
100
SOT-223
0.75
TO-92
TO-226
10
0 .5
1
0.25
0.1
0
40
80
120
160
T
J
- 结温（ C）
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
TO- 92卷带式数据，继续
TO- 92缫丝风格
CON组fi guration ：
图2.0
机选“A” （H ）
机选“E” （J ）
款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）
风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）
TO- 92径向弹药包装
CON组fi guration ：
图3.0
第一网关在集电极
胶带上侧
FLAT晶体管的顶部
第一网OFF为辐射源
胶带上侧
FLAT晶体管是底
ORDER风格
D74Z （M）的
ORDER风格
D75Z （P）的
第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管是底
第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管的顶部
1999年9月，修订版A
QQ：2880707522 复制
