NX29F010
1M - BIT （ 128K ×8位）
CMOS ，仅5.0V
ULTRA -FAST扇形FLASH MEMORY
特点
超快速的性能
- 35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和90 ns（最大值） 。访问时间
温度范围
- 商业0
o
c-70
o
c
- 工业-40
o
c-85
o
c
单5V -只有电源
- 5V ±10 ％的读取，编程和擦除
CMOS低功耗
- 20毫安（典型值）读操作工作电流
- 30毫安（典型值）编程/擦除电流
兼容JEDEC标准引脚排列
- 32引脚DIP ， PLCC ， TSOP
程序/功能兼容AM29F010
- 无系统固件的变化
- 使用相同的PROM程序设计师的算法
灵活的部门架构
- 清除所有8统一部门或整片擦除
- 使用PROM扇区保护/解除保护
编程设备
100,000编程/擦除周期
嵌入式算法
- 自动程序和数据验证
指定的地址
- 自动计划和擦除芯片或任何
指定的部门
数据/轮询和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
2000年6月
描述
该
NexFlash
NX29F010是1兆位（ 131,072字节）
5.0V单只扇区的闪存。该NX29F010
提供在系统编程与标准体系
5.0V -仅Vcc电源，并且可以编程或擦除
标准PROM编程器。
该NX29F010提供了访问时间35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和
90纳秒，允许高速控制器和DSP “操作
无需等待。字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。
单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制消除了总线争用。
功耗也大大降低了系统的时
器件进入待机模式。
该器件采用32引脚PLCC ， TSOP和PDIP
包。
操作原理
只有一个单一的5.0V电源需要同时读取和
写功能。编程或擦除操作不需要
12.0V V
PP
。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。命令
使用标准微量写入到命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
在执行程序命令序列调用
嵌入式程序算法，内部算法
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
本文件包含的初步数据。 NexFlash保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们
承担可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有1998年， NexFlash技术公司..
NexFlash技术公司
NXPF001F-0600
06/22/00
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
1
NX29F010
执行擦除命令序列调用
嵌入式擦除算法，内部算法
自动预方案的阵列为全零（如果它不是
已编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和擦除过程中验证正确的电池余量。
通过阅读DQ7 （数据查询）和DQ6 （切换）状态
位，则主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成。完成后，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构设计，让内存
行业要擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
然后才发货给客户。
硬件数据保护包括VCC低于检测
该电源时自动抑制写操作
转场。将硬件部门保护功能
禁用这两个项目，并在任何组合擦除操作
化的存储器的扇区，并使用实施
标准EPROM编程算法。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。数据
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的明算法。
DQ7-DQ0
8
VCC
GND
擦除电压
发电机
状态
控制
8
输入/输出
缓冲器
WE
8
命令
注册
PGM电压
发电机
机顶盒
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE
OE
8
8
VCC
探测器
定时器
y解码器
Y型GATING
8
地址锁存
A0-A16
X解码器
CELL
矩阵
图1. NX29F010框图
2
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销刀豆网络gurations
表1.引脚说明
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A0-A16
DQ0-DQ7
CE
OE
WE
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
电源电压
地
无内部连接
图2. NX29F010 32引脚塑料DIP
VCC
A12
A15
A16
WE
NC
指数
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
NC
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
14
DQ1
15
DQ2
16
GND
17
DQ3
18
DQ4
19
DQ5
20
DQ6
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图3. NX29F010 32引脚PLCC
图4. NX29F010 32针TSOP
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巴士业务
表2.设备总线操作
(1, 2)
手术
读
写
待机
输出禁用
CE
L
L
V
CC
± 0.5V
L
OE
L
H
X
H
WE
H
L
X
H
地址（ A16 - A0 ）
A
IN
A
IN
X
X
DQ0-DQ7
数据输出
DATA IN
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
，X =无关， AIN =地址中。
2，行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。
看到扇区保护/ unprotection的部分。
对于读阵列数据要求
当器件上电或硬件复位后，内部
状态机设置为读取阵列数据。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的，
此模式以获得阵列的数据。标准的微处理器
读该断言有效地址在设备上的周期
地址输入产生对设备数据的有效数据
输出。该器件保持启用，直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
该系统必须驱动
CE
和
OE
引脚V
IL
阅读
从输出端阵列的数据。
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是，通过该输出控制
数组数据到输出引脚。在读取操作期间，
WE
必须保持在V
IH
.
