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NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
第2版 - 2011年11月9日
产品数据表
1.概述
该NX3DV221是一种高带宽开关设计用于高速USB开关
2.0信号在手机和消费应用中，例如蜂窝电话，数码相机，
和笔记本电脑与HUB或控制器有限的USB I / O操作。宽带宽（ 1
GHz的这种开关）允许信号通过以最小的边缘和相位失真。该
设备复用差分从USB主机设备输出的两个一
相应的输出。所述开关是双向的，并且提供的很少或没有衰减
高速信号的输出。它是专为低比特到比特偏移和高
通道与通道之间的噪声隔离，并且与各种标准，如兼容
高速USB 2.0 （ 480 Mbps）的。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为2.3 V至3.6 V
开关电压信号接受高达5.5 V
在V 1.8 V控制逻辑
CC
= 3.6 V
当OE为高电平低功耗模式（ 2
最多）
6
（最大值）导通电阻
0.1
（典型值）
在通道之间的电阻不匹配
6 PF（典型值）
-state电容
高带宽（ 1.0 GHz的典型值）
闭锁性能超过每JESD 78B II类A级100毫安
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过8000 V
CDM JESD22- C101E超过1000 V
HBM超过12000 V的I / O至GND保护
从指定的
40 C
+85
C
3.应用
对于USB 1.0 ， 1.1和2.0的路由信号
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
NX3DV221GM
40 C
+85
C
名字
描述
VERSION
SOT1049-2
XQFN10U塑料极薄四flatpackage ;没有线索;
10个终端; UTLP基础;体2
1.55
0.5 mm
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
[1]
x21
类型编号
NX3DV221GM
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
6.功能图
8
1
D+
1D+
D-
7
2
3
1D-
2D+
V
CC
收费
泵
OE
S
6
9
4
2D-
Controllogic
001aao078
图1 。
逻辑符号
NX3DV221
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产品数据表
第2版 - 2011年11月9日
2 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3DV221
V
CC
1
10
1D+
9
8
7
S
D+
D-
1D-
2D+
2
3
2D-
4
6
OE
GND
5
001aao079
透明的顶视图
图2 。
引脚配置SOT1049-2 （ XQFN10U ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
1D+
1D
2D+
2D
GND
OE
D
D+
S
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
描述
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
输出使能输入（低电平有效）
常见的输入或输出
常见的输入或输出
选择输入
电源电压
8.功能描述
表4 。
输入
S
L
H
X
[1]
功能表
[1]
通道
OE
L
L
H
D+ = 1D+; D = 1D
D+ = 2D+; D = 2D
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
NX3DV221
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产品数据表
第2版 - 2011年11月9日
3 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
S， OE输入
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
50
50
-
-
100
65
最大
+4.6
+7.0
+7.0
-
-
120
+100
-
+150
250
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
T
AMB
=
40 C
+125
C
[3]
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于XQFN10U包： 132以上
C
P的值
合计
减额线性14.1毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
推荐工作条件
条件
S， OE输入
民
2.3
0
0
40
最大
3.6
V
CC
5.5
+85
单位
V
V
V
C
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
符号参数
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
IH
V
IL
V
IK
I
I
参数
高位
输入电压
低电平
输入电压
输入钳位
电压
输入漏
当前
条件
民
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V;
I
I
=
18
mA
S， OE输入;
V
CC
= 0 V, 2.7 V, 3.6;
V
I
= GND至3.6 V
-
-
-
-
-
-
T
AMB
= 25
C
典型值
-
-
-
-
-
0.01
最大
-
-
-
-
-
-
T
AMB
=-40
C
+85
C
单位
民
0.46V
CC
0.46V
CC
-
-
-
-
最大
-
-
0.25V
CC
0.25V
CC
1.8
1
V
V
V
V
V
A
NX3DV221
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第2版 - 2011年11月9日
4 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
I
关闭
参数
条件
民
断电
每个引脚; V
CC
= 0 V
漏电流
V
SW
= 0 V至2.7 V
V
SW
= 0 V至3.6 V
V
SW
= 0 V至5.25 V
I
S（ OFF）
关闭状态
ND +和ND-端口;
泄漏电流见
科幻gure 3
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V
I
CC
电源电流
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V
OE = GND
OE = V
CC
（低功耗模式）
I
CC
另外
电源电流
S， OE输入;
一个输入在1.8 V ;
在GND或V等输入
CC
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.6 V
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
-
-
-
-
-
0.8
12.5
1
3
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
20
2.5
5.0
7.5
A
A
pF
pF
pF
-
-
18.5
0.01
-
-
-
-
30
2
A
A
-
-
-
-
1
A
-
-
-
T
AMB
= 25
C
典型值
0.01
0.01
0.01
最大
-
-
-
T
AMB
=-40
C
+85
C
单位
民
-
-
-
最大
2.0
2.0
3.0
A
A
A
11.1测试电路
V
CC
S
Dn
2Dn 2
OE
V
IH
VI
开关
1
1DN 1
开关
I
S
2
S
V
IL
V
IH
OE
V
IH
V
IH
V
IL
或V
IH
GND
VO
001aao080
V
I
= 0 V; V
O
= 0 V至5.25 V
图3 。
用于测量断态泄漏电流测试电路
NX3DV221
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产品数据表
第2版 - 2011年11月9日
5 18
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
第2版 - 2011年11月9日
产品数据表
1.概述
该NX3DV221是一种高带宽开关设计用于高速USB开关
2.0信号在手机和消费应用中，例如蜂窝电话，数码相机，
和笔记本电脑与HUB或控制器有限的USB I / O操作。宽带宽（ 1
GHz的这种开关）允许信号通过以最小的边缘和相位失真。该
设备复用差分从USB主机设备输出的两个一
相应的输出。所述开关是双向的，并且提供的很少或没有衰减
