NX3L1G3157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
牧师08 - 2010年4月26日
产品数据表
1.概述
该NX3L1G3157是低欧姆单刀双掷模拟开关适合于使用
作为模拟或数字2： 1多路复用器/多路分用器。它有一个数字选择输入（S ），两个
独立的输入/输出（Y0和Y1）和一个共同的输入/输出（ Z） 。施密特触发器
在数字输入操作使得电路容忍较慢的输入上升和下降时间。
该NX3L1G3157允许与信号幅度高达V
CC
从发送到Y0
或Y1 ;或者从Y0或Y1到Z.它的低导通电阻（ 0.5
Ω)
和平坦度（ 0.13
Ω)
保证
最小衰减和传输信号的失真。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为1.4 V至4.3 V
非常低的导通电阻：
1.6
Ω
（典型值） V
CC
= 1.4 V
1.0
Ω
（典型值） V
CC
= 1.65 V
0.55
Ω
（典型值） V
CC
= 2.3 V
0.50
Ω
（典型值） V
CC
= 2.7 V
0.50
Ω
（典型值） V
CC
= 4.3 V
先开后合式开关
高噪声抗扰度
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过7500 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
IEC61000-4-2接触放电超过8000 V的交换机端口
CMOS低功耗
闭锁性能超过每JESD78 II类A级100毫安
在3.0 V的直接接口， TTL电平
控制输入接收电压高于电源电压
高电流处理能力（在3.3 V电源350毫安连续电流）
从指定的
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3L1G3157
NX3L1G3157
Y1
GND
1
2
6
5
S
GND
V
CC
Y0
Y0
3
001aai592
Y1
1
6
S
2
5
V
CC
3
4
Z
4
Z
001aag562
透明的顶视图
图3 。
引脚配置SOT363 （ SC -88 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
Y1
GND
Y0
Z
V
CC
S
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
独立的输入或输出
公共输出或输入
电源电压
选择输入
8.功能描述
表4 。
输入端S
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
通道上
Y0
Y1
NX3L1G3157_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月26日
3 22
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
条件
选择输入端S
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±350
±500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
最小和最大开关电压额定值可能会超过如果开关钳位电流额定值观察到，但可能不会
超过4.6 V.
对于SC- 88封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
选择输入端S
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
最大
4.3
4.3
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至4.3 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z当终端YN ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有接地电流会从佛罗里达州码头YN流。在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
NX3L1G3157_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月26日
4 22
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
选择输入S;
V
I
= GND为4.3 V ;
V
CC
= 1.4 V至4.3 V
Y0和Y1端口;
SEE
图5
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
I
秒（上）
导通状态
泄漏
当前
端口;看
图6
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
-
-
-
-
±5
±10
-
-
±50
±50
±500
±500
nA
nA
-
-
-
-
±5
±10
-
-
±50
±50
±500
±500
nA
nA
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
T
AMB
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
0.3V
CC
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
0.65V
CC
1.7
2.0
0.7V
CC
-
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
0.7
0.8
0.3V
CC
±0.5
-
-
-
-
0.7
0.8
±1
V
V
V
V
V
V
μA
单位
0.35V
CC
0.35V
CC
V
0.3V
CC
V
I
S（ OFF）
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;
V
SW
= GND或V
CC
V
CC
= 3.6 V
V
CC
= 4.3 V
-
-
-
-
-
-
-
1.0
35
130
100
150
-
-
-
-
-
-
-
-
690
800
-
-
-
6000
7000
-
-
-
nA
nA
pF
pF
pF
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
NX3L1G3157_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月26日
5 22
NX3L1G3157
低电阻，单刀双掷开关
牧师01 - 2007年10月8日
产品数据表
1.概述
该NX3L1G3157提供的，低电阻，单刀双掷模拟开关
适合用作模拟或数字多路复用器/多路分用器。它具有数字选择
输入（ S）带施密特触发器的动作，两个独立的输入/输出（ Y0 ， Y1 ）和
通用输入/输出（ Z） 。
在选择输入（S ）施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入上升
并在整个V下降时间
CC
范围从1.4 V至3.6 V.
