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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第337页 > NYC008-6JRLREG
NYC008-6JG
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为高容量,线路供电的消费PNPN设备
应用,如继电器和灯驱动器,小型电动机的控制,栅极
驱动较大的晶闸管,以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料TO- 226AA包是
容易适应于自动插入设备中使用。
特点
http://onsemi.com
可控硅
0.8 A RMS
600 V
G
A
K
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为600 V
通态电流额定值的0.8 A RMS在80℃
高浪涌电流能力
10 A
IGT , VGT和IH指定最小值和最大值
为了便于设计
免疫力的dV / dt
50伏/毫秒最低在110℃下
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
这些无铅器件
TO92
CASE 29
10风格
12
1
2
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记图
纽约
0086
AYWWG
G
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚分配
1
2
3
阴极
阳极
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
订购信息
查看详细的订购和发货信息第5页
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年1月
第0版
1
出版订单号:
NYC0086JG/D
NYC0086JG
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1及2 )
(T
J
=
*40
至110℃ ,正弦波, 50到60赫兹;
GK
= 1 KW )
开启状态RMS电流, (T
C
= 80 ℃), 180 °导通角
峰值不重复浪涌电流, (1/2周期,正弦波, 60赫兹,T
J
= 25°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
正向峰值功率门控, (T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
正向平均栅极电源, (T
A
= 25 ℃, t为8.3毫秒)
正向栅极峰值电流, (T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
反向峰值栅极电压(T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
工作结温范围@速度V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GRM
T
J
T
英镑
价值
600
0.8
10
0.415
0.1
0.10
1.0
5.0
40
到110
40
150
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而,正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源,使得器件的电压额定值被超过。
2.请参阅详细的设备号选项的订购信息。
热特性
特征
热阻,结到外壳
结到环境
无铅焊锡温度
( T1 / 16 “的情况下, 10秒最大)
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
I
DRM
, I
RRM
最大
单位
mA
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流(注3 )
T
C
= 25°C
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW )
T
C
= 110°C
50
10
100
1.7
200
5.0
10
10
15
0.8
1.2
50
基本特征
正向峰值通态电压
*
(I
TM
= 1.0 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流(注4 )
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
V
mA
mA
mA
V
保持电流(注3 )
T
C
= 25°C
(V
AK
= 7.0伏,起爆电流能力= 20 mA ,R
GK
= 1千瓦)T
C
=
40°C
闩锁电流(注4 )
(V
AK
= 7.0 V,免疫球蛋白= 200
毫安)
门极触发电压(注4 )
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,R
GK
= 1千瓦,T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
毫秒;
DIG / DT = 1 /毫秒,糖耐量低减= 20 mA)的
*表示脉冲测试:脉冲宽度
1.0毫秒,占空比
1%.
3. R
GK
= 1000
W
包括测量。
4.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
V / ms的
A / MS
http://onsemi.com
2
NYC0086JG
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
100
门极触发电压(伏)
95
110
栅极触发电流(
m
A)
90
80
70
60
50
40
30
20
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
40 25 10
5
20 35 50
65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
图1.典型栅极触发电流与
结温
图2.典型门极触发电压与
结温
http://onsemi.com
3
NYC0086JG
3.0
2.8
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
擎住电流(毫安)
保持电流(毫安)
2.6
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
图3.典型的保持电流与
结温
图4.典型的闭锁电流对
结温
TC ,最大允许外壳温度(
°
C)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
30°
60°
90°
120°
0.5
180°
DC
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
10
最大@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
1
0.1
0.2
0.3
0.4
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMPS )
0.1
0.5
0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5
V
T
,瞬时导通电压(伏)
图5.典型RMS电流降额
图6.典型通态特性
http://onsemi.com
4
NYC0086JG
订购信息
设备
NYC0086JG
NYC0086JRLRAG
NYC0086JRLREG
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
封装代码
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
NYC008-6JG
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为高容量,线路供电的消费PNPN设备
应用,如继电器和灯驱动器,小型电动机的控制,栅极
驱动较大的晶闸管,以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料TO- 226AA包是
容易适应于自动插入设备中使用。
特点
http://onsemi.com
可控硅
0.8 A RMS
600 V
G
A
K
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为600 V
通态电流额定值的0.8 A RMS在80℃
高浪涌电流能力
10 A
IGT , VGT和IH指定最小值和最大值
