【初步2001年12月NX25F011B ， NX25F021B ， NX25F041B1M位，2M位】,IC型号NX25F011B-3V,NX25F011B-3V PDF资料,NX25F011B-3V经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

2001年12月

NX25F011B ， NX25F021B ， NX25F041B

1M位，2M位，与4M位

采用4引脚SPI接口的串行闪存

本文件包含的初步信息。 NexFlash保留随时修改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的右

产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。

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NXSF016F-1201

12/12/01

NX25F011B

NX25F021B

NX25F041B

1M位，2M位，与4M位......................................................................................................................................... 1

采用4引脚SPI接口的串行闪存......................................... ................................................. 1

特点..................................................................................................................................................................... 4

描述............................................................................................................................................................... 4

功能概述.............................................................................................................................................五

引脚说明.......................................................................................................................................................五

包...............................................................................................................................................................五

串行数据输入（ SI ） ............................................................................................................................................ 6

串行数据输出（ SO ） ....................................................................................................................................... 6

串行时钟（ SCK ） ............................................................................................................................................... 6

片选（ CS ） .................................................................................................................................................. 6

写保护（ WP ） ............................................................................................................................................... 6

按住或就绪/忙（ HOLD或R / B ） ...................................................................................................................... 6

电源引脚（ Vcc和GND ） ........................................................................................................................ 6

串行闪存阵列....................................................................................................................................... 7

串行SRAM ............................................................................................................................................................. 8

使用闪存的SRAM独立........................................... .................................................. ...... 9

写保护........................................................................................................................................................ 9

配置寄存器.............................................................................................................................................. 9

写保护范围和方向， WR [ 3 ： 0 ] ， WD .................................... .................................................. .......... 10

读时钟边沿， RCE ...................................................................................................................................... 10

表2A 。写保护范围行业精选（十六进制） .......................................... .............................................. 11

表2B中。写保护范围行业精选（十六进制） .......................................... .............................................. 11

表2C 。写保护范围行业精选（十六进制） .......................................... .............................................. 11

HOLD -R / B ， HR [ 1 ： 0 ] ............................................................................................................................................ 11

状态寄存器位说明............................................................................................................................. 12

比较不相等， CNE ................................................................................................................................... 12

功率检测， PD ............................................................................................................................................... 12

写使能/禁用， WE................................................................................................................................... 12

命令集........................................................................................................................................................ 13

命令集的NX25F011B ， NX25F021B和NX25F041B串行闪存..................................... 15

串行闪存部门COMMANDS ....................................................................................................................... 16

读取扇区（ 52H ） ......................................................................................................................................... 16

阅读来自行业与自动递增（ 50H ） ......................................................................................................... 16

阅读从扇区低频（ 51H ）和.......................................................................................................... 16

阅读从扇区低频带自动递增（ 5BH ） ....................................... ......................................... 16

写使能（ 06H ） .................................................................................................................................................. 16

写禁止（ 04H ） ................................................................................................................................................. 16

写部门通过SRAM （ F3H ） ..................................................................................................................... 18

串行SRAM COMMANDS ....................................................................................................................................... 19

写入SRAM命令（ 72H ） ............................................................................................................................. 19

从SRAM中读取（ 71H ） .......................................................................................................................................... 19

所有的SRAM传输到部门（ F3H ） ..................................................................................................................... 20

所有的部门转移到SRAM （ 53H ） ..................................................................................................................... 20

比较行业以SRAM （ 8DH ） ............................................................................................................................ 21

配置和状态命令............................................................................................................ 21

读取配置寄存器（ 8CH ） ......................................................................................................................... 21

写非易失性配置

注册（ 8AH ） ........................................................................................................................................................ 22

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NX25F011B

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（续）

读状态寄存器（ 84H ） .................................................................................................................................... 22

清除比较状态（ 89H ） ................................................................................................................................... 23

设置电源检测位（ 03H ） ................................................................................................................................ 23

电源复位检测位（ 09H ） ............................................................................................................................. 23

读取设备信息部门（ 15H ） .................................................................................................................... 24

特殊行业COMMANDS ................................................................................................................................. 24

擦除扇区（ F1H ） ................................................................................................................................................. 24

擦除块（ F4H ） .................................................................................................................................................. 25

只写至部门（ F2H ） ...................................................................................................................................... 25

兼容性的命令25xxxA系列设备............................................ ..................................... 26

从SRAM中读取（ 81H ） .......................................................................................................................................... 26

读取配置寄存器（ 8BH ） ......................................................................................................................... 27

读状态寄存器（ 83H ） .................................................................................................................................... 27

部门转移到SRAM时钟源（ 54H ） ................................................................................................................. 28

比较行业以SRAM时钟源（ 86H ） ............................................................................................................... 28

扇区格式........................................................................................................................................................ 29

高数据完整性的应用.............................................................................................................................. 29

写/校验流程.................................................................................................................................................... 29

分组静态和常见

更新后的数据.......................................................................................................................................................... 29

ABOSOLUTE最低评级..............................................................................................................................三十

工作范围.................................................................................................................................................三十

DC电气特性（初步） ............................................ .................................................. ... 30

AC电气特性（初步） ............................................ .................................................. ... 31

串行输出时序............................................................................................................................................ 32