高速信号的输出。它是专为低比特到比特偏移和高
通道与通道之间的噪声隔离，并且与各种标准，如兼容
高速USB 2.0 （ 480 Mbps）的。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为2.3 V至3.6 V
开关电压信号接受高达5.5 V
在V 1.8 V控制逻辑
CC
= 3.6 V
当OE为高电平低功耗模式（ 2
最多）
6
（最大值）导通电阻
0.1
（典型值）
在通道之间的电阻不匹配
6 PF（典型值）
-state电容
高带宽（ 1.0 GHz的典型值）
闭锁性能超过每JESD 78B II类A级100毫安
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过8000 V
CDM JESD22- C101E超过1000 V
HBM超过12000 V的I / O至GND保护
从指定的
40 C
+85
C
3.应用
对于USB 1.0 ， 1.1和2.0的路由信号
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
NX3DV221GM
40 C
+85
C
名字
描述
VERSION
SOT1049-2
XQFN10U塑料极薄四flatpackage ;没有线索;
10个终端; UTLP基础;体2
1.55
0.5 mm
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
[1]
x21
类型编号
NX3DV221GM
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
6.功能图
8
1
D+
1D+
D-
7
2
3
1D-
2D+
V
CC
收费
泵
OE
S
6
9
4
2D-
Controllogic
001aao078
图1 。
逻辑符号
NX3DV221
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产品数据表
第2版 - 2011年11月9日
2 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3DV221
V
CC
1
10
1D+
9
8
7
S
D+
D-
1D-
2D+
2
3
2D-
4
6
OE
GND
5
001aao079
透明的顶视图
图2 。
引脚配置SOT1049-2 （ XQFN10U ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
1D+
1D
2D+
2D
GND
OE
D
D+
S
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
描述
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
输出使能输入（低电平有效）
常见的输入或输出
常见的输入或输出
选择输入
电源电压
8.功能描述
表4 。
输入
S
L
H
X
[1]
功能表
[1]
通道
OE
L
L
H
D+ = 1D+; D = 1D
D+ = 2D+; D = 2D
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
NX3DV221
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产品数据表
第2版 - 2011年11月9日
3 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
S， OE输入
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
50
50
-
-
100
65
最大
+4.6
+7.0
+7.0
-
-
120
+100
-
+150
250
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
T
AMB
=
40 C
+125
C
[3]
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于XQFN10U包： 132以上
C
P的值
合计
减额线性14.1毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
推荐工作条件
条件
S， OE输入
民
2.3
0
0
40
最大
3.6
V
CC
5.5
+85
单位
V
V
V
C
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
符号参数
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
IH
V
IL
V
IK
I
I
参数
高位
输入电压
低电平
输入电压
输入钳位
电压
输入漏
当前
条件
民
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V;
I
I
=
18
mA
S， OE输入;
V
CC
= 0 V, 2.7 V, 3.6;
V
I
= GND至3.6 V
-
-
-
-
-
-
T
AMB
= 25
C
典型值
-
-
-
-
-
0.01
最大
-
-
-
-
-
-
T
AMB
=-40
C
+85
C
单位
民
0.46V
CC
0.46V
CC
-
-
-
-
最大
-
-
0.25V
CC
0.25V
CC
1.8
1
V
V
V
V
V
A
NX3DV221
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产品数据表
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4 18
恩智浦半导体
NX3DV221
高速USB 2.0开关启用
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
I
关闭
参数
条件
民
断电
每个引脚; V
CC
= 0 V
漏电流
V
SW
= 0 V至2.7 V
V
SW
= 0 V至3.6 V
V
SW
= 0 V至5.25 V
I
S（ OFF）
关闭状态
ND +和ND-端口;
泄漏电流见
科幻gure 3
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V
I
CC
电源电流
V
CC
= 2.7 V, 3.6 V
OE = GND
OE = V
CC
（低功耗模式）
I
CC
另外
电源电流
S， OE输入;
一个输入在1.8 V ;
在GND或V等输入
CC
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.6 V
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 2.5 V, 3.3 V
-
-
-
-
-
0.8
12.5
1
3
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
20
2.5
5.0
7.5
A
A
pF
pF
pF
-
-
18.5
0.01
-
-
-
-
30
2
A
A
-
-
-
-
1
A
-
-
-
T
AMB
= 25
C
典型值
0.01
0.01
0.01
最大
-
-
-
T
AMB
=-40
C
+85
C
单位
民
-
-
-
最大
2.0
2.0
3.0
A
A
A
11.1测试电路
V
CC
S
Dn
2Dn 2
OE
V
IH
VI
开关
1
1DN 1
开关
I
S
2
S
V
IL
V
IH
OE
V
IH
V
IH
V
IL
或V
IH
GND
VO
001aao080
V
I
= 0 V; V
O
= 0 V至5.25 V
图3 。
用于测量断态泄漏电流测试电路
NX3DV221
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5 18
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推荐型号
NX60T0-32SAA9-SP
NTE5513
NJU6319DR
N7640
NAWT220M50V6.3X8NBF
NCP3064BDR2G
NLSX4014MUTAG
NFL21SP206X1C3
NT0515311
NCP1075STAT3G
NTC120
NCP4685ESQ25T1G
NRU476K25
NRC336K10
NCP508MN28TBG
NRC335K50
N80C196JR
NAN0505
NM93CS46TLZM8
NAND512W3A2CZB6
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NX3DV221GM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
NX3DV221GM
NXP(恩智浦)
22+
29781
原装原厂公司现货
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