为了便于设计
免疫力的dV / dt
50伏/毫秒最低在110℃下
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
这些无铅器件
TO92
CASE 29
10风格
12
1
2
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记图
纽约
0086
AYWWG
G
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚分配
1
2
3
阴极
阳极
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
订购信息
查看详细的订购和发货信息第5页
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年1月
第0版
1
出版订单号:
NYC0086JG/D
NYC0086JG
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1及2 )
(T
J
=
*40
至110℃ ,正弦波, 50到60赫兹;
GK
= 1 KW )
开启状态RMS电流, (T
C
= 80 ℃), 180 °导通角
峰值不重复浪涌电流, (1/2周期,正弦波, 60赫兹,T
J
= 25°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
正向峰值功率门控, (T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
正向平均栅极电源, (T
A
= 25 ℃, t为8.3毫秒)
正向栅极峰值电流, (T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
反向峰值栅极电压(T
A
= 25 ° C,脉冲宽度
v
1.0
m
s)
工作结温范围@速度V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GRM
T
J
T
英镑
价值
600
0.8
10
0.415
0.1
0.10
1.0
5.0
40
到110
40
150
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而,正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源,使得器件的电压额定值被超过。
2.请参阅详细的设备号选项的订购信息。
热特性
特征
热阻,结到外壳
结到环境
无铅焊锡温度
( T1 / 16 “的情况下, 10秒最大)
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
I
DRM
, I
RRM
最大
单位
mA
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流(注3 )
T
C
= 25°C
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW )
T
C
= 110°C
50
10
100
1.7
200
5.0
10
10
15
0.8
1.2
50
基本特征
正向峰值通态电压
*
(I
TM
= 1.0 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流(注4 )
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
V
mA
mA
mA
V
保持电流(注3 )
T
C
= 25°C
(V
AK
= 7.0伏,起爆电流能力= 20 mA ,R
GK
= 1千瓦)T
C
=
40°C
闩锁电流(注4 )
(V
AK
= 7.0 V,免疫球蛋白= 200
毫安)
门极触发电压(注4 )
(V
AK
= 7.0伏,R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
T
C
= 25°C
T
C
=
40°C
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,R
GK
= 1千瓦,T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
毫秒;
DIG / DT = 1 /毫秒,糖耐量低减= 20 mA)的
*表示脉冲测试:脉冲宽度
1.0毫秒,占空比
1%.
3. R
GK
= 1000
W
包括测量。
4.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
V / ms的
A / MS
http://onsemi.com
2
NYC0086JG
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
100
门极触发电压(伏)
95
110
栅极触发电流(
m
A)
90
80
70
60
50
40
30
20
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
40 25 10
5
20 35 50
65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
图1.典型栅极触发电流与
结温
图2.典型门极触发电压与
结温
http://onsemi.com
3
NYC0086JG
3.0
2.8
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
擎住电流(毫安)
保持电流(毫安)
2.6
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
,结温( ° C)
95
110
图3.典型的保持电流与
结温
图4.典型的闭锁电流对
结温
TC ,最大允许外壳温度(
°
C)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
30°
60°
90°
120°
0.5
180°
DC
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
10
最大@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
1
0.1
0.2
0.3
0.4
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMPS )
0.1
0.5
0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5
V
T
,瞬时导通电压(伏)
图5.典型RMS电流降额
图6.典型通态特性
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4
NYC0086JG
订购信息
设备
NYC0086JG
NYC0086JRLRAG
NYC0086JRLREG
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
封装代码
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NYC008-6JRLREG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NYC008-6JRLREG
ON
2425+
11280
TO-92
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NYC008-6JRLREG
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NYC008-6JRLREG
ONS
24+
8420
TO-92
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NYC008-6JRLREG
ONS
2024+
9675
TO-92
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NYC008-6JRLREG
ON Semiconductor
24+
22000
000¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NYC008-6JRLREG
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9274
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NYC008-6JRLREG
ON Semiconductor
㊣10/11+
8268
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