【SOT2NX3008PBK30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET第1版 - 2011年8月1】,IC型号NX3008PBK,NX3008PBK PDF资料,NX3008PBK经销商,ic,电子元器件-51电子网

NX3008PBK

30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET

第1版 - 2011年8月1日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

P沟道增强型场效应晶体管（ FET ），采用小型SOT23

（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装

技术。

1.2特点和优点

非常快速的切换

低阈值电压

沟槽MOSFET技术

ESD保护高达2千伏

AEC- Q101对外贸易资质网络编辑

1.3应用

继电器驱动器

高速线路驱动器

高端loadswitch

开关电路

1.4快速参考数据

表1中。

符号

DSON

快速参考数据

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

= -4.5 V ;牛逼

AMB

= 25 °C

= -4.5 V;

= -200毫安;吨

= 25 °C

[1]

条件

= 25 °C

民

-8

典型值

2.8

最大

-30

-230

4.1

单位

静态特性

[1]

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米

恩智浦半导体

NX3008PBK

30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET

2.管脚信息

表2中。

针

管脚信息

符号说明

门

来源

漏

简化的轮廓

图形符号

SOT23封装（ TO- 236AB ）

017aaa259

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

NX3008PBK

TO-236AB

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

VERSION

SOT23

类型编号

4.标记

表4 。

标记代码

标识代码

[1]

KT ％

类型编号

NX3008PBK

[1]

％ =占位符的生产基地代码。

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恩智浦半导体

NX3008PBK

30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET

5.极限值

表5 。

符号

合计

极限值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

峰值漏极电流

总功耗

= -4.5 V ;牛逼

AMB

= 25 °C

= -4.5 V ;牛逼

AMB

= 100 °C

AMB

= 25°C ;单脉冲;吨

≤

10 s

AMB

= 25 °C

AMB

英镑

ESD

[1]

[2]

[3]

[2]

[1]

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

条件

= 25 °C

民

-8

-55

-65

AMB

= 25 °C

HBM

[1]

最大

-30

-230

-145

-1

350

420

1140

150

-230

2000

单位

°C

结温

环境温度

储存温度

源出电流

静电放电电压

源极 - 漏极二极管

ESD最大额定值

[3]

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米

设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ），单面铜，镀锡和标准的足迹。

测量之间的所有引脚。

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3 16

恩智浦半导体

NX3008PBK

30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET

120

DER

(%)

001aao121

120

DER

(%)

001aao122

-75

-25

125

(°C)

175

-75

-25

125

(°C)

175

图1 。

归一化的总功耗为

结温度的函数

-10

(A)

-1

图2 。

标准化的连续漏极电流为

结温度的函数

001aao255

(1)

-10

-1

(2)

(3)

(4)

(5)

-10

-2

-10

-1

-10

(V)

-10

是一个单一的脉冲

(1) t

= 1毫秒

(2) t

= 10毫秒

(3) t

= 100毫秒

（4 ）直流;牛逼

= 25 °C

（ 5 ）直流;牛逼

AMB

= 25°C ; 1厘米

漏装垫片

图3 。

安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能

电压

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恩智浦半导体

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30 V ， 230毫安P沟道沟槽MOSFET

6.热特性

表6 。

符号

号（j -a）的

日（J -SP ）

热特性

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻焊接

点

条件

在自由空气

[1]

[2]

民

典型值

310

260

最大

370

300

115

单位

K / W

[1]

[2]

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米

号（j -a）的

（K / W）

占空比= 1

0.75

0.5

0.33

0.25

0.1

0.2

0.05

0.02

0.01

017aaa015

(s)

FR4 PCB，标准的足迹

图4 。

号（j -a）的

（K / W）

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值

017aaa016

占空比= 1

0.75

0.5

0.33

0.25

0.1

0.2

0.05

0.02

0.01

(s)

FR4 PCB，安装垫排水1厘米

图5 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值

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2019

36000

SOT-23

原装正品钻石品质假一赔十

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2024+

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优势现货，全新原装进口

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电话：0755-82574045

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9000

SOT23

只做原装实单申请

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NX3008PBK

NXP

2023+PB

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SOT-23

★专业经营贴片二，三极管，桥堆★现货库存低价抛售★

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地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

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0.1

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全新原装正品/质量有保证

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100%原装正品，只做原装正品

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NEXPERIA/安世

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