表3扇区地址表
扇形
部门A0
行业A1
部门A2
部门A3
行业A4
部门A5
部门A6
部门A7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H-03FFFH
04000H-07FFFH
08000H-0BFFFH
0C000H-0FFFFH
10000H-13FFFH
14000H-17FFFH
18000H-1BFFFH
1C000H-1FFFFH
写命令/命令序列
该系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
to
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除扇区
存储器） 。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。扇区地址表（见表3）
表示每个扇区占用的地址空间。一
＆ QUOT ;部门地址]按钮;由所需的地址位
唯一选择一个部门。看到"Command Definitions"
部分在擦除扇区或整个芯片的细节。
系统后写入自动选择命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部读取自动选择码
寄存器（它是分开的存储器阵列）上
DQ7 - DQ0 。标准读周期时序适用于这种模式。
请参阅"Auto ，选择模式，并自动选择命令
Sequence"节以获取更多信息。
编程和擦除操作状态
通过读出状态位上DQ7 - DQ0 ，该系统可
擦除或编程时检查操作的状态
操作。
4
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NX29F010
待机模式
在待机模式下，电流消耗是很大的
减少，并且输出被放置在高阻抗
状态，独立的
OE
输入。该系统可以将
该设备在备用模式时，它不是读或
写入设备。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
引脚保持在V
CC
± 0.5V 。该器件进入待机TTL
模式时，
CE
被保持在V
IH
。设备需要的
标准访问时间（
t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
部门保护，扇区地址必须出现在
适当的最高地址位。参阅，对应
应的扇区地址表（表3） 。命令
定义表显示剩余地址位，其
不在乎。当所有必要的位都被设置为
需要时，编程设备可接着读取
相应的识别代码DQ7 - DQ0 。
要访问自动选择代码在系统中，主机
系统可以发出通过自动选择命令
命令寄存器中，如图中的命令定义
表。此方法不需要V
ID
。见＆ QUOT ;命令
Definitions"有关使用自动选择模式的详细信息。
输出禁止模式
当
OE
= V
IH
从装置的输出被禁止
和输出引脚被置于高阻抗状态。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个亲
克和擦除操作的任何部门。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个方案，并
擦除以前受保护的行业操作。
部门保护/解除保护程序要求很高
电压（V
ID
）上的地址引脚A9和控制引脚。详细
在此方法中的一种补充提供。请联系
NexFlash代表以获得相应的副本
文档。
该设备出厂时所有部门保护。 NexFlash
提供节目的选择和保护部门
出厂前，装运设备。联系NexFlash
代表了解详情。
它能够确定一个扇区是否已被保护或
不受保护的。见"Auto -选择Mode"了解详细信息。
自动选择模式
自动选择模式提供了访问制造商
和器件等效代码，以及行业的保护
验证码，通过DQ7 - DQ0引脚。此模式是
主要用于编程设备来自动
相匹配的装置，以用其相应的编程
规划算法。但是，自动选择码
也可以通过命令在系统访问
注册。
当使用编程设备，自动选择模式
需要V
ID
（ 11.5V至12.5V ）的地址引脚A9 。地址
引脚A1和A0必须自动选择编码中所示的
（高压法） ，表4中。另外，验证时
表4.自动选择代码（高压法）
描述
生产厂家
相当于ID
设备
相当于ID
扇区保护
验证
CE
L
L
L
OE
L
L
L
WE
H
H
H
A16-A14
X
X
SA
A13-A10
X
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
A8-A2
X
X
X
A1
L
L
H
A0
L
H
L
DQ7-DQ0
01 （十六进制）
20 （十六进制）
01H
（被保护）
00H
（无保护）
注意：
1. L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.5
TO
12.5V ， SA = A
地址H1
S
埃克特
，X =无关。
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超快速的性能
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温度范围
- 商业0
o
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单5V -只有电源
- 5V ±10 ％的读取，编程和擦除
CMOS低功耗
- 20毫安（典型值）读操作工作电流
- 30毫安（典型值）编程/擦除电流
兼容JEDEC标准引脚排列
- 32引脚DIP ， PLCC ， TSOP
程序/功能兼容AM29F010
- 无系统固件的变化