该NX3L1G3157允许与信号幅度高达V
CC
从发送到Y0
或Y1 ;或者从Y0或Y1到Z.它的低导通电阻（ 0.5
)
和平坦度（ 0.13
)
保证
最小衰减和传输信号的失真。
2.特点
s
宽电源电压范围为1.4 V至3.6 V
s
非常低的导通电阻：
x
1.6
（典型值） V
CC
= 1.4 V
x
1.0
（典型值） V
CC
= 1.65 V
x
0.55
（典型值） V
CC
= 2.3 V
x
0.50
（典型值） V
CC
= 2.7 V
s
先开后合式开关
s
高噪声抗扰度
s
ESD保护：
x
HBM JESD22- A114E 3A级超过7500 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能超过每JESD 78 II类B级100毫安
s
在3.0 V的直接接口， TTL电平
s
控制输入接收电压高于电源电压
s
高电流处理能力（在3.3 V电源350毫安连续电流）
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.应用
s
手机
s
PDA
s
便携式媒体播放器
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低电阻，单刀双掷开关
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
NX3L1G3157GM
40 °C
+125
°C
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
VERSION
SOT886
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
MJ
类型编号
NX3L1G3157GM
6.功能图
Y1
S
S 6
1 Y1
Z 4
3 Y0
001aac354
Z
Y0
001aac355
图1.逻辑符号
图2.逻辑图
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3L1G3157
Y1
1
6
S
GND
2
5
V
CC
Y0
3
4
Z
001aag562
透明的顶视图
图3.引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
NX3L1G3157_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年10月8日
2 18
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低电阻，单刀双掷开关
7.2引脚说明
表3中。
符号
Y1
GND
Y0
Z
V
CC
S
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
独立的输入或输出
公共输出或输入
电源电压
选择输入
8.功能描述
表4 。
输入端S
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
通道上
Y0
Y1
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
条件
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±350
±500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
NX3L1G3157_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年10月8日
3 18
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低电阻，单刀双掷开关
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
选择输入端S
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z当终端YN ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有接地电流会从佛罗里达州码头YN流。在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
选择输入S;
V
I
= GND至3.6 V ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
Y0和Y1端口;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
SEE
图4
端口;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
SEE
图5
0.65V
CC
1.7
2.0
-
-
-
-
25
°C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.35V
CC
0.7
0.8
-
40 °C
+125
°C
民
0.65V
CC
1.7
2.0
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
0.7
0.8
±0.5
-
-
-
0.7
0.8
±1
V
V
V
V
V
A
单位
0.35V
CC
0.35V
CC
V
I
S（ OFF）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
秒（上）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 3.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
输入
电容
-
-
100
-
690
6000
nA
C
I
-
1.0
-
-
-
-
pF
NX3L1G3157_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年10月8日
4 18
恩智浦半导体
NX3L1G3157
低电阻，单刀双掷开关
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
民
C
S（ OFF）
C
秒（上）
关闭状态
电容
导通状态
电容
-
-
25
°C
典型值
35
130
最大
-
-
40 °C
+125
°C
民
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
pF
pF
单位
11.1测试电路
开关
1
V
IL
或V
IH
S
Z
Y0
Y1
1
2
2
开关
I
S
S
V
IH
V
IL
V
CC
VI
VO
GND
001aac358
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
= V
CC
0.3 V或0.3 V.
用于测量断态泄漏电流图4.测试电路
V
CC
S
Z
Y0
Y1
1
2
开关
1
S
V
IH
V
IL
V
IL
或V
IH
I
S
VI
2
开关
VO
GND
001aac359
V
I
- 0.3 V或V
CC
0.3 V; V
O
= V
CC
0.3 V或0.3 V.
用于测量状态泄漏电流图5.测试电路
NX3L1G3157_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2007年10月8日
5 18
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