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满洲里系列
单齐纳二极管
版本01 - 2010年1月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用型齐纳二极管的SOD123F小而扁平引脚表面贴装
器件(SMD )塑料封装。
1.2产品特点
总功耗:
500毫瓦
工作电压范围宽
适用于小塑料包
表面安装设计
低压微分电阻
1.3应用
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
合计
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
条件
I
F
= 10毫安
T
AMB
25
°C
[1]
[2]
[3]
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.9
500
1
单位
V
mW
W
[1]
[2]
[3]
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫
阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
恩智浦半导体
满洲里系列
单齐纳二极管
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
NZH3V0B到
NZH30C
[1]
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD123F
-
该系列由25种标称工作电压为3.0 V至30 V.
4.标记
表4 。
NZH3V0B
NZH3V3A
NZH3V6B
NZH3V9B
NZH4V3B
NZH4V7B
NZH5V1B
NZH5V6B
NZH6V2B
NZH6V8B
NZH7V5C
NZH8V2B
NZH9V1B
标记代码
标识代码
CH
CJ
CK
CL
CM
CN
CP
CQ
CR
CS
CT
CU
CV
类型编号
NZH10C
NZH11C
NZH12B
NZH13B
NZH15B
NZH16C
NZH18C
NZH20C
NZH22C
NZH24C
NZH27C
NZH30C
-
标识代码
CW
CX
CY
D9
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
DA
-
类型编号
NZH_SER_1
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2010年1月27日
2 9
恩智浦半导体
满洲里系列
单齐纳二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
I
F
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
正向电流
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
25
°C
[1]
[2]
-
-
-
-
55
65
最大
250
500
1
150
+150
+150
单位
mA
mW
W
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
250
125
70
单位
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
焊接点阴极标签。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
[1]
参数
正向电压
条件
I
F
= 10毫安
[1]
-
典型值
-
最大
0.9
单位
V
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
表8 。
每种类型的特点; NZH3V0B到NZH10C
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
NZHxxx
工作电压
V
Z
(V);
I
Z
= 20毫安
3V0B
3V3A
3V6B
3V9B
2.85
3.16
3.42
3.71
最大
3.15
3.38
3.78
4.10
最大的差异
阻力
r
DIF
(Ω)
I
Z
= 1毫安
1000
1000
1000
1000
80
70
60
50
反向电流
I
R
(μA)
V
R
(V)
1
1
1
1
二极管
电容
C
d
(PF )
[1]
最大
450
450
450
450
I
Z
= 20 mA最大
50
20
5
5
NZH_SER_1
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2010年1月27日
3 9
恩智浦半导体
满洲里系列
单齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点; NZH3V0B到NZH10C
- 续
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
NZHxxx
工作电压
V
Z
(V);
I
Z
= 20毫安
4V3B
4V7B
5V1B
5V6B
6V2B
6V8B
7V5C
8V2B
9V1B
10C
[1]
最大的差异
阻力
r
DIF
(Ω)
I
Z
= 1毫安
1000
900
800
500
300
150
120
120
120
120
40
25
20
13
10
8
8
8
8
8
反向电流
I
R
(μA)
V
R
(V)
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
二极管
电容
C
d
(PF )
[1]
最大
450
300
300
300
200
200
150
150
150
90
最大
4.43
4.80
5.20
5.73
6.27
6.83
7.67
8.36
9.23
10.20
I
Z
= 20 mA最大
5
5
5
5
5
2
0.5
0.5
0.5
0.2
4.17
4.55
4.94
5.45
5.96
6.49
7.29
8.02
8.85
9.70
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
表9 。
每种类型的特点; NZH11C到NZH20C
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
NZHxxx
工作电压
V
Z
(V);
I
Z
= 10毫安
11C
12B
13B
15B
16C
18C
20C
[1]
最大的差异
阻力
r
DIF
(Ω)
I
Z
= 1毫安
120
110
110
110
150
150
200
10
12
14
16
18
23
28
反向电流
I
R
(μA)
V
R
(V)
8
9
10
11
12
13
15
二极管
电容
C
d
(PF )
[1]
最大
85
85
80
75
75
70
60
最大
11.38
12.03
13.65
15.75
16.51
18.33
20.22
I
Z
= 10 mA最大
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
10.82
11.44
12.35
14.25
15.69
17.42
19.23
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
表中每10型特征; NZH22C到NZH30C
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
NZHxxx
工作电压
V
Z
(V);
I
Z
= 5毫安
22C
24C
27C
30C
[1]
最大的差异
阻力
r
DIF
(Ω)
I
Z
= 1毫安
200
200
250
250
I
Z
= 5毫安
30
35
45
55
反向电流
I
R
(μA)
最大
0.04
0.04
0.04
0.04
V
R
(V)
17
19
21
23
二极管
电容
C
d
(PF )
[1]
最大
60
55
50
50
最大
22.17
24.31
26.95
31.50
21.08
23.12
25.63
28.50
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
NZH_SER_1
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2010年1月27日
4 9
恩智浦半导体
满洲里系列
单齐纳二极管
300
I
F
(MA )
200
mbg781
100
0
0.6
0.8
V
F
(V)
1
T
j
= 25
°C
图1 。
50
I
Z
(MA )
40
正向电流的正向电压的函数;典型值
006aac010
V
Z( NOM )
(V) = 3.0
3.3
3.6
3.9
5.1
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
30
I
Z
(MA )
25
006aac011
20
V
Z( NOM )
(V) = 12
15
13
15
16
30
5.6
20
10
10
5
0
0
2
4
6
8
V
Z
(V)
10
0
7.5
10.0
12.5
15.0
V
Z
(V)
17.5
T
j
= 25
°C
T
j
= 25
°C
图2 。
工作电流作为工作的一个函数
电压;典型值
图3 。
工作电流作为工作的一个函数
电压;典型值
NZH_SER_1
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2010年1月27日
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