- 使用相同的PROM程序设计师的算法
灵活的部门架构
- 清除所有8统一部门或整片擦除
- 使用PROM扇区保护/解除保护
编程设备
100,000编程/擦除周期
嵌入式算法
- 自动程序和数据验证
指定的地址
- 自动计划和擦除芯片或任何
指定的部门
数据/轮询和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
2000年6月
描述
该
NexFlash
NX29F010是1兆位（ 131,072字节）
5.0V单只扇区的闪存。该NX29F010
提供在系统编程与标准体系
5.0V -仅Vcc电源，并且可以编程或擦除
标准PROM编程器。
该NX29F010提供了访问时间35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和
90纳秒，允许高速控制器和DSP “操作
无需等待。字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。
单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制消除了总线争用。
功耗也大大降低了系统的时
器件进入待机模式。
该器件采用32引脚PLCC ， TSOP和PDIP
包。
操作原理
只有一个单一的5.0V电源需要同时读取和
写功能。编程或擦除操作不需要
12.0V V
PP
。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。命令
使用标准微量写入到命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
在执行程序命令序列调用
嵌入式程序算法，内部算法
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
本文件包含的初步数据。 NexFlash保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们
承担可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有1998年， NexFlash技术公司..
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执行擦除命令序列调用
嵌入式擦除算法，内部算法
自动预方案的阵列为全零（如果它不是
已编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和擦除过程中验证正确的电池余量。
通过阅读DQ7 （数据查询）和DQ6 （切换）状态
位，则主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成。完成后，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构设计，让内存
行业要擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
然后才发货给客户。
硬件数据保护包括VCC低于检测
该电源时自动抑制写操作
转场。将硬件部门保护功能
禁用这两个项目，并在任何组合擦除操作
化的存储器的扇区，并使用实施
标准EPROM编程算法。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。数据
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的明算法。
DQ7-DQ0
8
VCC
GND
擦除电压
发电机
状态
控制
8
输入/输出
缓冲器
WE
8
命令
注册
PGM电压
发电机
机顶盒
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE
OE
8
8
VCC
探测器
定时器
y解码器
Y型GATING
8
地址锁存
A0-A16
X解码器
CELL
矩阵
图1. NX29F010框图
2
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巴士业务
表2.设备总线操作
(1, 2)
手术
读
写
待机
输出禁用
CE
L
L
V
CC
± 0.5V
L
OE
L
H
X
H
WE
H
L
X
H
地址（ A16 - A0 ）
A
IN
A
IN
X
X
DQ0-DQ7
数据输出
DATA IN
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
，X =无关， AIN =地址中。
2，行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。
看到扇区保护/ unprotection的部分。
对于读阵列数据要求
当器件上电或硬件复位后，内部
状态机设置为读取阵列数据。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的，
此模式以获得阵列的数据。标准的微处理器
读该断言有效地址在设备上的周期
地址输入产生对设备数据的有效数据
输出。该器件保持启用，直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
该系统必须驱动
CE
和
OE
引脚V
IL
阅读
从输出端阵列的数据。
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是，通过该输出控制
数组数据到输出引脚。在读取操作期间，
WE
必须保持在V
IH
.
