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NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
版本01 - 2008年9月18日
产品数据表
1.概述
该NX3V1G384提供1单刀单掷模拟开关功能。它有两个
输入/输出端子（ Y和Z）和一个低电平有效使能输入引脚（E）。当引脚E是
高电平时，模拟开关被关断。
在使能输入（ E）施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入上升
并在整个V下降时间
CC
范围从1.4 V至3.6 V.
该NX3V1G384允许与信号幅度高达V
CC
要选自Y发送到Z或
从Z到Y.它的超低导通电阻（ 0.3
)
和平坦度（ 0.1
)
确保最小
衰减信号和发射信号的失真。
2.特点
I
宽电源电压范围为1.4 V至3.6 V
I
非常低的导通电阻（峰值） ：
N
0.8
（典型值） V
CC
= 1.4 V
N
0.5
（典型值） V
CC
= 1.65 V
N
0.3
（典型值） V
CC
= 2.3 V
N
0.25
（典型值） V
CC
= 2.7 V
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E 3A级超过7500 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
I
CMOS低功耗
I
闭锁性能超过每JESD 78 II类A级100毫安
I
在3.0 V的直接接口， TTL电平
I
控制输入接收电压高于电源电压
I
高电流处理能力（在3.3 V电源500毫安连续电流）
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.应用
I
手机
I
PDA
I
便携式媒体播放器
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
NX3V1G384GW
NX3V1G384GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
描述
VERSION
SOT353-1
SOT886
TSSOP5塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
XSON6
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
eL
eL
类型编号
NX3V1G384GW
NX3V1G384GM
6.功能图
E
Z
Y
001aag476
Y
Z
E
001aai598
图1.逻辑符号
图2.逻辑图
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3V1G384
NX3V1G384
Y
Z
1
2
GND
GND
3
001aai611
Y
5
V
CC
1
6
V
CC
Z
2
5
北卡罗来纳州
3
4
E
4
E
001aai612
透明的顶视图
图3.引脚CON组fi guration SOT353-1 （ TSSOP5 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
NX3V1G384_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月18日
2 16
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
7.2引脚说明
表3中。
符号
Y
Z
GND
E
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1
1
2
3
4
-
5
SOT886
1
2
3
4
5
6
独立的输入或输出
独立的输出或输入
接地（ 0 V ）
使能输入（低电平有效）
没有连接
电源电压
描述
8.功能描述
表4 。
输入E
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
ON
关闭
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
条件
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±500
±750
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于TSSOP5包： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
NX3V1G384_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月18日
3 16
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
使输入E
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z时在端子Y ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
必须不超过0.4伏。如果开关电流佛罗里达州流入的入端子Z ，没有GND电流会溢流从终端Y.在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
°C
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
使输入E ;
V
I
= GND至3.6 V ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
口Y ;看
图5 ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
端口;看
图6 ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
0.65V
CC
1.7
2.0
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
0.65V
CC
1.7
2.0
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
0.7
0.8
±0.5
-
-
-
0.7
0.8
±1
V
V
V
V
V
A
单位
0.35V
CC
0.35V
CC
V
I
S（ OFF）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
秒（上）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
CC
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
电源电流V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 3.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
-
-
-
-
-
1.0
70
205
±100
-
-
-
-
-
-
-
690
-
-
-
6000
-
-
-
nA
pF
pF
pF
NX3V1G384_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月18日
4 16
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
11.1测试电路
V
CC
V
IH
I
S
VI
V
CC
V
IL
Y
I
S
VO
VI
E
Z
GND
E
Z
GND
Y
I
S
VO
001aag479
001aag480
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
= V
CC
0.3 V或0.3 V.
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
=开路。
用于测量断态泄漏图5.测试电路
当前
用于测量状态泄漏图6.测试电路
当前
11.2导通电阻
表8 。
电阻R
ON
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V） ;为图看
图8
to
图13 。
符号
R
开（峰）
参数
抗性
（峰值）
条件
V
I
= GND到V
CC
;
I
SW
= 100毫安;看
图7
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 2.7 V
R
ON （ FL的）
抗性
（平坦度）
V
I
= GND到V
CC
;
I
SW
= 100毫安
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 2.7 V
[1]
[2]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
平坦性德音响定义为在相同的V测得的最大和导通电阻的最低值之间的差
CC
和
温度。
[2]
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
单位
民
典型值
[1]
最大
民
最大
-
-
-
-
0.8
0.5
0.3
0.25
1.9
0.8
0.5
0.45
-
-
-
-
2.1
0.9
0.6
0.5
-
-
-
-
0.5
0.25
0.1
0.1
1.7
0.6
0.2
0.2
-
-
-
-
1.8
0.7
0.2
0.2
NX3V1G384_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月18日
5 16
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
版本04 - 2010年3月24日
产品数据表
1.概述
该NX3V1G384提供1单刀单掷模拟开关功能。它有两个
输入/输出端子（ Y和Z）和一个低电平有效使能输入引脚（E）。当引脚E是
高电平时，模拟开关被关断。
在使能输入（ E）施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入上升
并在整个V下降时间
CC
范围从1.4 V至4.3 V.
