添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第92页 > NZ23C5V6ALT1G
NZ23C5V6ALT1G
24瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这种双单片硅稳压二极管是专为应用程序
需要瞬态过电压保护功能。这意
用于电压和ESD敏感设备，诸如计算机，
打印机，商用机器，通信系统，医疗
设备和其他应用程序。双接点共阳极
设计保护两条线只用一个包。该装置
是理想的情况下，电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
http://onsemi.com
1
2
3
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
5V6MG
G
1
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围
3 V
标准齐纳击穿电压范围
5.6 V
峰值功率
24瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
ESD额定值：
3B类（ >16千伏）按照人体模型
C类（ >400 V） ％的机器型号
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 0.1
mA
可燃性等级UL 94 V- 0
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
2
5V6 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据表第2页栏。
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第0版
1
出版订单号：
NZ23C5V6AL/D
NZ23C5V6ALT1G
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ） @ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒持续时间）
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
225
1.8
556
300
2.4
417
55 150
260
单位
W
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
24 WATTS
击穿电压
I
R
@
V
RWM
mA
0.1
5.2
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@
20mA
W
11
V
C
@ I
PP
（注6 ）
设备
NZ23C5V6ALT1G
设备
记号
5V6
V
RWM
伏
1.0
V
BR
（注4 ）
(V)
民
喃
5.6
最大
6.0
@ I
T
mA
5.0
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
V
8.0
I
PP
A
3.0
QV
BR
mV/5C
1.26
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
http://onsemi.com
2
NZ23C5V6ALT1G
典型特征
18
击穿电压（伏）
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
1000
100
10
I
R
（ nA的）
1
0
+ 50
+ 100
温度（℃）
+ 150
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线是双向的模式，
下面的曲线是单向的模式）
图2.典型漏电流
与温度的关系
320
280
C，电容（pF ）
240
200
160
120
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
氧化铝基板
FR- 5局
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线是单向模式，
下面的曲线是双向模式）
图4.稳态功率降额曲线
http://onsemi.com
3
NZ23C5V6ALT1G
典型特征
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
峰值脉冲降容％峰值
功率或电流@ T
A
= 25°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
200
t
r
≤
10
ms
100
值（％）
峰值
I
PP
半值
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图5.脉冲波形
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
图6.脉冲降额曲线
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图7.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
与PW
电源被定义为V
RSM
X我
Z
（峰），其中V
RSM
is
钳位电压在我
Z
（ PK） 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
（ NOM ）与PW
电源被定义为V
Z
（ NOM ） ×1
Z
（峰），其中
V
Z
（ NOM）是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
http://onsemi.com
4
NZ23C5V6ALT1G
典型的共阳极应用
一个四路口共阳极设计采用SOT- 23
包保护四个独立的线只用一个包。
这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别
当电路板空间非常珍贵。两个简单的例子，
TVS的应用说明如下。
电脑接口保护
A
键盘
终奌站
打印机
等等
B
I / O
C
D
实用
解码器
GND
NZ23C5V6ALT1G
微机保护
V
DD
V
GG
地址总线
内存
只读存储器
数据总线
I / O
中央处理器
时钟
NZ23C5V6ALT1
G
控制总线
GND
NZ23C5V6ALT1G
http://onsemi.com
5
查看更多NZ23C5V6ALT1GPDF信息
推荐型号
NAND256W4A2BN6F
NTH08JB3
NJM2336CF
N2EFS6V6W
NCP03WF104
NAND512W3A2CZB1E
NAND128W3A0BZB6E
NBSG111BAR2
NCP1521BSNT1G
NLE-LR10M356.3X11F
NRB-XS470M160V10X20F
NMC93CS46EM3
NTE5268AK
NM24C16UFLZN
njm2745v
N2180W1EB1S
NAND512W4A0AZB1T
NAND128R4A2BV1T
NJM286xF285
NTE74LS251
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NZ23C5V6ALT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
NZ23C5V6ALT1G
ON-Semi
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NZ23C5V6ALT1G
ON/安森美
2024
18000
SOT23
原装现货上海库存，欢迎咨询
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NZ23C5V6ALT1G
ON/安森美
2024
18000
SOT23
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NZ23C5V6ALT1G
ONS
2024+
9675
SOT-23-3
优势现货，全新原装进口
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
NZ23C5V6ALT1G
ON(安森美)
23+
27867
N/A
只做原装 正品现货
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NZ23C5V6ALT1G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9440
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
NZ23C5V6ALT1G
ON Semiconductor
㊣10/11+
9991
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
NZ23C5V6ALT1G
ON-Semi
25+23+
12500
SOT-23
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NZ23C5V6ALT1G
ON Semiconductor
24+
22000
500
504￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
NZ23C5V6ALT1G
ON
2425+
11280
SOT-23
进口原装!优势现货!
查询更多NZ23C5V6ALT1G供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！