NYC222STT1G,
NYC226STT1G,
NYC228STT1G
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计和测试所需的CD重复峰值运算
点火，燃料点火器，闪光电路，电机控制和低功耗
开关应用。
特点
http://onsemi.com
可控硅
1.5安培RMS
400通600伏
G
A
K
阻断电压为600 V
高浪涌电流
15 A
非常低正向“开”电压高电流
低成本表面贴装SOT- 223封装
这些无铅器件
记号
图
价值
单位
V
50
400
600
1.5
15
0.9
0.5
0.1
0.2
5.0
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
1
2
3
4
SOT223
CASE 318E
风格11
1
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
XXXXX =器件代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在某些地区或者
化）
AYW
XXXXXG
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(R
GK
= IK ，T
J
=
*40
至+ 110℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
NYC222
NYC226
NYC228
通态电流有效值
（ 180 °导通角，T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流，
@T
A
= 25 ° C， （1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
A
= 25°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
A
= 25°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
A
= 25°C)
反向峰值电压门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
A
= 25°C)
工作结温范围
@额定V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
引脚分配
K（阴极）
一（阳极）
G（门）
一（阳极）
40
到+110
40
to
+150
订购信息
设备
NYC222STT1G
NYC226STT1G
NYC228STT1G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年7月
第0版
1
出版订单号：
NYC222/D
NYC222STT1G ， NYC226STT1G ， NYC228STT1G
热特性
特征
热阻，结到环境PCB安装
热阻，结到标签上测量MT2标签毗邻环氧
最大器件温度为
焊接目的，持续10秒最大
符号
R
qJA
R
QJT
T
L
最大
156
25
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
/V
RRM
; R
GK
= 1000
W)
基本特征
正向峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
= 2.2 A峰值）
门极触发电流（ DC ） （注3 ）
(V
AK
= 7伏，R
L
= 100
W)
门极触发电压（ DC ） （注3 ）
(V
AK
= 7伏，R
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
AK
= V
DRM
, R
L
= 100
W)
保持电流
(V
AK
= 12 V ，R
GK
= 1000
W)
启动电流= 200毫安
动态特性
断态电压临界上升率
(T
C
= 110°C)
2.脉冲宽度= 1.0毫秒，占空比
v
1%.
3. R
GK
目前不包括在测量。
dv / dt的
25
V / ms的
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
0.1
1.2
30
1.7
200
500
0.8
1.2
V
mA
V
V
mA
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
I
DRM
, I
RRM
10
200
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
2.0
5.0
10
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
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2
NYC222STT1G ， NYC226STT1G ， NYC228STT1G
电流降额
TA ，最大允许环境温度（
°
C)
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
140
140
120
100
80
60
40
20
0
0
dc
a
= 180°
a
=导通角
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T（ AV ）
，平均通态电流（ AMP ）
100
a
= 180°
a
=传导
角
dc
60
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
5.0
3.0
2.0
T
J
= 110°C
25°C
1.0
0.7
0.5
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
T
，瞬时通态电压
（伏）
图3.典型正向电压
http://onsemi.com
3
NYC222STT1G ， NYC226STT1G ， NYC228STT1G
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1000
2000
5000
1000
图4.热响应
典型特征
0.8
VGT ，门极触发电压（伏）
V
AK
= 7.0 V
R
L
= 100
100
我GT栅极触发电流（
μ
A)
100 110
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
-40
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
-75
-50
-25
0
25
50
75
-20
0
20
40
60
80
100 110
T
J
，结温（ ° C）
T
J
结温（ ° C）
图5.典型栅极触发电压
P（ AV）最大平均功耗（瓦）
图6.典型栅极触发电流
10
I H ，保持电流（毫安）
2.0
1.8
30°
60°
90°
120
°
180°
V
AK
= 12 V
R
L
= 100
W
5.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
dc
2.0
1.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 110
1.0
1.2
1.4
1.6
T
J
，结温（ ° C）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图7.典型的保持电流
图8.功耗
http://onsemi.com
4
NYC222STT1G ， NYC226STT1G ， NYC228STT1G
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE M
D
b1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
4
H
E
E
1
2
3
e1
b
e
A
q
L1
C
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L1
H
E
q
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
1.50
6.70
0°
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.060
0.264
0°
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
0.08 (0003)
A1
风格11 ：
PIN 1吨1
2. MT 2
3.门
4. MT 2
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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