表3扇区地址表
扇形
部门A0
行业A1
部门A2
部门A3
行业A4
部门A5
部门A6
部门A7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H-03FFFH
04000H-07FFFH
08000H-0BFFFH
0C000H-0FFFFH
10000H-13FFFH
14000H-17FFFH
18000H-1BFFFH
1C000H-1FFFFH
写命令/命令序列
该系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
to
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除扇区
存储器） 。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。扇区地址表（见表3）
表示每个扇区占用的地址空间。一
＆ QUOT ;部门地址]按钮;由所需的地址位
唯一选择一个部门。看到"Command Definitions"
部分在擦除扇区或整个芯片的细节。
系统后写入自动选择命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部读取自动选择码
寄存器（它是分开的存储器阵列）上
DQ7 - DQ0 。标准读周期时序适用于这种模式。
请参阅"Auto ，选择模式，并自动选择命令
Sequence"节以获取更多信息。
编程和擦除操作状态
通过读出状态位上DQ7 - DQ0 ，该系统可
擦除或编程时检查操作的状态
操作。
4
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待机模式
在待机模式下，电流消耗是很大的
减少，并且输出被放置在高阻抗
状态，独立的
OE
输入。该系统可以将
该设备在备用模式时，它不是读或
写入设备。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
引脚保持在V
CC
± 0.5V 。该器件进入待机TTL
模式时，
CE
被保持在V
IH
。设备需要的
标准访问时间（
t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
部门保护，扇区地址必须出现在
适当的最高地址位。参阅，对应
应的扇区地址表（表3） 。命令
定义表显示剩余地址位，其
不在乎。当所有必要的位都被设置为
需要时，编程设备可接着读取
相应的识别代码DQ7 - DQ0 。
要访问自动选择代码在系统中，主机
系统可以发出通过自动选择命令
命令寄存器中，如图中的命令定义
表。此方法不需要V
ID
。见＆ QUOT ;命令
Definitions"有关使用自动选择模式的详细信息。
输出禁止模式
当
OE
= V
IH
从装置的输出被禁止
和输出引脚被置于高阻抗状态。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个亲
克和擦除操作的任何部门。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个方案，并
擦除以前受保护的行业操作。
部门保护/解除保护程序要求很高
电压（V
ID
）上的地址引脚A9和控制引脚。详细
在此方法中的一种补充提供。请联系
NexFlash代表以获得相应的副本
文档。
该设备出厂时所有部门保护。 NexFlash
提供节目的选择和保护部门
出厂前，装运设备。联系NexFlash
代表了解详情。
它能够确定一个扇区是否已被保护或
不受保护的。见"Auto -选择Mode"了解详细信息。
自动选择模式
自动选择模式提供了访问制造商
和器件等效代码，以及行业的保护
验证码，通过DQ7 - DQ0引脚。此模式是
主要用于编程设备来自动
相匹配的装置，以用其相应的编程
规划算法。但是，自动选择码
也可以通过命令在系统访问
注册。
当使用编程设备，自动选择模式
需要V
ID
（ 11.5V至12.5V ）的地址引脚A9 。地址
引脚A1和A0必须自动选择编码中所示的
（高压法） ，表4中。另外，验证时
表4.自动选择代码（高压法）
描述
生产厂家
相当于ID
设备
相当于ID
扇区保护
验证
CE
L
L
L
OE
L
L
L
WE
H
H
H
A16-A14
X
X
SA
A13-A10
X
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
A8-A2
X
X
X
A1
L
L
H
A0
L
H
L
DQ7-DQ0
01 （十六进制）
20 （十六进制）
01H
（被保护）
00H
（无保护）
注意：
1. L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.5
TO
12.5V ， SA = A
地址H1
S
埃克特
，X =无关。
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NX29F010
1M - BIT （ 128K ×8位）
CMOS ，仅5.0V
ULTRA -FAST扇形FLASH MEMORY
特点
超快速的性能
- 35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和90 ns（最大值） 。访问时间
温度范围
- 商业0
o
c-70
o
c
- 工业-40
o
c-85
o
c
单5V -只有电源
- 5V ±10 ％的读取，编程和擦除
CMOS低功耗
- 20毫安（典型值）读操作工作电流
- 30毫安（典型值）编程/擦除电流
兼容JEDEC标准引脚排列
- 32引脚DIP ， PLCC ， TSOP