串行输入时序................................................................................................................................................ 32

保持时间.............................................................................................................................................................. 32

封装信息........................................................................................................................................ 33

200密耳的塑料SOIC封装代码：（ S） ............................................................................................................ 33

封装信息........................................................................................................................................ 34

330万塑封SOIC封装代码：（J ） ............................................................................................................ 34

封装信息........................................................................................................................................ 35

塑料TSOP - 28引脚封装代码： I型（ V） .................................... .................................................. ......... 35

初步DESIGNATION .................................................................................................................................... 36

重要通知................................................................................................................................................... 36

订购信息......................................................................................................................................... 36

生命支持政策............................................................................................................................................. 36

商标： ................................................................................................................................................................. 36

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NX25F011B

NX25F021B

NX25F041B

特点

闪存的存储资源有限的系统

- 非常适合便携式/移动和基于微控制器

存储语音，文本和数据应用

0.35

NexFlash

内存技术

- 1M / 2M / 4M位与512/1024/2048行业

- 小型264字节扇区

- 擦除/写7.5毫秒/扇区的时间（典型值）

- 可选8KB （ 32部门）更快的块擦除

程序设计

超低功耗的电池操作

- 单5V或3V电源的读取和擦除/写

- 1 mA待机电流， 2.5毫安主动@ 3V （典型值）

- 低频率读取指令以实现低功耗

4针SPI串行接口

- 易于流行的微控制器

- 时钟运行一样快， 20 MHz的

片上串行SRAM

- 单264字节的读/写缓存SRAM

- 使用在结合或独立的闪存

- 离负荷RAM有限的微控制器

特殊功能的多媒体存储应用

- 字节级寻址读取和写入SRAM

- 转让或比较部门SRAM

- 通用的硬件和软件写保护

- 在系统的电子部件编号选项

- 可拆卸的串行闪存模块封装选项

- 串行Flash开发工具包

描述

该NX25F011B ， NX25F021B和NX25F041B系列

快闪记忆体，提供了系统的存储解决方案

不限于功率，销，空间，硬件和固件

资源。他们是理想的存储语音应用，

文本，并且在便携式或移动环境中的数据。运用

NexFlash的

专利的单个晶体管的EEPROM单元，所述

设备提供了一个高密度，低电压，低功耗，以及

具有成本效益的非易失性存储器中的溶液。该器件

在单5V或3V （ 2.7V - 3.6V ）供电的读操作

和擦除/写有典型的电流消耗低至

2.5毫安活性和小于1

待机。扇形

擦除/写入速度一样快， 7.5毫秒提高系统

性能，最大限度地减少通电时间，并最大限度地提高

电池寿命。

该NX25F011B ， NX25F021B和NX25F041B提供

1M比特，2M位和4M位的闪速存储器的组织为512 ，

1024 ，或2048个扇区每264个字节。每个扇区为

通过基本的串行时钟的COM可独立寻址

mands 。 4针SPI串行接口直接与

流行的微控制器。特殊功能包括：芯片

串行SRAM ，字节级寻址，双缓冲机构

写入，传输/比较部门SRAM ，硬件和

软件写保护，备用振荡器频率， elec-

TRONIC部件号，以及可移动串行闪存模块

封装选项。发展支持与

基于PC的SFK - SPI串行闪存开发工具包。

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NX25F011B

NX25F021B

NX25F041B

功能概述

该NX25F011B的体系结构框图，

NX25F021B和NX25F041B示于图2中的关键

该体系结构的内容包括：

SPI接口和命令集逻辑

串行闪存阵列

串行SRAM和程序缓冲区

写保护逻辑

CON组fi guration寄存器和状态寄存器

设备信息部门

引脚说明

包

该NX25F011B ， NX25F021B和NX25F041B是

在一个28引脚TSOP （I型）表面贴装封装。

该NX25F011B和NX25F021B是在任一可用

8引脚SOIC和14引脚TSOP封装（联系NexFlash

对14引脚TSOP封装的信息）。该

NX25F041B还提供28引脚SOIC封装。

参见图3A ， 3B和表1的引脚分配。所有

接口和电源引脚上的TSOP的一侧

封装。 “无连接” （ NC）引脚没有连接到

该装置中，使它们周围的焊盘和面积，以

将用于路由PCB制痕迹。该装置是

也可用于具有成本效益和空间效率的

可拆卸的串行闪存模块封装。

设备信息部门（ DIS ）

（只读）

行译码（

512 ， 1024和2048

行业）

NexFlash

1 ， 2和4的M- BIT

串行闪存阵列

512 ， 1024和2048

字节寻址

264字节每个扇区

组织了16 ， 32和64

的32个扇区每块的积木

写控制

逻辑

写保护逻辑

HOLD

或R / B

持有或

读/忙

逻辑

CON组fi guration

状态

2112

SRAM （ 264字节）

HIGH- VOLTAGE

发电机

9/10/11

SCK

SPI

命令

和

控制

逻辑

部门地址

LATCH

数据

列解码， SENSE AMP LATCH

和数据比较逻辑

字节地址

锁存器/计数器

图2. NX25F011B ， NX25F021B和NX25F041B结构框图

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1M位，2M位，与4M位

采用4引脚SPI接口的串行闪存

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产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。

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