初步
数据表
NX8369TS
激光二极管
1 310 nm的AlGaInAs MQW - DFB激光二极管，用于10 Gb / s的应用
R08DS0044EJ0100
Rev.1.00
2011年6月6日
描述
该NX8369TS是1 310nm的多量子阱（MQW ）结构的分布式反馈（DFB）激光二极管
TOSA （发射器光学组件）与砷化铟镓监控PIN- PD的插座型封装设计
SFP + / XFP收发器。
特点
内置光隔离器
光输出功率
低阈值电流
宽工作温度范围
MONITOR的InGaAs PIN- PD
P
f
=
3
DBM
I
th
= 8毫安TYP 。 @ T
C
= 25°C
T
C
=
40
至+ 90℃的
应用
10 G碱基LW / LR
10G的光纤通道
R08DS0044EJ0100 Rev.1.00
2011年6月6日
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NX8369TS
章标题
光电特性（T
C
=
40
至+ 90℃， BOL ，除非另有
特定网络版）
参数
平均光输出功率
峰值发射波长
光谱宽度
边模抑制比
阈值电流
效率差
的温度依赖性
效率差
工作电压
电流监视器
显示器暗电流
上升时间
下降时间
监控终端PD
电容
相对强度噪声
追踪误差
*2
符号
P
f
λ
p
Δ
λ
SMSR
I
th
条件
CW ，P
f
=
3
DBM
CW ，P
f
=
3
dBm时，下降20 dB
CW ，P
f
=
3
DBM
CW ，T
C
= 25°C
CW
CW ，P
f
=
3
dBm的，T
C
= 25°C
CW ，P
f
=
3
DBM
分钟。
1 290
35
8
2
0.016
0.006
3.5
0.5
100
0.023
15
30
0.032
0.048
1.5
2.2
1 000
10
500
50
50
20
128
1.25
典型值。
3
马克斯。
1 330
1
单位
DBM
nm
nm
dB
mA
W / A
dB
V
μ
A
nA
ps
ps
pF
分贝/赫兹
dB
η
d
Δη
d
V
op
I
m
I
D
t
r
t
f
C
t
凛
γ
31
Δη
d
= 10日志
η
d
η
d
(@ 25°C)
CW ，P
f
=
3
DBM
CW ，P
f
=
3
DBM
V
R
= 3.3 V ，T
C
= 25°C
V
R
= 3.3 V
20-80%
20-80%
V
R
= 3.3 V ， F = 1兆赫
*1
*1
6
*1
1.25
注：* 1 。 9.95 / 10.3 / 10.5 Gb / s的， PRBS 2
1,
NRZ ，占空比= 50 ％
* 2 。跟踪误差：
γ
P
f
（ mW）的
T
C
= 25°C
P
f
@ 25°C
T
C
= -40+ 90℃的
P
f
γ
= 10日志
P
f
P
f
@ 25°C
[分贝]
0
I
m
I
m
（MA ）
R08DS0044EJ0100 Rev.1.00
2011年6月6日
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