程序/功能兼容AM29F010
- 无系统固件的变化
- 使用相同的PROM程序设计师的算法
灵活的部门架构
- 清除所有8统一部门或整片擦除
- 使用PROM扇区保护/解除保护
编程设备
100,000编程/擦除周期
嵌入式算法
- 自动程序和数据验证
指定的地址
- 自动计划和擦除芯片或任何
指定的部门
数据/轮询和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
2000年6月
描述
该
NexFlash
NX29F010是1兆位（ 131,072字节）
5.0V单只扇区的闪存。该NX29F010
提供在系统编程与标准体系
5.0V -仅Vcc电源，并且可以编程或擦除
标准PROM编程器。
该NX29F010提供了访问时间35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和
90纳秒，允许高速控制器和DSP “操作
无需等待。字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。
单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制消除了总线争用。
功耗也大大降低了系统的时
器件进入待机模式。
该器件采用32引脚PLCC ， TSOP和PDIP
包。
操作原理
只有一个单一的5.0V电源需要同时读取和
写功能。编程或擦除操作不需要
12.0V V
PP
。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。命令
使用标准微量写入到命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
在执行程序命令序列调用
嵌入式程序算法，内部算法
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
本文件包含的初步数据。 NexFlash保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们
承担可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有1998年， NexFlash技术公司..
NexFlash技术公司
NXPF001F-0600
06/22/00
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NX29F010
执行擦除命令序列调用
嵌入式擦除算法，内部算法
自动预方案的阵列为全零（如果它不是
已编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和擦除过程中验证正确的电池余量。
通过阅读DQ7 （数据查询）和DQ6 （切换）状态
位，则主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成。完成后，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构设计，让内存
行业要擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
然后才发货给客户。
硬件数据保护包括VCC低于检测
该电源时自动抑制写操作
转场。将硬件部门保护功能
禁用这两个项目，并在任何组合擦除操作
化的存储器的扇区，并使用实施
标准EPROM编程算法。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。数据
在一次编程一个字节使用EPROM编程
热电子注入的明算法。
DQ7-DQ0
8
VCC
GND
擦除电压
发电机
状态
控制
8
输入/输出
缓冲器
WE
8
命令
注册
PGM电压
发电机
机顶盒
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE
OE
8
8
VCC
探测器
定时器
y解码器
Y型GATING
8
地址锁存
A0-A16
X解码器
CELL
矩阵
图1. NX29F010框图
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NexFlash技术公司
NXPF001F-0600
06/22/00
NX29F010
巴士业务
表2.设备总线操作
(1, 2)
手术
读
写
待机
输出禁用
CE
L
L
V
CC
± 0.5V
L
OE
L
H
X
H
WE
H
L
X
H
地址（ A16 - A0 ）
A
IN
A
IN
X
X
DQ0-DQ7
数据输出
DATA IN
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
，X =无关， AIN =地址中。
2，行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。
看到扇区保护/ unprotection的部分。
对于读阵列数据要求
当器件上电或硬件复位后，内部
状态机设置为读取阵列数据。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的，
此模式以获得阵列的数据。标准的微处理器
读该断言有效地址在设备上的周期
地址输入产生对设备数据的有效数据
输出。该器件保持启用，直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
该系统必须驱动
CE
和
OE
引脚V
IL
阅读
从输出端阵列的数据。
CE
是功率控制和
选择该设备。
OE
是，通过该输出控制
数组数据到输出引脚。在读取操作期间，
WE
必须保持在V
IH
.