该NX3V1G384允许与信号幅度高达V
CC
要选自Y发送到Z或
从Z到Y.它的超低导通电阻（ 0.3
Ω)
和平整度（ 0.1
Ω)
确保最小
衰减信号和发射信号的失真。
2.特点
宽电源电压范围为1.4 V至4.3 V
非常低的导通电阻（峰值） ：
0.8
Ω
（典型值） V
CC
= 1.4 V
0.5
Ω
（典型值） V
CC
= 1.65 V
0.3
Ω
（典型值） V
CC
= 2.3 V
0.25
Ω
（典型值） V
CC
= 2.7 V
0.25
Ω
（典型值） V
CC
= 4.3 V
高噪声抗扰度
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过7500 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
CMOS低功耗
闭锁性能超过每JESD 78B II类A级100毫安
在3.0 V的直接接口， TTL电平
控制输入接收电压高于电源电压
高电流处理能力（在3.3 V电源500毫安连续电流）
从指定的
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.应用
手机
PDA
便携式媒体播放器
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
NX3V1G384GW
NX3V1G384GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
描述
VERSION
SOT353-1
SOT886
TSSOP5塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
XSON6
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
类型编号
5.打标
表2中。
标记代码
[1]
标识代码
eL
eL
类型编号
NX3V1G384GW
NX3V1G384GM
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
6.功能图
E
Z
Y
001aag476
Y
Z
E
001aai598
图1 。
逻辑符号
图2 。
逻辑图
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3V1G384
NX3V1G384
Y
Z
1
2
GND
GND
3
001aai611
Y
5
V
CC
1
6
V
CC
Z
2
5
北卡罗来纳州
3
4
E
4
E
001aai612
透明的顶视图
图3 。
引脚配置SOT353-1 （ TSSOP5 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
NX3V1G384_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
2 18
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
7.2引脚说明
表3中。
符号
Y
Z
GND
E
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1
1
2
3
4
-
5
SOT886
1
2
3
4
5
6
独立的输入或输出
独立的输出或输入
接地（ 0 V ）
使能输入（低电平有效）
没有连接
电源电压
描述
8.功能描述
表4 。
输入E
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
ON
关闭
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
条件
使输入E
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±500
±750
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
最小和最大开关电压额定值可能会超过如果开关钳位电流额定值观察到，但可能不会
超过4.6 V.
对于TSSOP5包： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
NX3V1G384_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
3 18
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
使输入E
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
4.3
4.3
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z时在端子Y ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
必须不超过0.4伏。如果开关电流流入端子Z ，没有GND电流会从端子Y流动。在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
°C
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
使输入E ;
V
I
= GND为4.3 V ;
V
CC
= 1.4 V至4.3 V
口Y ;看
图5 ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
端口;看
图6 ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
±10
±100
100
150
-
-
-
-
-
±50
±50
690
690
800
±500
±500
6000
6000
7000
nA
nA
nA
nA
nA
-
-
-
-
±5
±10
-
-
±50
±50
±500
±500
nA
nA
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
CC
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3V
CC
±0.5
-
-
-
-
0.7
0.8
±1
V
V
V
V
V
V
μA
单位
0.35V
CC
0.35V
CC
V
0.3V
CC
V
I
S（ OFF）
I
秒（上）
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;
V
SW
= GND或V
CC
V
CC
= 3.6 V
V
CC
= 4.3 V
NX3V1G384_4
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版本04 - 2010年3月24日
4 18
恩智浦半导体
NX3V1G384
低欧姆的单刀单掷模拟开关
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
°C
民
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
-
-
-
典型值
1.0
70
205
最大
-
-
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
单位
11.1测试电路
V
CC
V
IH
E
Z
GND
Y
V
IL
I
S
VO
VI
V
CC
E
Z
GND
Y
I
S
VI
VO
001aag479
001aag480
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
= V
CC
0.3 V或0.3 V.
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
=开路。
图5 。
用于测量断态泄漏测试电路
当前
图6 。
用于测量状态泄漏测试电路
当前
11.2导通电阻
表8 。
电阻R
ON
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V） ;为图看
图8
to
图14 。
符号
R
开（峰）
参数
抗性
（峰值）
条件
V
I
= GND到V
CC
;
I
SW
= 100毫安;看
图7
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 4.3 V
R
对（平）
抗性
（平坦度）
V
I
= GND到V
CC
;
I
SW
= 100毫安
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 4.3 V
NX3V1G384_4
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
单位
民
典型值
[1]
最大
民
最大
-
-
-
-
-
[2]
0.8
0.5
0.3
0.25
0.25
1.9
0.8
0.5
0.45
0.45
-
-
-
-
-
2.1
0.9
0.6
0.5
0.5
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
-
-
-
-
-
0.5
0.25
0.1
0.1
0.1
1.7
0.6
0.2
0.2
0.25
-
-
-
-
-
1.8
0.7
0.2
0.2
0.25
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
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NN511000J-70
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