表3扇区地址表
扇形
部门A0
行业A1
部门A2
部门A3
行业A4
部门A5
部门A6
部门A7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H-03FFFH
04000H-07FFFH
08000H-0BFFFH
0C000H-0FFFFH
10000H-13FFFH
14000H-17FFFH
18000H-1BFFFH
1C000H-1FFFFH
写命令/命令序列
该系统必须驱动
WE
和
CE
到V
IL
和
OE
到V
IH
to
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除扇区
存储器） 。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。扇区地址表（见表3）
表示每个扇区占用的地址空间。一
＆ QUOT ;部门地址]按钮;由所需的地址位
唯一选择一个部门。看到"Command Definitions"
部分在擦除扇区或整个芯片的细节。
系统后写入自动选择命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部读取自动选择码
寄存器（它是分开的存储器阵列）上
DQ7 - DQ0 。标准读周期时序适用于这种模式。
请参阅"Auto ，选择模式，并自动选择命令
Sequence"节以获取更多信息。
编程和擦除操作状态
通过读出状态位上DQ7 - DQ0 ，该系统可
擦除或编程时检查操作的状态
操作。
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NXPF001F-0600
06/22/00
NX29F010
待机模式
在待机模式下，电流消耗是很大的
减少，并且输出被放置在高阻抗
状态，独立的
OE
输入。该系统可以将
该设备在备用模式时，它不是读或
写入设备。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE
引脚保持在V
CC
± 0.5V 。该器件进入待机TTL
模式时，
CE
被保持在V
IH
。设备需要的
标准访问时间（
t
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作
完成。
部门保护，扇区地址必须出现在
适当的最高地址位。参阅，对应
应的扇区地址表（表3） 。命令
定义表显示剩余地址位，其
不在乎。当所有必要的位都被设置为
需要时，编程设备可接着读取
相应的识别代码DQ7 - DQ0 。
要访问自动选择代码在系统中，主机
系统可以发出通过自动选择命令
命令寄存器中，如图中的命令定义
表。此方法不需要V
ID
。见＆ QUOT ;命令
Definitions"有关使用自动选择模式的详细信息。
输出禁止模式
当
OE
= V
IH
从装置的输出被禁止
和输出引脚被置于高阻抗状态。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个亲
克和擦除操作的任何部门。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个方案，并
擦除以前受保护的行业操作。
部门保护/解除保护程序要求很高
电压（V
ID
）上的地址引脚A9和控制引脚。详细
在此方法中的一种补充提供。请联系
NexFlash代表以获得相应的副本
文档。
该设备出厂时所有部门保护。 NexFlash
提供节目的选择和保护部门
出厂前，装运设备。联系NexFlash
代表了解详情。
它能够确定一个扇区是否已被保护或
不受保护的。见"Auto -选择Mode"了解详细信息。
自动选择模式
自动选择模式提供了访问制造商
和器件等效代码，以及行业的保护
验证码，通过DQ7 - DQ0引脚。此模式是
主要用于编程设备来自动
相匹配的装置，以用其相应的编程
规划算法。但是，自动选择码
也可以通过命令在系统访问
注册。
当使用编程设备，自动选择模式
需要V
ID
（ 11.5V至12.5V ）的地址引脚A9 。地址
引脚A1和A0必须自动选择编码中所示的
（高压法） ，表4中。另外，验证时
表4.自动选择代码（高压法）
描述
生产厂家
相当于ID
设备
相当于ID
扇区保护
验证
CE
L
L
L
OE
L
L
L
WE
H
H
H
A16-A14
X
X
SA
A13-A10
X
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
A8-A2
X
X
X
A1
L
L
H
A0
L
H
L
DQ7-DQ0
01 （十六进制）
20 （十六进制）
01H
（被保护）
00H
（无保护）
注意：
1. L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.5
TO
12.5V ， SA = A
地址H1
S
埃克特
，X =无关。
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